一种一维硒化锡单晶纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN105399061A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201510796786.7

    申请日:2015-11-18

    Inventor: 刘玫 高翾

    Abstract: 本发明公开了一种一维硒化锡单晶纳米线的制备方法,将SnSe粉末置于耐高温容器内,并将其放入耐高温炉管内,将炉管放入真空管式炉内,将附有催化剂的基底材料置于所述炉管内,密闭炉管,使所述炉管内部处于无氧真空状态,之后通入保护气体,并调整管内压强至10-50 Torr;开启加热装置,将所述真空管式炉的中心高温区加热至550-650℃,移动炉管管,使所述放置源的耐高温容器位于中心高温区、附有催化剂的基底位于低温区域,维持上述温度待纳米线生长完成后停止加热得到一维无机纳米线状结构材料。此方法制备的SnSe纳米线的方法简单、实用,产物成分单一,制得的SnSe纳米线的长度、直径容易控制,产量高。

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