公开(公告)号：CN106252385B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201510642881.1

申请日：2015-10-08

Applicant: 黄智方

Inventor： 黄智方 ,  张庭辅 ,  徐华志 ,  江政毅

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包含：一基板，具有一第一传导类型的半导体材料；一外延层，设置于基板上，并具有第一传导类型的半导体材料；一主动区，为半导体结构的工作区域；以及一边缘保护区，用以保护该主动区。其中，边缘保护区中的JTE区为第二传导类型的半导体材料；反向掺杂区设置于JTE区中且为第一传导类型的半导体材料；以及反向掺杂区中第一传导类型的半导体材料浓度沿一方向递增。

公开(公告)号：CN106024849B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201610124548.6

申请日：2016-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄 ,  饭岛良介

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的实施方式的半导体装置具备：具备第一面的SiC层；绝缘层；以及SiC层的第一面与绝缘层之间的区域，该区域含有Be(铍)、Mg(镁)、Ca(钙)、Sr(锶)、Ba(钡)之中的至少一个元素，元素的浓度峰的半值全宽为1nm以下，当将在第一面上具有未与SiC层中的Si(硅)或C(碳)之中的任一个键合的键的Si(硅)和C(碳)的面密度设定为第一面密度时，元素的面密度即第二面密度为第一面密度的1/2以下。

公开(公告)号：CN105957887B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610440954.3

申请日：2013-07-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D.H.富赫斯 ,  R.克內夫勒 ,  J.莱文 ,  H-J.舒尔策 ,  W.舒斯特雷德

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明公开了使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件。一种制造方法提供具有衬底层以及邻接衬底层的外延层的半导体器件。外延层包括不同导电类型的第一列和第二列。第一和第二列沿着主晶向从第一表面延伸到外延层中，沿着所述主晶向发生注入离子的沟道效应。第一和第二列中的一个的垂直掺杂分布图包括通过第二部分分开的第一部分。在第一部分中掺杂浓度以至多30%变化。在第二部分中掺杂浓度低于第一部分中的掺杂浓度。第一部分的总长度与第一和第二部分的总长度的比是至少50%。均匀的掺杂分布图改进器件特性。

公开(公告)号：CN103943680B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201310692549.7

申请日：2013-12-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 岛藤贵行

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/31 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置包括元件活性部（X）和元件周边部（Y），在元件活性部（X）和元件周边部（Y）的上表面形成有层间绝缘膜，在元件活性部（X）侧的层间绝缘膜的上表面形成有与p型基极区域和n型源极区域连接的源电极和用于包围源电极的环状栅极金属布线，并且栅极金属布线和栅电极连接。在半导体基板的第1主表面侧的上表面形成具有开口部的有机保护膜，开口部包括部分露出栅极金属布线的栅电极极板部分和部分露出源电极的源电极极板部分。在栅极金属布线和有机保护膜之间形成无机保护膜以覆盖栅极金属布线。

公开(公告)号：CN109698230A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811229514.9

申请日：2018-10-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.菲利波 ,  M.比纳 ,  M.戴内泽 ,  C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  F.J.桑托斯罗德里格斯 ,  A.韦莱 ,  C.利德兹 ,  C.P.桑道

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/0688

Abstract: 一种功率半导体器件（1），包括具有第一导电类型的漂移区（100）的有源单元区（1-2）；至少部分布置在有源单元区（1-2）内的多个IGBT单元（1-1），其中该IGBT单元（1-1）中的每个包括沿着垂直方向（Z）延伸到漂移区（100）中的至少一个沟槽（14、15、16）；包围有源单元区（1-2）的边缘终止区（1-3）；布置在有源单元区（1-2）和边缘终止区（1-3）之间的过渡区（1-5），该过渡区（1-5）具有沿着横向方向（X、Y）从有源单元区（1-2）朝向边缘终止区（1-3）的宽度（W），其中该IGBT单元（1-1）中的至少一些被布置在过渡区（1-5）内或者相应地延伸到过渡区（1-5）中；以及第二导电类型的电浮势垒区（105），其中该电浮势垒区（105）被布置在有源单元区（1-2）内且与IGBT单元（1-1）的沟槽（14、15、16）中的至少一些接触，并且其中该电浮势垒区（105）不会延伸到过渡区（1-5）中。

公开(公告)号：CN109643660A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780053309.9

申请日：2017-08-29

Applicant: 流慧株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/737 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4486 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

Abstract: 本申请提供了一种具有宽带隙和增强的电导率的新型且有用的p-型氧化物半导体，以及制造该p-型氧化物半导体的方法。将根据需要的包含铱和其他金属的原料溶液雾化以产生喷雾，并且在使用载气将喷雾传送到基材的表面附近之后，通过使基材表面附近的喷雾发生热反应，在基材上形成包含铱的金属氧化物的晶体或混合晶体，从而制造p-型氧化物半导体。

公开(公告)号：CN109148425A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811089201.8

申请日：2011-08-23

Applicant: L·皮尔·德罗什蒙

Inventor： L·皮尔·德罗什蒙

IPC: H01L23/64 ,  H01L25/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L27/0629 ,  G06F1/3203 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/528 ,  H01L23/64 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L25/16 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/43 ,  H01L29/435 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7831 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6661 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体场效应晶体管提供了谐振栅极和源极以及漏极，其中谐振栅极以一种或多种预定的频率电磁地谐振。

公开(公告)号：CN108695374A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201710228312.1

申请日：2017-04-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 吕正勇 ,  陶佳佳

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明提供一种双极型晶体管及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，所述基底包括：第一区、第二区和第三区；对所述第一区和第三区基底进行第一离子注入，在所述第一区基底中形成第一阱区，并在所述第三区基底中形成第三阱区，所述第一阱区与第三阱区中具有第一掺杂离子；对所述第二区基底进行第二离子注入，在所述第二区基底中形成第二阱区；对所述第一阱区、第二阱区和第三阱区进行图形化处理，形成阱衬底，以及位于所述第一区阱衬底上的第一鳍部，位于第二区阱衬底上的第二鳍部，位于所述第三区阱衬底上的第三鳍部。所述形成方法能够改善所形成双极型晶体管的性能。

公开(公告)号：CN108428631A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810274827.X

申请日：2018-03-30

Applicant: 苏州凤凰芯电子科技有限公司

Inventor： 张艳旺 ,  吴宗宪 ,  王宇澄

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种RC-IGBT器件背面制作方法，在RC-IGBT器件的正面，通过注入及高温退火来完成背面工艺；通过本发明制作方法可有效改善器件工艺加工难度，降低碎片率，同时改善器件参数Vce，且本发明制作工艺与现有IGBT正面工艺兼容，不增加产品工艺成本。

公开(公告)号：CN105226056B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201510384844.5

申请日：2015-06-30

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： F.希尔勒 ,  A.毛德

IPC: H01L27/07

CPC classification number: G05F1/46 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及一种共源共栅电路。一种电子电路包括第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件包括负载路径和具有分压器抽头的内部分压器。第二半导体器件包括负载路径和控制节点。第一半导体器件和第二半导体器件使其负载路径串联连接。第一半导体器件的分压器抽头耦合到第二半导体器件的控制节点。