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公开(公告)号:CN105431884A
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201480020722.1
申请日:2014-04-10
CPC classification number: G06F17/5009 , G01T1/1647 , G01T1/2985 , G06F17/18 , G06T11/005
Abstract: 一种成像方法和对应的系统(10)解释级联伽马。接收对从对象的靶体积发射的探测到的伽马射线进行描述的事件数据。所述探测到的伽马射线包括从所述靶体积内的放射性核素发射的级联伽马。使用蒙特卡洛(MC)仿真技术对来自所述靶体积的级联伽马发射和湮灭伽马发射以及所述成像系统(10)的符合探测进行仿真,以生成包括湮灭符合事件和级联符合事件的级联数据集。利用使用所述级联数据集中的所述湮灭符合事件与所述级联符合事件之间的关系的对级联符合的校正将所述事件数据重建为所述靶体积的图像表示。
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公开(公告)号:CN105399061A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201510796786.7
申请日:2015-11-18
Abstract: 本发明公开了一种一维硒化锡单晶纳米线的制备方法,将SnSe粉末置于耐高温容器内,并将其放入耐高温炉管内,将炉管放入真空管式炉内,将附有催化剂的基底材料置于所述炉管内,密闭炉管,使所述炉管内部处于无氧真空状态,之后通入保护气体,并调整管内压强至10-50 Torr;开启加热装置,将所述真空管式炉的中心高温区加热至550-650℃,移动炉管管,使所述放置源的耐高温容器位于中心高温区、附有催化剂的基底位于低温区域,维持上述温度待纳米线生长完成后停止加热得到一维无机纳米线状结构材料。此方法制备的SnSe纳米线的方法简单、实用,产物成分单一,制得的SnSe纳米线的长度、直径容易控制,产量高。
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公开(公告)号:CN104254282A
公开(公告)日:2014-12-31
申请号:CN201380009308.6
申请日:2013-02-08
CPC classification number: G06F19/3437 , A61B6/032 , A61B6/037 , A61B6/503 , A61B6/507 , A61B6/5217 , G06F17/5009 , G06F19/00 , G06T7/0016 , G06T2207/10016 , G06T2207/10081 , G06T2207/10084 , G06T2207/10104 , G06T2207/30104 , G16H50/50
Abstract: 一种用于估计参数值的方法包括:利用成像装置采集图像数据;根据图像数据导出参数模型函数;生成N维网格,其中,N是导出的模型函数的一个或多个非线性项的值的数目;给定参数模型函数和非线性参数的指定值,预计算一个或多个非线性项;计算参数模型函数的一个或多个剩余的模型项;以及,显示一个或多个非线性项和剩余的线性模型项中的至少一个。
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公开(公告)号:CN103765513A
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN201280038830.2
申请日:2012-06-11
Applicant: 凯斯西储大学
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/0052 , G11B7/0079 , G11B7/24027 , G11B7/24056 , G11B7/24065 , G11B7/242 , G11B7/26 , G11B2007/0013 , G11B2007/240025 , G11B2007/24624
Abstract: 光学信息存储介质包括多层膜,所述多层膜包括多个挤出的交替的活性数据储存层和分开所述活性数据储存层的缓冲层。所述活性数据储存层和缓冲层的厚度允许所述活性数据储存层可通过永久性或可逆的一光子或多光子、线性、非线性或阈值光学写入方法写入,以在所述活性数据储存层中限定可通过光学读取设备读取的数据体元。
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公开(公告)号:CN103379924A
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201180049086.1
申请日:2011-08-22
CPC classification number: B29C67/0066 , A61L27/50 , A61L27/56 , A61L27/60 , B29C64/135 , B33Y30/00 , B33Y50/00 , B33Y80/00 , G02B26/0833
Abstract: 一种用于添加制造待植入患者中的可再吸收植入物的方法,所述方法包括提供包含液体可光聚合材料(其聚合后为可再吸收的)和引发剂的树脂。所述方法还包括启动添加制造设备以将一定量的树脂曝光,从而至少部分地固化所曝光的量的树脂以形成可再吸收的植入物的层,以及启动添加制造设备将至少一些另外量的树脂曝光,从而至少部分地固化所曝光的另外量的树脂以形成可再吸收的植入物的另外层以及至少部分地过固化先前固化的层从而产生在先前固化的层和所述另外层之间的至少一些层间结合。
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