公开(公告)号：CN103035687A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201310001441.9

申请日：2013-01-04

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种外基区下具有低电阻屏蔽层的双极晶体管，为解决现有产品在外基区与集电区间有寄生电容耦合的问题而发明。本发明外基区下具有低电阻屏蔽层的双极晶体管包括硅外延层、局部氧化区、选择注入集电区、屏蔽结构、Si/SiGe/Si单晶外基区、本征基区Si/SiGe/Si外延层、多晶硅发射区、单晶发射区、Si/SiGe/Si多晶外基区、发射极金属电极以及基极金属电极。屏蔽结构包括屏蔽层和氧化硅层。本发明外基区下具有低电阻屏蔽层的双极晶体管及其制备方法采用低电阻屏蔽层有效地屏蔽了外基区与集电区间的寄生电容耦合，在保持现有技术优点的基础上进一步减小基极-集电极电容CBC，从而进一步提高器件性能。

公开(公告)号：CN103022111A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210560021.X

申请日：2012-12-21

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵悦 ,  付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  李高庆 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品集电极串联电阻过大的问题而设计。本发明具有低电阻集电区的双极晶体管包括衬底、N-外延层、锗硅外延层、发射区引出端、外基区引出端、发射极引出电极、集电极引出电极、以及基极引出电极。集电极引出电极嵌入衬底的背面且分别对应发射极引出电极和基极引出电极。本发明具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法可用于同质外延也可用于异质外延(SOS技术)的双极晶体管，且简化了晶体管的加工工艺。制备得到的产品保证较高的击穿电压，减小集电极串联电阻，保持较小的传输延迟时间，提高器件的工作频率，降低饱和压降，使得晶体管可以在大电流下应用。

公开(公告)号：CN103022110A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210559190.1

申请日：2012-12-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明。本发明金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管包括衬底、埋层集电区、轻掺杂外延层、集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区、本征基区外延层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂多晶发射区、重掺杂单晶发射区、抬升外基区、以及氧化硅隔离介质层。抬升外基区包括抬升外基区低电阻金属硅化物层、Si/SiGe/Si多晶层和重掺杂多晶硅层。本发明金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法在保持现有技术所具有的优点的同时进一步地减小了RB，优化了器件性能。

公开(公告)号：CN103022108A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210537229.X

申请日：2012-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  吴正立 ,  李高庆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品基区-集电区结寄生电容过大的缺陷而设计。本发明双极晶体管包括集电区、本征基区、隔离氧化层、外基区、发射区、以及侧墙。本征基区的边缘位于隔离氧化层的上方，外基区全部位于隔离氧化层的上方。本发明双极晶体管制备方法用氮化硅侧墙作为保护进行氧化形成隔离氧化层，然后去掉氮化硅侧墙形成外基区，实现了本发明双极晶体管。本发明双极晶体管有效地减小了基区-集电区结寄生电容，改善了器件的性能。本发明双极晶体管制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模生产加工。

公开(公告)号：CN103000678A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210536372.7

申请日：2012-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  吴正立 ,  李高庆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种外基区与集电区隔离的双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品基区-集电区结寄生电容过大的缺陷而设计。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管包括集电区、本征基区、隔离氧化层、外基区、发射区、以及侧墙。本征基区的边缘位于隔离氧化层的上方，外基区全部位于隔离氧化层的上方。外基区上表面与发射区上表面形成平整表面，外基区与发射区由侧墙隔离。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管有效地减小了基区-集电区结寄生电容，改善了器件的性能。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模生产加工。

公开(公告)号：CN102969242A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210431011.6

申请日：2012-11-01

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法，为解决现有制备方法，步骤多且繁琐、生产效率低、生产成本高等问题而设计，本发明制备方法依次包括：制备第一掺杂类型的集电区、在集电区上制备第二掺杂的基区、在基区上制备介质层、在介质层上光刻、刻蚀出发射极窗口、在发射极窗口内淀积并平坦化多晶、在多晶表面形成一多晶表面氧化层、腐蚀掉介质层、制作多晶以及多晶表面氧化层的侧墙、以侧墙以及所述多晶表面氧化层为掩体，刻蚀基区、集电区；在被蚀刻后的基区和集电区基础上通过原位掺杂选择性外延制备第二掺杂类型的外基区；在上述结构上制备触孔，引出发射极电极和集区电极，具有步骤少且简单、生产效率高以及制作成本低等优点。

公开(公告)号：CN102956638A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210452249.7

申请日：2012-11-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘道广 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  周卫 ,  崔杰

IPC: H01L27/082 ,  H01L29/739 ,  H01L21/8222

CPC classification number: H01L27/0823 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明公开一种连体IGBT器件，为解决现有器件开关速度不够高的问题而发明。本发明连体IGBT器件包括至少漂移区互相连通的两个IGBT器件，各IGBT器件独立引出电极。连体IGBT器件也可由四个漂移区互相连通的IGBT器件组成。连体IGBT器件也可以具体实现为一承担较大电流主开关器件的IGBT器件和一起到加速主器件开关切换作用的辅助IGBT器件的两个IGBT器件相连。本发明连体IGBT器件的加工方法通过增加开槽工艺得到了本发明连体IGBT器件。本发明连体IGBT器件及其加工方法加工成本低，简单易行，利用两个IGBT器件开关速度相互促进获得工作速度进一步提高的有益效果。

公开(公告)号：CN102790081A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210161187.4

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、多晶硅发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低了基极电阻RB，工艺步骤简单，成本低。

公开(公告)号：CN102790080A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210161096.0

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、重掺杂多晶硅发射区、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低了基极电阻RB，工艺步骤简单，成本低。

公开(公告)号：CN102709318A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210153217.7

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区，基区上的发射极，以及发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在所述集电区内。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。