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公开(公告)号：CN118050615A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410024127.0
申请日：2024-01-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构与测量方法，具体为：所述芯片替代结构包括PCB电路板，所述PCB电路板的其中一面包括阳极面，另一面包括阴极面，所述PCB电路板上焊接有已知容值的贴片电容；所述PCB电路板上还设有连接阳极面与贴片电容正极的通路，所述贴片电容的负极与阴极面连接。本发明使用特制的PCB电路板替代芯片，在保证封装结构、电学回路不变的前提下，令电容值已知且精确，从而提高结果的准确程度，测试无需完整产品，方法简便。
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公开(公告)号：CN109427709B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201710776469.8
申请日：2017-09-01
Applicant: 清华大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/48 , H01L25/16
Abstract: 本公开涉及电气器件以及电气装置。提供一种电气器件，包括：其上形成了功率半导体元件的半导体基板，在该基板的表面上布置功率半导体元件的控制电极和第一电流电极；印刷电路板，其上布置有驱动功率半导体元件的驱动模块，驱动模块包括至少一个第一开关元件，第一开关元件包括控制端子和电流端子；第一导电块，置于所述基板和印刷电路板之间，提供到第一电流电极的电连接；一个或多个连接件，与第一导电块电隔离地穿过第一导电块并连接到控制电极的一部分，连接件与相应的第一开关元件关联；一个或多个第一弹簧部件，置于对应的连接件和与对应的连接件关联的第一开关元件之间，使第一开关元件的第一电流端子通过连接件电连接到控制电极的一部分。
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公开(公告)号：CN116937957A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210365352.1
申请日：2022-04-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及可关断器件与晶闸管串联换流器的缓冲回路及其控制方法。其中缓冲回路包括多个相同的桥臂，每个桥臂由晶闸管阀串和可关断阀串串联而成；所述可关断阀串用于延长晶闸管阀串恢复时间；可关断阀串包括相互并联的第一支路、第二支路与第三支路。控制方法包括以下步骤：电流过零或者可关断阀串主动关断时，TVS二极管上会先出现正向电压，晶闸管处在恢复阶段，缓冲电容上没有充电电流；电压逐渐升高，晶闸管完成恢复完全关断时或者完全关断之后，TVS二极管上的电压达到阈值，TVS二极管被击穿；可关断阀串和晶闸管上的电压一起上升。本发明能够使主动器件优先承受正压时晶闸管不会重新导通，同时还可以避免主动器件两端电压过高而烧毁。
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公开(公告)号：CN116387358B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310645829.6
申请日：2023-06-02
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/74 , H01L29/744 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供一种门极换流晶闸管及其制备方法。该门极换流晶闸管包括：第一导电类型基区；设置在第一导电类型基区上的第二导电类型基区；第二导电类型基区包括设置在第一导电类型基区上的第二导电类型第三基区、设置在第二导电类型第三基区上的第二导电类型第二基区和设置在第二导电类型第二基区上的第二导电类型第一基区；覆盖第二导电类型第一基区部分上表面的具有凸台结构的第一导电类型发射极；以及位于第二导电类型第一基区和第二导电类型第二基区两侧的第二导电类型掺杂区域。本发明可以提高门极换流晶闸管关断电流的能力。
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公开(公告)号：CN116387358A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310645829.6
申请日：2023-06-02
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/74 , H01L29/744 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供一种门极换流晶闸管及其制备方法。该门极换流晶闸管包括：第一导电类型基区；设置在第一导电类型基区上的第二导电类型基区；第二导电类型基区包括设置在第一导电类型基区上的第二导电类型第三基区、设置在第二导电类型第三基区上的第二导电类型第二基区和设置在第二导电类型第二基区上的第二导电类型第一基区；覆盖第二导电类型第一基区部分上表面的具有凸台结构的第一导电类型发射极；以及位于第二导电类型第一基区和第二导电类型第二基区两侧的第二导电类型掺杂区域。本发明可以提高门极换流晶闸管关断电流的能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115881518A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211404235.8
