公开(公告)号：CN104600073A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201310526021.2

申请日：2013-10-30

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 郭振强 ,  罗啸 ,  陈瑜 ,  马斌 ,  陈华伦

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明公开了一种OTP器件，单元结构包括MOS晶体管和双极型晶体管；双极型晶体管形成于MOS晶体管的源区中，且双极型晶体管的发射区和集电区都由形成于MOS晶体管的源区中且和源区掺杂类型相反的掺杂区组成，双极型晶体管的基区由MOS晶体管的源区组成。通过双极型晶体管的集电区和基区之间产生热击穿来实现单元结构的编程。本发明还公开了一种OTP器件的制造方法。本发明能减少器件面积从而提高器件的集成度，能够提高与CMOS工艺的兼容性。

公开(公告)号：CN103175757B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201110433485.X

申请日：2011-12-21

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 刘剑 ,  熊涛 ,  孙尧 ,  罗啸 ,  陈瑜 ,  陈华伦

IPC: G01N13/00

Abstract: 本发明公开了一种测定表面沟道PMOS多晶硅栅硼向金属或金属硅化物扩散的方法，利用基准MOSFET工艺的过程和参数，制备第一NMOS场效应管与第一表面沟道PMOS场效应管；利用降低热过程的MOSFET工艺，制备第二NMOS场效应管与第二表面沟道PMOS场效应管；比较第一NMOS场效应管的阈值电压与第二NMOS场效应管的阈值电压之差Delta VTN及第一表面沟道PMOS场效应管的阈值电压与第二表面沟道PMOS场效应管的阈值电压之差Delta VTP的绝对值，如果Delta VTP的绝对值小于等于Delta VTN的绝对值，则基准MOSFET工艺表面沟道PMOS场效应管没有硼扩散；如果Delta VTP的绝对值远大于Delta VTN的绝对值，则基准MOSFET工艺表面沟道PMOS场效应管有明显的硼扩散。该方法能电性能量化评估基准MOSFET工艺表面沟道PMOS多晶硅的硼扩散对器件的影响。

公开(公告)号：CN102983161B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201110258142.4

申请日：2011-09-02

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 刘剑 ,  段文婷 ,  孙尧 ,  陈瑜 ,  陈华伦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种非埋层的双深N型阱高压隔离N型LDMOS，P型硅衬底上具有第一深N阱，第一深N阱中具有P阱和多个隔离结构；第一深N阱上为栅极，栅极一端位于P阱上，另一端位于隔离结构上；第一深N阱中具有N型重掺杂区，N型重掺杂区为LDMOS器件的漏极，P阱中具有N型重掺杂区，N型重掺杂区为LDMOS器件的源极；P阱下方具有一个第二深N型阱，N型重掺杂区下方具有一个第三深N型阱，第二、第三深N型阱的深度和注入浓度大于第一深N阱的深度和注入浓度。本发明还公开一种N型LDMOS器件的制造方法。本发明使垂直方向上的PNP的穿通和横向漏端扩展区耐压与比导通电阻的优化分别控制，工艺简单灵活，容易实现，相比埋层+外延的工艺方法成本大幅下降。

公开(公告)号：CN104347370A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310312415.8

申请日：2013-07-23

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 陈瑜 ,  马斌 ,  陈华伦 ,  罗啸 ,  郭振强

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L21/76895

Abstract: 本发明公开了一种提高PMOS器件栅极的负偏压温度稳定性方法，包括步骤：形成栅氧化层和栅极多晶硅并注入硼离子；在栅极多晶硅表面形成金属硅化钨层；进行全面氟离子注入；通过热处理将氟离子扩散到栅极多晶硅中。本发明能减少栅极的硅和氧化硅界面处的应力、以及减少由硅氢键的存在而产生的界面态，能够增加硅和氧化硅界面的稳定性、有效减小PMOS器件的阈值电压漂移，提高PMOS器件栅极的负偏压温度稳定性。

公开(公告)号：CN104332443A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410604580.5

申请日：2014-10-30

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 熊伟 ,  张可钢 ,  陈华伦 ,  钱文生

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/8239

Abstract: 本发明公开了一种SONOS器件的工艺方法，包含步骤为：对硅片上SONOS器件进行整体N型深阱注入；利用P阱的掩膜版对5V NMOS器件的进行P阱注入，同时进行选择管的阱及阈值电压调节注入；采用隧道注入的掩膜版对SONOS器件区域同时进行P阱和阈值电压调节注入以使其形成耗尽管；采用炉管工艺生长ONO层；采用ONO层掩膜版刻蚀掉SONOS区域以外的ONO层；进入炉管生长栅氧化层，淀积多晶硅，定义形成SONOS器件的栅极及选择管的栅极；采用管芯区LDD注入的掩膜版，对SONOS器件进行LDD注入，并进行防止源漏穿通的HALO结构注入；采用掩膜版对SONOS器件进行源、漏注入。本发明对MOS器件、SONOS器件及选择管器件分开进行阱及阈值电压调节的注入，使得某一器件的注入不受其他器件注入的影响。

