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公开(公告)号：CN110634964A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910920631.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种高效晶硅太阳电池，包括：遂穿氧化层、N型多晶硅、背面钝化层、P型硅、第一金属电极和第二金属电极，所述遂穿氧化层、所述N型多晶硅和所述背面钝化层上均开设有开槽，所述第一金属电极穿过所述开槽与所述P型硅欧姆接触，所述第一金属电极与所述N型多晶硅之间间隔设有背面钝化层，所述第二金属电极穿过所述背面钝化层并与所述N型多晶硅欧姆接触；这样简化电池制备流程，无需多次掩膜和清洗，提高了电池良率和产能，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN109956494A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711408980.9
申请日：2017-12-22
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种少层结构ZnO二维纳米片及其制备方法。该制备方法包括：在ZnO前驱体溶液的表面构建单分子层的油相有机溶液；在一预设温度下进行反应，以在所述油相有机溶液和所述ZnO前驱体溶液的油液界面处生成少层结构ZnO二维纳米片。本发明利用油相有机溶液与ZnO前驱体溶液中的油性有机物之间的侨联作用，外延生长出少层结构ZnO二维纳米片。该方法操作非常简单，并且通过该方法获得的ZnO二维纳米片的微观结构具有类石墨烯结构的褶皱状。
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公开(公告)号：CN106854775B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610991732.0
申请日：2016-11-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了利用水‑空气‑有机溶剂三相界面制备有机半导体小分子单晶薄膜的方法，该方法主要步骤为：1）对容器内壁的表面以及辅助片的表面均作表面疏水处理；2）然后向疏水的容器内注入适当第一溶液，第一溶液形成凸液面，凸液面弧形的边缘与容器内壁之间形成狭缝；将溶有有机小分子的有机溶液加入到狭缝中，将疏水的辅助片缓慢往复插入到第一溶液中，在第一溶液液面张力和辅助片的作用下，有机溶液在第一溶液液面定向铺展，随着机溶剂不断挥发，有机小分子在第一溶液表面沉积形成有机单晶薄膜。在水面张力和外力的作用下就得到大面积、均匀、超薄有机半导体小分子单晶薄膜。
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公开(公告)号：CN109599448A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811528497.9
申请日：2018-12-13
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 苏州大学
IPC: H01L31/0288 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本申请公开了一种异质结太阳电池，包括衬底层、第一掺杂层、第一导电层、第一电极、第二掺杂层、第四导电层和第二电极，其中第一导电层包括位于第一掺杂层背离衬底层的表面的第二导电层和位于第二导电层背离第一掺杂层的表面的第三导电层，第四导电层包括位于第二掺杂层背离衬底层的表面的第五导电层和位于第五导电层背离第二掺杂层的表面的第六导电层，第二导电层和第五导电层均为热蒸发法形成的导电层，不会对第一掺杂层和第二掺杂层造成损伤，进一步的，第二导电层和第五导电层还分别作为形成第三导电层和第六导电层时的缓冲层，因此，消除对第一掺杂层和第二掺杂层造成的损伤。此外，本申请还提供一种具有上述优点的异质结太阳电池制备方法。
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公开(公告)号：CN108342779A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810176116.9
申请日：2018-03-02
Applicant: 苏州大学
IPC: C30B29/54 , C30B7/00 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种有机单晶微米带P-N异质结阵列的生长方法。该方法包括：提供一基底，并对基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列；利用疏水型的单分子层溶液对光刻胶阵列进行修饰，以获得光刻胶模板；将光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入N型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入N型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成N型单晶微米带；将光刻胶模板按竖向放置的方式浸入P型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入P型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成P型单晶微米带，从而形成有机单晶微米带P-N异质结阵列。制备的微米带P-N异质结阵列均为单晶材料，且可以准确定位生长具有上下叠层结构的P-N异质结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108031858A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711215931.3
