公开(公告)号：CN102199035B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201110068917.1

申请日：2011-03-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 王晓慧 ,  姚国峰 ,  钟财富 ,  李龙土 ,  桂治轮

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种X9R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法。该材料的主成分为钛酸钡-钛酸铋钠复合物或钛酸钡-钛酸铋钾复合物，其摩尔含量为95％～98％；由Nb2O5以及CaZrO3和SrZrO3中的至少一种组成的二次添加剂，其摩尔含量为2～5％。利用本发明的工艺，可以获得性能优良的介电陶瓷材料，满足EIA X9R标准，且工艺简单，可以在中温下烧结。该材料的室温介电常数为1500～1700，室温损耗为2％左右，室温电阻率≥1013Ω·cm，击穿电压≥5kV/mm，具有良好的产业化前景。

公开(公告)号：CN102199035A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110068917.1

申请日：2011-03-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 王晓慧 ,  姚国峰 ,  钟财富 ,  李龙土 ,  桂治轮

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种X9R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法。该材料的主成分为钛酸钡-钛酸铋钠复合物或钛酸钡-钛酸铋钾复合物，其摩尔含量为95％～98％；由Nb2O5以及CaZrO3和SrZrO3中的至少一种组成的二次添加剂，其摩尔含量为2～5％。利用本发明的工艺，可以获得性能优良的介电陶瓷材料，满足EIA X9R标准，且工艺简单，可以在中温下烧结。该材料的室温介电常数为1500～1700，室温损耗为2％左右，室温电阻率≥1013Ω·cm，击穿电压≥5kV/mm，具有良好的产业化前景。

公开(公告)号：CN102690118B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201110069298.8

申请日：2011-03-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 王晓慧 ,  孙常库 ,  钟财富 ,  李龙土 ,  桂治轮

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明公开了一种NP0型陶瓷电容器介质材料。该材料包括BRT主相、ZnB助烧剂、第二主族化合物和可加可不加的组分BiTi第二相；其中，BiTi第二相占BRT主相重量的0-9％，ZnB助烧剂占BRT主相重量的2-12％，第二主族化合物占BRT主相重量的0-18％，第二主族化合物的用量不为0。该材料室温介电常数可达45～70，室温介电损耗小于0.05％，在-55～150℃温度区间内容温变化率不超过±30ppm/℃，室温电阻率＞1012Ω·cm，适用于工业生产，重复率高，是一项高性能低成本的环保型介电陶瓷材料，在电子通讯、国防军工、航空航天以及勘探领域等应用具有广泛的应用。

公开(公告)号：CN102690118A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201110069298.8

申请日：2011-03-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 王晓慧 ,  孙常库 ,  钟财富 ,  李龙土 ,  桂治轮

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明公开了一种NP0型陶瓷电容器介质材料。该材料包括BRT主相、ZnB助烧剂、第二主族化合物和可加可不加的组分BiTi第二相；其中，BiTi第二相占BRT主相重量的0-9％，ZnB助烧剂占BRT主相重量的2-12％，第二主族化合物占BRT主相重量的0-18％，第二主族化合物的用量不为0。该材料室温介电常数可达45～70，室温介电损耗小于0.05％，在-55～150℃温度区间内容温变化率不超过±30ppm/℃，室温电阻率＞1012Ω·cm，适用于工业生产，重复率高，是一项高性能低成本的环保型介电陶瓷材料，在电子通讯、国防军工、航空航天以及勘探领域等应用具有广泛的应用。