低温烧结的含铅系压电陶瓷及其制造方法

    公开(公告)号:CN1006941B

    公开(公告)日:1990-02-21

    申请号:CN88100350

    申请日:1988-02-06

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 低温烧结的含铅系压电陶瓷及其制造方法,属于压电陶瓷及其制造领域,该种陶瓷的典型基本组份为:Pb1-xAx(B1/3′B2/3″)y(B1/3″′B2/3″″)zTiwO3+q1wt%MnO2+q2wt%SiO2+q3wt%Pb3O4+q4wt%Bi2O3+q5wt%B2O3,其中A为镉,B′为镁,B″为铌,B″′为镍,B″″为铌。该种陶瓷材料能在840℃~1000℃下烧成,工艺简单,性能优良,成本降低,可以广泛用来制压电陶瓷蜂鸣器、压电点火器、换能器、滤波器以及各种独石型压电器件。

    NP0型陶瓷电容器介质材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102690118B

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201110069298.8

    申请日:2011-03-22

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种NP0型陶瓷电容器介质材料。该材料包括BRT主相、ZnB助烧剂、第二主族化合物和可加可不加的组分BiTi第二相;其中,BiTi第二相占BRT主相重量的0-9%,ZnB助烧剂占BRT主相重量的2-12%,第二主族化合物占BRT主相重量的0-18%,第二主族化合物的用量不为0。该材料室温介电常数可达45~70,室温介电损耗小于0.05%,在-55~150℃温度区间内容温变化率不超过±30ppm/℃,室温电阻率>1012Ω·cm,适用于工业生产,重复率高,是一项高性能低成本的环保型介电陶瓷材料,在电子通讯、国防军工、航空航天以及勘探领域等应用具有广泛的应用。

    NP0型陶瓷电容器介质材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102690118A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201110069298.8

    申请日:2011-03-22

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种NP0型陶瓷电容器介质材料。该材料包括BRT主相、ZnB助烧剂、第二主族化合物和可加可不加的组分BiTi第二相;其中,BiTi第二相占BRT主相重量的0-9%,ZnB助烧剂占BRT主相重量的2-12%,第二主族化合物占BRT主相重量的0-18%,第二主族化合物的用量不为0。该材料室温介电常数可达45~70,室温介电损耗小于0.05%,在-55~150℃温度区间内容温变化率不超过±30ppm/℃,室温电阻率>1012Ω·cm,适用于工业生产,重复率高,是一项高性能低成本的环保型介电陶瓷材料,在电子通讯、国防军工、航空航天以及勘探领域等应用具有广泛的应用。

    X8R型多层陶瓷电容器介质材料及制备方法

    公开(公告)号:CN101781115B

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN200910077170.9

    申请日:2009-01-19

    Abstract: 本发明涉及应用于电子元器件的陶瓷材料技术领域,具体涉及一种具有高温温度稳定性的X8R型多层陶瓷电容器介质材料及制备方法。本发明材料为:主成分钛酸钡,其摩尔含量为92%~96%;由Nb2O5与Co3O4组成的固溶物、R1的氧化物、R2的氧化物和Bi2O3组成的添加剂,其摩尔含量为4~8%;R1和R2均为稀土族元素。利用本发明的的配方和工艺,可以获得性能优良的的X8R型陶瓷材料,且工艺简单,烧结温度低于1180℃。在我国,介质陶瓷正处在不断发展之中,尤其是像X8R之类的特种介质陶瓷,研究尚未完善,基本尚未实现大规模产业化。本发明所提供的陶瓷材料及其制作方法是一种新的材料体系,具有良好的产业化前景。