公开(公告)号：CN102403273B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201010279848.4

申请日：2010-09-14

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 陈瑜 ,  刘剑 ,  陈华伦

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种在SONOS制造工艺中生长厚栅极氧化层的方法；包括以下步骤：步骤一、注入形成高压金属氧化物半导体器件，推阱和退火及场区氧化；步骤二、注入形成用于逻辑电路的低压CMOS阱及开启电压调节注入；步骤三、注入和腐蚀SONOS非挥发性存储器沟道窗口；步骤四、生长ON薄膜；步骤五、将高压器件栅极区域的ON薄膜去除，露出硅衬底；步骤六、氧化ON薄膜形成ONO薄膜，并生长高压栅极氧化层；步骤七、将低压CMOS区域的ONO薄膜去除，露出硅衬底，同时在刻蚀过程中利用光刻胶保护高压栅极氧化层；步骤八、生长低压栅极氧化层。本发明有效的避免高压栅极氧化过程中低压器件及非挥发性存储器器件区域的硅消耗，从而有效减少电特性及可靠性性能变化。

公开(公告)号：CN104217999A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310207822.2

申请日：2013-05-30

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 郭振强 ,  陈瑜 ,  罗啸 ,  马斌 ,  陈华伦

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823828 ,  H01L21/28017 ,  H01L21/823857

Abstract: 本发明公开了一种CMOS器件的制造方法，包括步骤：形成浅沟槽场氧并隔离出有源区。形成CMOS器件的阱区。在硅衬底的正面依次生长栅氧化层、多晶硅层并对多晶硅层进行掺杂。依次沉积金属硅化钨层和顶层氮化硅层。采用光刻工艺定义出栅极图形，采用较重聚合物方式刻蚀依次对顶层氮化硅层、金属硅化钨层进行干法刻蚀，对多晶硅层进行干法刻蚀工艺形成栅极结构。形成仅覆盖在顶层氮化硅层、金属硅化钨层的侧面的第一介质层侧墙。本发明能够提高CMOS器件的自对准接触孔和栅极之间的击穿电压，提高器件的性能。

公开(公告)号：CN104124209A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201310151384.2

申请日：2013-04-27

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 郭振强 ,  陈瑜 ,  罗啸 ,  赵阶喜 ,  马斌 ,  陈华伦

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/82385

Abstract: 本发明公开了一种CMOS器件的制造方法，包括步骤：形成浅沟槽场氧并隔离出有源区。形成CMOS器件的阱区。在硅衬底的正面依次生长栅氧化层、多晶硅层并对多晶硅层进行掺杂。依次沉积金属硅化钨层和顶层氮化硅层。采用光刻工艺定义出栅极图形，依次对顶层氮化硅层、金属硅化钨层和多晶硅层进行干法刻蚀工艺形成栅极结构，金属硅化钨层的刻蚀采用干法异向刻蚀加干法同向刻蚀。本发明能够使得刻蚀后的栅极中金属硅化钨会相对于顶层氮化硅层和多晶硅层会向栅极中心凹陷一段距离，能使后续在金属硅化钨处形成的侧墙的厚度增加，能够提高CMOS器件的自对准接触孔和栅极之间的击穿电压，提高器件的性能。

公开(公告)号：CN103809303A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201210439422.X

申请日：2012-11-06

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 陈瑜 ,  罗啸 ,  王玉杰 ,  陈华伦

IPC: G02F1/015

Abstract: 本发明公开了一种可调光分路器，包括：N+半导体层；形成于N+半导体层上的脊形波导区，该脊形波导区由无掺杂硅层光刻刻蚀后形成；在脊形波导区和N+半导体层表面形成有金属层，金属层和N+半导体层接触形成肖特基二极管，该肖特基二极管将脊形波导区包围并通过肖特基二极管对脊形波导区进行载流子注入实现脊形波导区折射率的调节。本发明还公开了一种可调光分路器的制造方法。本发明能减少器件的结电容、减少器件调制时的反向恢复时间，提高器件的调制速度。

公开(公告)号：CN108878439A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810695760.7

申请日：2018-06-29

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 张可钢 ,  陈华伦

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种SONOS非挥发性存储器，选择管的第二栅极结构和存储管的第一栅极结构之间隔离有栅间隔离介质层，栅间隔离介质层自对准形成于第一栅极结构的第一侧面，第二栅极结构自对准形成于所述栅间隔离介质层的第一侧面；两个相邻单元结构组成的单元结构组合中两个第一栅极结构形成区域由第一窗口定义，第一栅极结构的两侧面由自对准形成于第一窗口的内侧面第一顶部氮化硅层自对准定义，单元结构组合的第一栅极结构的第二侧面自对准形成有第一氮化硅侧墙且第一栅极结构的第二侧面之间的接触孔的底部区域由两个第一氮化硅侧墙自对准的定义。本发明公开了一种SONOS非挥发性存储器的制造方法。本发明能有效减少存储单元结构的面积。