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公开(公告)号：CN103299368B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280004724.2
申请日：2012-01-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G11B7/1263 , G11B7/005 , G11B7/007 , G11B7/126 , G11B7/1267 , G11B7/1392
CPC classification number: G11B7/1263 , G11B7/1376 , G11B7/24065 , G11B7/268 , G11B2007/0006 , G11B2007/0013
Abstract: 一种使用能够进行超分辨率再现的光盘（6）的光盘装置，该光盘装置具有：半导体激光器（1）；激光器驱动电路（21），其向半导体激光器（1）提供驱动电流；受光元件（8），其检测来自光盘（6）的返回光，取得记录数据的再现信号；以及发光光量控制单元（22），其对基于激光器驱动电路（21）的半导体激光器（1）的发光光量进行控制，使得在光盘（6）的信息记录层形成的会聚光斑的峰值强度保持在得到超分辨率效应的峰值强度以上。发光光量控制单元（22）根据光盘（1）的信息记录层处的会聚光斑的峰值强度的下降率D和得到预定再现性能的发光光量的下限值（Pld_L），对基于激光器驱动电路（21）的半导体激光器（1）的发光光量进行控制，其中，所述下降率D是根据与假定的盘片倾斜角和光盘（1）的光透射层厚度对应的彗差求出的。
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公开(公告)号：CN101256790B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710140748.1
申请日：2007-08-09
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B7/005 , G11B7/24062 , G11B7/24065 , G11B7/252 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明提供一种光信息记录媒体以及信息再生方法，所要解决的技术问题是：现有的超分辨为了实现记录数据的高密度化而减小超分辨区域，因此超分辨信号减小。为此，本发明通过实现利用超分辨在记录标记部分和空白部分形成相反的光学响应的盘结构，使信号振幅增大。
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公开(公告)号：CN101211605B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710006232.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B7/2437 , G11B7/0903 , G11B7/24065 , G11B7/24079 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 提供一种对3维凹坑选择方式盘可以实现窄道化的媒体构造和与之对应的光盘装置。在轨道引导沟之间设置多个数据凹坑串，为成只在数据凹坑串内形成相位改变记录膜的盘构造。通过适宜地设定空白部和标记部的反射率，实现常规解像信号消除，防止数据交调失真和推挽信号的劣化。利用在从主光束的推挽信号和子光束的推挽信号中选择信号后读出摆动地址的结构的光盘装置来应对本发明的光盘媒体。
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公开(公告)号：CN101256790A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710140748.1
申请日：2007-08-09
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B7/005 , G11B7/24062 , G11B7/24065 , G11B7/252 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明提供一种光信息记录媒体以及信息再生方法，所要解决的技术问题是：现有的超分辨为了实现记录数据的高密度化而减小超分辨区域，因此超分辨信号减小。为此，本发明通过实现利用超分辨在记录标记部分和空白部分形成相反的光学响应的盘结构，使信号振幅增大。
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公开(公告)号：CN100411032C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200480023616.5
申请日：2004-08-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24065
Abstract: 一种光学记录介质(10)，设有支撑基板(11)和透光层(12)，以及，在透光层(12)与支撑基板(11)之间进一步具有电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、电介质层(32)、光吸收层(22)和电介质层(33)。第二电介质层(32)包含ZnS或者ZnS和SiO2的混合物作为主要成分，并且在其中将ZnS占ZnS和SiO2总量的比设定成摩尔百分比60%至100%。因为第二电介质层(32)的材料具备较高的硬度和柔软性两者，除此之外还具有较高的热传导率，能达到热传导率与层硬度的良好平衡，所以，可以用精确形状形成精细的记录标记。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1836280A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023616.5
申请日：2004-08-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24065
Abstract: 一种光学记录介质(10)，设有支撑基板(11)和透光层(12)，以及，在透光层(12)与支撑基板(11)之间进一步具有电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、电介质层(32)、光吸收层(22)和电介质层(33)。第二电介质层(32)包含ZnS或者ZnS和SiO2的混合物作为主要成分，并且在其中将ZnS占ZnS和SiO2总量的比设定成摩尔百分比60％至100％。因为第二电介质层(32)的材料具备较高的硬度和柔软性两者，除此之外还具有较高的热传导率，能达到热传导率与层硬度的良好平衡，所以，可以用精确形状形成精细的记录标记。
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公开(公告)号：CN104011796B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201280061322.6
申请日：2012-12-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11B7/005 , G11B7/24085
CPC classification number: G11B7/24085 , G11B7/005 , G11B7/00736 , G11B7/0079 , G11B7/1374 , G11B7/24065 , G11B2220/2541 , G11B2220/2595
Abstract: 提高可大容量化的超分辨率光信息记录介质的可靠性。本发明所涉及的光信息记录介质(11)由形成为最小标记长度和最小间隔长度的平均长度Tm[nm]比光学系统分辨率极限短的预置坑群来记录内容，作为用于再生内容的再生速度，记录了指定2×(4.92×Tm/149)[m/s]以上、低于(10000/60)×2×π×(24/1000)[m/s]的范围的再生速度的再生速度信息。
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公开(公告)号：CN105264602A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480031827.7
申请日：2014-04-08
Applicant: 夏普株式会社 , 忆术控股股份有限公司
IPC: G11B7/007 , G11B7/24085
CPC classification number: G11B7/007 , G11B7/005 , G11B7/0052 , G11B7/00745 , G11B7/0079 , G11B7/013 , G11B7/1372 , G11B7/24 , G11B7/24065 , G11B7/24079 , G11B7/24085 , G11B7/243 , G11B2007/0133
Abstract: 在将根据从第1坑点串的最长坑点(P1max)或最长间隙(S1max)获得的反射光量而算出的反射率设为第1反射率、将根据从第2坑点串的最长坑点(P2max)或最长间隙(S2max)获得的反射光量而算出的反射率设为第2反射率的情况下，第1坑点串被形成为第1反射率与第2反射率大致相同。
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公开(公告)号：CN102013261B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201010277928.6
申请日：2010-09-08
Applicant: 汤姆森特许公司
IPC: G11B7/244
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24065 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供了一种光学存储介质。该光学存储介质包括：衬底层(52)；具有凹坑结构的只读数据层(52a)，设置在衬底层(52)上；以及具有超分辨率结构的非线性层(54，56)，设置在数据层(52a)之上。该超分辨率结构包括半导体材料和电介质材料(55)的粒状杂质，其中该半导体材料在用激光束照射时具有增大的反射率，并且其中该电介质材料(55)布置为具有5nm以下的厚度的电介质层(55)。电介质材料有利地由布置在第一和第二非线性层(54，56)之间的氮化物材料例如GeN的不均匀层构成。
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公开(公告)号：CN103052986B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201180037714.4
申请日：2011-07-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G11B7/24 , G11B7/24038
CPC classification number: G11B7/24 , G11B7/0908 , G11B7/24038 , G11B7/24056 , G11B7/24065
Abstract: 光信息记录介质（1）包括：至少1层的记录层（11）；保护层（13），其使会聚后的激光束透过；以及超分辨功能层（12），其至少在被照射会聚后的激光束的期间，光学特性在比由会聚光学系统（25）的光学性能和激光束（26）的波长决定的衍射极限小的局部区域发生变化。保护层（13）的光入射面与记录层（11）之间的厚度（K）的上限是0.083mm。
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