申请日：2022-11-10
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/31 , H01L29/06 , H01L29/30 , H01L21/332 , H01L29/74
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的钝化膜制备方法、半导体器件及GCT器件。其中半导体器件的钝化膜方法包括：在半导体器件基片上形成光刻掩膜层；对所述光刻掩膜层光刻形成一个或多个刻蚀缺口，其中所述刻蚀缺口的开口面积小于底面积或者剩余光刻掩膜层的刻蚀形成的刻蚀面所在的平面与光刻掩膜层表面所在的平面形成锐角；在形成有所述刻蚀缺口的半导体器件基片上沉积隔离物质，形成不连续的钝化膜；剥离所述光刻掩膜层。本发明通过在光刻掩膜层上设置开口面积小于底面积的刻蚀缺口，利用低温沉积及剥离工艺，能够更好地解决现有技术中钝化膜制作工艺很难实现线宽的精确控制及保证整个晶圆所有区域线宽的合格的问题。
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公开(公告)号：CN115149939A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202211059587.4
申请日：2022-09-01
Applicant: 清华大学
IPC: H03K19/0175 , H03K19/003 , H03K19/007
Abstract: 本发明提供了一种分立式高压电子装置及方法，所述高压电子装置包括：第一分立模块、连接层以及第二分立模块，其中，所述第一分立模块，用于接收控制信号，并根据控制信号下发控制指令；所述第二分立模块，用于根据接收的控制指令，控制全控型器件导通或关断；所述连接层，用于将第一分立模块下发的控制指令传输给第二分立模块。本发明的分立式高压电子装置可维护性及检修操作性高。
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公开(公告)号：CN114927557A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210375628.4
申请日：2022-04-11
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供一种发射效率可控的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域，第一掺杂剂区域与阴极和第二掺杂剂区相连，第三掺杂剂区域与阳极和第二掺杂剂区域相连，其中，第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域的掺杂类型不同，第三掺杂剂区域和第二掺杂剂区域的掺杂类型不同，第三掺杂剂区域包括高掺杂层和低掺杂层；低掺杂层与第二掺杂剂区域相连，高掺杂层与阳极相连；高掺杂层采用非整面均匀掺杂，形成局部的隔离区域。本发明的发射效率可控的半导体器件及其制作方法，可以通过改变局部掺杂的结构，灵活调整IGCT等器件的阳极发射效率。
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公开(公告)号：CN114726356A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210532868.0
申请日：2022-05-17
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC: H03K17/73 , H03K17/732 , H03K17/04 , H02M1/06 , H02M1/32
Abstract: 本发明提供一种可关断晶闸管驱动电路及控制方法，所述可关断晶闸管驱动电路包括驱动电源模块、关断电路以及开通电路；所述驱动电源模块分别和所述关断电路以及开通电路电性连接，实现所述驱动电源模块分别向所述关断电路以及开通电路直接充电。从而可以实现各模块独立上电，满足驱动上电时的快速解锁需求。并且本发明针对上述可关断晶闸管驱动电路在驱动上电过程中对电路模块上电时序进行控制，使得可关断晶闸管器件分别具备进行开通和关断动作的能力，然后结束上电操作。极大缩短了器件上电后闭锁的时间。
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公开(公告)号：CN110907786B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201811083979.8
申请日：2018-09-17
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种对物理封装晶闸管器件的电热耦合特性进行测量方法，所述方法包括：步骤1、物理封装晶闸管器件进行恒温处理，以达到预定温度；步骤2、利用测量回路测量所述物理封装晶闸管的以下参数中的一个或多个：门阴极电压、门阴极电流、阳极电流和阴阳极电压；步骤3、将所述预定温度增加一定的温度值，返回步骤2；步骤4、基于获得的上述参数进行拟合，以形成拟合曲线。本发明提供的测量方法实现了对IGCT/ETO等器件的电热耦合特性进行测量。
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