    X8R型多层陶瓷电容器介质材料及制备方法

    公开(公告)号:CN101781115A

    公开(公告)日:2010-07-21

    申请号:CN200910077170.9

    申请日:2009-01-19

    Abstract: 本发明涉及应用于电子元器件的陶瓷材料技术领域,具体涉及一种具有高温温度稳定性的X8R型多层陶瓷电容器介质材料及制备方法。本发明材料为:主成分钛酸钡,其摩尔含量为92%~96%;由Nb2O5与Co3O4组成的固溶物、R1的氧化物、R2的氧化物和Bi2O3组成的添加剂,其摩尔含量为4~8%;R1和R2均为稀土族元素。利用本发明的的配方和工艺,可以获得性能优良的的X8R型陶瓷材料,且工艺简单,烧结温度低于1180℃。在我国介质陶瓷正处在不断发展之中,尤其是像X8R之类的特种介质陶瓷,研究尚未完善,基本尚未实现大规模产业化。本发明所提供的陶瓷材料及其制作方法是一种新的材料体系,具有良好的产业化前景。

    一种亚微米晶压电陶瓷材料的制备方法

    公开(公告)号:CN1837143A

    公开(公告)日:2006-09-27

    申请号:CN200610011785.8

    申请日:2006-04-25

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种亚微米晶压电陶瓷材料的制备方法,属于压电材料技术领域。所述方法的起始原料为铋、钪铅的氧化物或无机盐及钛酸四丁脂,通过控制溶液的pH值、温度、浓度及加料顺序,使起始原料与柠檬酸盐的发生络合作用形成溶胶,再经过凝胶化处理工序及预烧工序以制备纳米粉体。该陶瓷材料的成分为钙钛矿型铁电体(1-x)BiScO3-xPbTiO3,并在准同型相界x=0.64处具有压电特征参数d33最大值。本发明通过柠檬酸盐溶胶凝胶法的制备了该体系的纳米陶瓷粉体,使用该纳米粉体制得的陶瓷生片在950~1200℃下烧结,获得的陶瓷片最佳性能达到如下指标:处于准同型相界成分的陶瓷材料,晶粒尺寸在0.2-1.2μm,压电特性参数d33最大值为560pC/N,机电耦合系数Kp为0.66,居里温度为390℃-450℃。

    提高压电超声马达步进分辨率和减少驱动能耗的高低压驱动方法

    公开(公告)号:CN1543052A

    公开(公告)日:2004-11-03

    申请号:CN200310103163.4

    申请日:2003-11-06

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了属于压电超声马达控制技术领域的一种提高压电超声马达步进分辨率的高低压驱动方法。是基于压电超声马达运转后,其维持马达运转的槛电压将比开始驱动马达运转的槛电压低的驱动特点。通过控制在压电超声马达压电陶瓷的均布电极上在不同时间段加不同的驱动电压,用于减小高启动槛电压带来的尾波效应对制动的不利影响。实验结果步进角从普通驱动得到的最小步进角1分15角秒提高到高低压驱动得到的最小步进角23角秒。得到的步进分辨率比使用一般方法所得到的步进分辨率提高2倍以上,同时,该方法引申为大步进和连续控制的情况,使得可以在工作时采用低电压驱动而达到减小能耗的目的。

    基于半波复合棒压电振子的振动转换型超声马达

    公开(公告)号:CN1518204A

    公开(公告)日:2004-08-04

    申请号:CN03100607.8

    申请日:2003-01-17

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 基于半波复合棒压电振子的振动转换型超声马达属于压电超声马达技术领域。其特征在于,它含有:长度在对应于所工作的频率作为一个纵振复合棒压电振子时是半波长的定子,转子,予紧机构,和马达的机械力矩输出机构。定子包含从上而下依次紧叠的:在非波节处的柱面上刻有一组平行斜槽的上定子,压电片,电极片,和下定子。转子包含和上定子上端面摩擦接触的摩擦片及和摩擦片上平面粘合的金属圆盘。所说予紧机构包含压在金属圆盘上端凹面上的橡胶垫圈和弹簧片,以及卡在下轴承上的卡簧。马达的机械力矩输出机构包含贯穿定子和转子中心线的转轴和上下轴承。马达旋转方向由斜槽的取向决定,马达由于采用半波振子的定子而更为紧凑。

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