申请日：2017-11-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种表面形貌可控的钯纳米立方八面体的制备方法。该制备方法包括通过控制钯籽晶的生长速度来获得具有不同表面形貌的钯纳米立方八面体。所述钯籽晶是表面凹陷的钯纳米立方体。本发明制备方法可以得到三种典型形貌的钯纳米立方八面体，制备工艺简单，成熟可靠，易于控制。在水溶液中进行，避免引入有机溶剂污染源从而降低钯纳米催化剂的性能。通过籽晶诱导的两步过程，精确控制钯纳米立方八面体的表面形貌。
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公开(公告)号：CN106206974B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201610803795.9
申请日：2016-09-06
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种热致延迟荧光有机电致发光体系以及使用该体系的发光二极管，本发明第一方面提供了一种新型的发光体系：具有TADF性质的激基复合物作为主体敏化TADF客体发光材料的新型发光体系。第二方面提供了基于本发明第一方面所述的发光体系的具有极其简单器件结构的高效各单色光以及白光有机电致发光二极管器件结构。在器件结构中，其中发光层由电子传输材料和空穴传输材料构建的激基复合物作为主体材料来敏化各色的TADF的客体发光材料构成。本发明的以具有TADF性质的激基复合物作为主体敏化TADF客体发光材料的新型发光体系的有机电致发光二极管可以在极其简单的器件结构下实现低的开启电压、高功率效率以及高的外量子效率等优点。
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公开(公告)号：CN106531897A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611240488.0
申请日：2016-12-29
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H01L51/50 , H01L51/0035 , H01L51/5056 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种基于激基复合物的有机电致发光器件及其制备方法。有机电致发光器件包括：衬底，位于衬底表面的阳极层，位于阳极层上的功能层，位于该功能层上面形成的阴极层，该功能层包括空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层，发光层由空穴传输材料、电子传输材料与荧光发光材料或磷光发光材料三种材料混合构成，空穴传输材料与电子传输材料形成激基复合物。空穴传输材料与电子传输材料形成的激基复合物是发光层的主体材料。荧光发光材料或磷光发光材料为发光峰值大于等于激基复合物发光峰值的荧光发光材料或磷光发光材料。器件结构能够降低载流子注入势垒，降低启亮电压。本发明的有机电致发光器件结构简单，驱动电压低，效率高。
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公开(公告)号：CN102162121A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110047752.X
申请日：2011-02-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种制备形貌和尺寸可控的有机多面体微纳晶体的方法，特别涉及一种能大量、均一地制备有机多面体微纳晶体，且能控制其形貌和尺寸的方法。配制有机化合物的良溶剂溶液后，再在剧烈搅拌条件下，按比例加入到溶有表面活性剂的不良溶剂中；在适宜的温度下陈化生长一段时间，有机分子与不良溶剂间的憎溶作用可以使有机物形成纳米晶核，成核析出以后，分子间靠超分子相互作用和表面活性剂的辅助作用，聚集排列生长，形成微纳晶体。通过控制目标有机物在反应溶液中的溶解度从而控制有机分子成核结晶与生长的速率,进而得到尺寸与形貌可控的单晶有机多面体晶体材料。该方法一步实现了有机多面体晶体材料的制备和控制，简单易行，可批量生产。
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公开(公告)号：CN119997658A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510484396.X
申请日：2025-04-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种透明晶硅太阳能电池及其制备方法，涉及光电转换技术领域。制备方法基于半电池制备，半电池包括晶硅片和位于晶硅片一侧的正电极，制备方法包括如下步骤：利用反应离子刻蚀工艺对晶硅片进行反向微孔刻蚀，以形成包括多个微孔的微孔电池；对微孔电池进行预处理，以在微孔电池一侧形成包覆于正电极的保护层；对微孔电池依次进行酸处理、氧化硅层沉积、有机分子化学修饰和氧化镁沉积，以在微孔电池的微孔的侧壁上依次形成氧化硅钝化层、有机分子修饰层和氧化镁钝化层；在微孔电池远离正电极的一侧沉积背电极，制备获得透明晶硅太阳能电池。本发明制备的透明晶硅太阳能电池具有较高的光电转换效率、光线透过率和制备效率。
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