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公开(公告)号:CN103570620B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201210364372.3
申请日:2012-09-26
Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
IPC: C07D221/18 , C07D401/14 , C07D401/10 , C07D401/04 , H01L51/54 , H01L51/50
Abstract: 本发明公开了一种1,12-亚氨基苯并[c]菲类化合物,具有如式(Ⅰ)所示的结构式,其中,Ar1,Ar2,Ar3分别独立地选自C6-C50芳香基、取代C6-C50芳香基或C1-C20烷基。该化合物可用作有机电致发光器件的荧光发光层和磷光发光层的主体材料,可以使有机电致发光器件的亮度和发光效率提高,并降低其驱动电压,延长有机电致发光器件的寿命。
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公开(公告)号:CN105590945A
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201410651133.5
申请日:2014-11-17
Applicant: 北京维信诺科技有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种含有量子点的有机发光显示器件、显示方法及其应用。其中含有量子点的有机发光显示器件包括:发光器件,用于发出作为背光源的光;蓝色上转换层,用于将所述发光器件发出的光中的红光和/或绿光转换为蓝光,并同时允许发光器件发出的光中的蓝光透过;绿色量子点层,用于将所述发光器件发出的蓝光进行转换得到绿光,并同时允许发光器件发出的光中的绿光透过;红色量子点层,用于将所述发光器件发出的蓝光和/或绿光进行转换得到红光,并同时允许发光器件发出的光中的红光透过。本发明充分利用了背光源所发出的光能,提高了光的利用效率、降低了显示器的功耗,并且延长了显示器的寿命,同时还可以提高显示的色域。
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公开(公告)号:CN103579282B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201310456024.3
申请日:2013-09-29
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明所述的一种多通道集成光耦器件,光耦单元设置在基板同侧,无需增大光耦单元面积就可实现有机电致发光部件和有机光敏部件的一一对应,且各独立光耦无需单独封装,集成度高;各光耦单元之间设置有不透光的隔离柱,相邻光耦单元之间无光信号串扰问题,抗干扰能力强;各部件为有机材料制成,使得所述多通道集成光耦器件具备柔性,轻、薄、体积小,适用范围广。本发明所述的一种多通道集成光耦器件的制备方法,采用有机薄膜器件制备工艺,将各光耦单元设置在基板同侧,集成度高,而且各光耦单元之间设置有不透光的隔离柱,相邻光耦单元之间无光信号串扰问题,抗干扰能力强且采用现有有机薄膜器件的生产工艺,工艺成熟、制备成本低。
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公开(公告)号:CN102945693B
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201210429478.7
申请日:2012-10-31
Applicant: 清华大学 , 昆山维信诺显示技术有限公司 , 北京维信诺科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种通过卤化ITO以提高ITO透明导电薄膜表面功函数的方法,及该种ITO透明导电薄膜在OLED中的应用。所述方法是将过氧化物在紫外光照下产生羟基自由基,有机卤代化合物受羟基自由基攻击,卤素原子相继被羟基亲核取代,卤素自由基在ITO表面形成In-X键。所述混合溶液中的过氧化物加速了In-X键的形成,紫外光处理时间短,降低了制备成本;本发明在常温常压下即可进行反应,反应条件温和,工艺简单。制备的ITO透明导电薄膜表面功函数高。运用所述ITO透明导电薄膜的OLED,可以有效的实现空穴注入,而无需引入空穴注入层,不但简化了器件结构、降低了成本,而且还提高器件的性能。
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公开(公告)号:CN103570628B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201210264024.9
申请日:2012-07-27
Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
IPC: C07D239/26 , C07D403/14 , C07D239/42 , C07D241/12 , C07D241/20 , C07D251/24 , C07D251/18 , C07D251/22 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 本发明提供了一种新型化合物,其结构用式(I)表示。其中R1至R5分别独立选自C1~C20的脂肪族烷基或C6~C20的芳香族基团;Ar选自C4~C30的芳环、C4~C30的含N杂环、C4~C30的稠合杂环芳烃、C4~C30的芳氨基或C4~C30的芳氧基;n为1或2;A1至A4为N原子或C原子;当A1、A3同时为N原子时,A2和A4为C原子;或者,当A1、A4同时为N原子时,A2和A3为C原子;或者,当A2、A4同时为N原子时,A1和A3为C原子;或者,当A3、A4同时为N原子时,A1和A2为C原子;或者,A1、A3、A4同时为N原子时,A2为C原子;L为单键或C6~C10的芳环或C4~C10的含N杂环。该类化合物在有机电致发光器件中用作电子传输层材料或发光主体材料。
