公开(公告)号：CN103130199B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310021769.7

申请日：2009-08-31

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  孙世姬 ,  权元锺 ,  金兑训 ,  洪承泰

IPC: H01L35/16 ,  C01B19/00 ,  H01L35/22

CPC classification number: H01L35/16 ,  C09K11/881 ,  C09K11/885 ,  H01B1/08 ,  H01B1/10 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L35/18 ,  H01L35/22 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0

公开(公告)号：CN103958408A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201380004056.8

申请日：2013-10-15

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  郑汉纳 ,  林炳圭 ,  金帝映 ,  郑相允 ,  金兑训

IPC: C01B33/113 ,  H01M4/48 ,  H01M10/05

CPC classification number: H01M4/48 ,  C01B33/113 ,  C01B33/181 ,  C01P2002/74 ,  H01M4/483 ,  H01M4/485 ,  H01M10/05 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明提供二次电池的阳极活性材料所用的氧化硅。更具体地，本发明提供二次电池的阳极活性材料中所包含的氧化硅，其中，在该氧化硅的X射线衍射(XRD)图谱中，40°到60°的2θ范围内的峰的最大高度(h2)与15°到40°的2θ范围内的峰的最大高度(h1)的比值满足0.40≤h2∕h1≤1.5。

公开(公告)号：CN103958407A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201380004034.1

申请日：2013-10-15

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 郑相允 ,  郑汉纳 ,  朴哲凞 ,  金贤撤 ,  林炳圭

IPC: C01B33/113 ,  H01M4/48 ,  H01M10/05

CPC classification number: H01B1/08 ,  C01B33/113 ,  C01B33/181 ,  H01M4/131 ,  H01M4/48 ,  H01M4/483 ,  H01M4/485 ,  H01M10/05 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明提供一种氧化硅的制备方法，通过该方法可以控制氧化硅中氧的量。所述氧化硅的制备方法可以包括：将硅和二氧化硅混合并放入反应室内、降低反应室的压力以获得高真空度同时将反应室内的温度升高到反应温度、以及在还原气氛下使硅和二氧化硅的混合物反应。

公开(公告)号：CN102308402B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201080006622.5

申请日：2010-02-04

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/02

CPC classification number: H01L35/16 ,  H01L35/04 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明涉及一种热电元件模块，其具有在一对基板之间交替接合的P型热电材料和N型热电材料。所述热电材料包含热电材料粉末和低熔点金属粉末以预定比率混合的热电混合物粉末。该热电混合物粉末在低于热电材料的熔点的温度下被热处理，当低熔点金属熔化时该热电混合物粉末被形成，同时该热电材料的两端与一对基板接合。此外，本发明还提供了一种这种热电元件的制造方法。

公开(公告)号：CN103562127A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280023369.3

申请日：2012-05-11

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  金兑训 ,  朴德熙 ,  高京门

IPC: C01B19/00 ,  C01G15/00 ,  C01G51/00 ,  C01G30/00 ,  H01L35/16 ,  H01L31/032

CPC classification number: C01G51/006 ,  C01B19/002 ,  C01G53/006 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/20 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/9607 ,  H01L35/18

Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnQz，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种，A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种，X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种，Q为选自O、S、Se和Te中的至少一种，0

公开(公告)号：CN103502145A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021335.0

申请日：2012-05-11

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  金兑训

IPC: C01B19/00 ,  C01G15/00 ,  C01G51/00 ,  C01G30/00 ,  H01L31/042

CPC classification number: C01G51/006 ,  C01B19/002 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/88 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01L31/032 ,  H01L35/18

Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-zXnQ'z，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；Q'为选自O、S和Se中的至少一种；0

公开(公告)号：CN103502144A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280020831.4

申请日：2012-04-26

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  金兑训

IPC: C01B19/00 ,  C01G51/00 ,  C01G15/00 ,  C01G30/00 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/0326 ,  C01B19/002 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  H01L31/032 ,  H01L35/16 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxCo4Sb12-zTez，其中0

公开(公告)号：CN101960627B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200980108016.1

申请日：2009-08-31

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  孙世姬 ,  权元钟 ,  洪承泰 ,  金兑训

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  C01G29/00 ,  C01G3/00 ,  C01B19/00

CPC classification number: H01L35/16 ,  C09K11/881 ,  C09K11/885 ,  H01B1/08 ,  H01B1/10 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L35/18 ,  H01L35/22 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种由下面的化学式表示的新型热电转换材料：Bi1-xCu1-yO1-zTe。在上面的化学式1中：0≤x＜1，0≤y＜1，0≤z＜1且x+y+z＞0。使用该热电转换材料的热电转换器件具有优异的能量转换效率。

公开(公告)号：CN101977846B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200980110360.4

申请日：2009-08-31

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  孙世姬 ,  权元锺 ,  金兑训 ,  洪承泰

IPC: H01L35/16 ,  C01G29/00 ,  C01B19/00 ,  H01L35/18 ,  H01B1/02

CPC classification number: H01L35/16 ,  C09K11/881 ,  C09K11/885 ,  H01B1/08 ,  H01B1/10 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L35/18 ,  H01L35/22 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0＜x＜1，05y＜1且0＜x+y＜1。所述化合物半导体可以代替常规的化合物半导体或者可与常规的化合物半导体一起用作热电转换器件。

公开(公告)号：CN102047486A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119657.7

申请日：2009-05-28

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  李源镐 ,  郑资勋 ,  柳惶灿 ,  金赫

IPC: H01M8/10

CPC classification number: H01M8/1006 ,  H01M8/1023 ,  H01M8/1039 ,  H01M8/1062 ,  H01M8/1065 ,  H01M8/1067 ,  H01M8/1069 ,  H01M8/1076 ,  H01M8/1081 ,  H01M8/109 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明提供了一种用于燃料电池的聚合物电解质膜的制备方法、膜电极组件以及聚合物电解质膜燃料电池。该制备方法包括：(S1)在基板上形成多个凹槽；(S2)在具有多个凹槽的基板的表面上涂覆用于形成电解质膜的离子交换树脂溶液；(S3)干燥离子交换树脂溶液以形成聚合物电解质膜；以及(S4)从基板上分离形成的聚合物电解质膜。由所述方法制备的离子导电电解质膜具有在其表面上形成的凹槽，因此与催化剂的接触面积最大化，从而改善了燃料电池的性能，并且由于电极和电解质膜的粘合得到改善，因而提高了与电极的界面稳定性。