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公开(公告)号:CN101882667B
公开(公告)日:2015-07-15
申请号:CN201010205619.8
申请日:2010-06-22
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件,其结构中顺次包括基板,设置在基板上的第一复合电极功能层,设置在第一复合电极功能层上的有机功能层,设置在有机功能层上的第二电极层,第一复合电极功能层结构中包括至少两部分,其中一部分为第一电极层,另一部分为高导电率金属复合层,这两部分中至少有一层为网格状结构,上述该高导电率金属复合层由至少一层材料构成,材料选自金属、合金或金属混合物。本发明一方面降低了第一电极的表面电阻,另一方面原本以波导形式损失的光,由于受到绝缘层及网格构造层对光线方向的调节,使得原本损失掉的光线,也有部分从透明电极方向发射出来,提高了出光侧的出光量。
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公开(公告)号:CN104513661A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201310460233.5
申请日:2013-09-30
Applicant: 北京鼎材科技有限公司 , 北京维信诺科技有限公司 , 清华大学
IPC: C09K11/06 , C07D209/86 , C07D405/04 , C07D409/04 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一类如式(I)所示的一种有机发光材料,其中:Ar1-Ar9独立选自H、C6-C30取代或未取代的芳烃基团,C6-C30取代或未取代的稠环芳烃基团,C6-C30取代或未取代的稠杂环基团,或五元、六元的杂环或取代杂环,C6-C30取代或未取代的三芳胺基团,或芳醚基团,C1-C12取代或未取代的脂肪族烷基基团中的一种,Ar1-Ar8不同时为H。本发明还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用,尤其是作为OLED器件中的空穴注入材料、空穴传输层材料、荧光主体材料或发光材料。
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公开(公告)号:CN102372693B
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201010258632.X
申请日:2010-08-20
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司
IPC: C07D401/14 , H01L51/54 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供了一种新型化合物,该化合物结构对称,制备工艺简单,具有较高的稳定性和高的载流子迁移率,可用于电致发光元件的电子传输层。所应用的器件能较明显的降低驱动电压,提高电流效率。该材料结构通式如下式所示,其中,母核选自2,7或者3,6-二吡啶基取代的N取代咔唑;端基Ar选自苯基基团、联苯基基团或者萘基基团;R为碳原子数目从1-6的烷基或者苯基。
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公开(公告)号:CN102532031B
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201010609542.0
申请日:2010-12-17
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司
IPC: C07D235/06 , C07D235/08 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种有机材料和包含该材料的有机电致发光器件。该材料的结构通式如下式所示,其中,Ar1和Ar2选自碳原子数为6至30的亚稠杂环芳烃;Ar1和Ar2可以相同,也可以不同;Ar1和Ar2不同时为氢。本发明的有机材料在有机电致发光器件中可用作电子传输层。
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公开(公告)号:CN103887393A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201410081143.X
申请日:2014-03-06
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/38 , H01L51/5206 , H01L51/5209 , H01L51/5221 , H01L51/5225
Abstract: 本发明所述的发光晶体管及发光显示装置,其至少包括基底、漏电极、源电极、半导体层、栅极绝缘层和与栅极绝缘层相连的栅极层,栅极绝缘层中包括可极化并且可发光的材料,优选为发光离子型配合物。该晶体管通过栅极与源极之间的电压,在栅极绝缘层与半导体层界面处感应出载流子,在源/漏电极层中的漏极和源极之间产生导电沟道的同时,形成通过栅极绝缘层的电流并使栅极绝缘层发光。该发光晶体管改变了传统发光晶体管工作电压高、结构复杂或者只有线发光的缺点,通过栅绝缘层发光实现了晶体管的低工作电压和面发光。
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