公开(公告)号：CN101777586B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010023067.9

申请日：2010-01-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  张世理 ,  葛亮 ,  仇志军

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66643 ,  H01L29/7839

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种混合结型源漏的场效应晶体管及其制备方法。该混合结型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、侧墙、具有混合结的源区和漏区，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。同具有肖特基结的金属源漏场效应晶体管相比，本发明所述的场效应晶体管具有较低的漏电流特性，同时该种场效应晶体管的源漏串联电阻比PN结型源漏场效应晶体管的源漏串联电阻小。

公开(公告)号：CN102169830A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110063760.3

申请日：2011-03-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  张世理 ,  朱志炜 ,  张卫

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种金属半导体化合物薄膜的制备方法，该方法通过在PVD沉积金属层的过程中，将靶材的一部分离化成离子状态，使其产生金属离子；并在半导体衬底上加衬底偏压，使得所述金属离子加速向所述半导体衬底运动，并进入所述半导体衬底，从而使得最终形成的金属半导体化合物薄膜的厚度加厚；并且通过控制加在所述半导体衬底上的衬底偏压的大小，可调节进入所述半导体衬底中的金属离子的数量，从而调整最终形成的金属半导体化合物薄膜的厚度。

公开(公告)号：CN102130011A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010613768.8

申请日：2010-12-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  罗军 ,  朴颖华 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7839 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66848

Abstract: 一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成堆叠栅；在半导体衬底表面形成绝缘层；在绝缘层表面形成消耗层；刻蚀绝缘层和消耗层；在半导体衬底表面形成金属层；热退火；除去金属层。本发明的优点在于，所采用的侧墙的上部外侧部分是由能够与金属层发生反应的材料构成的，因此能够在退火过程中吸收侧墙两侧金属层，避免其向半导体层中扩散，保证能够形成纵向超薄、均匀且横向生长可控且受到抑制的肖特基结。

公开(公告)号：CN102044433A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200910196982.5

申请日：2009-10-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  张世理 ,  仇志军

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明属微电子领域，涉及一种混合源漏场效应晶体管及其制备方法。该晶体管可以用来作为集成电路的基本单元。本发明提供的晶体管具有混合源漏，源极是由常规的pn结构成，漏极为肖特基结。同时，源极和漏极可以互换，即源极为肖特基结，而漏极是常规的pn结。当源漏互换时，器件所表现出来的电性行为不同。同常规的pn结相比，本发明具有低的寄生电阻和良好的按比例缩小的特性。本发明能缓解若干与纯粹肖特基源漏晶体管有关的潜在问题。而且，本发明混合源漏晶体管源漏结构适合不同电路模块中晶体管的要求，该源漏结构的易互换性能增加电路设计的灵活性。

公开(公告)号：CN102031501A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910196674.2

申请日：2009-09-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  孙清清 ,  张世理

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明涉及用于半导体器件制备的薄膜淀积技术。具体涉及一种利用原子层淀积技术在衬底上选择性生长硅，锗硅及其衍生物薄膜的方法。本发明针对由半导体晶片和不同密度图形的氧化物薄膜组成的衬底，在生长过程中，将衬底加热到预定温度，利用原子层淀积的方法在表面生长薄膜，通过在原子层淀积的反应前体中掺杂HCl或者在工艺过程中独立的引入HCl的脉冲来实现在氧化层上薄膜生长的抑制效应。本发明在选定的区域内淀积薄膜，而不在其他不需要的地方淀积；能够解决传统选择性淀积生长在不同密度图形的表面的负载效应的薄膜淀积方式；不需要使用传统的光刻技术，以及因为使用传统的光刻技术而需要引入的后续薄膜刻蚀工艺。

公开(公告)号：CN101777562A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010022877.2

申请日：2010-01-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  张世理

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521

Abstract: 本发明提供一种浮栅非挥发半导体存储器和制造方法。所述浮栅非挥发半导体存储器包括半导体衬底、源极、漏极、第一绝缘层、第一多晶硅层、第二绝缘层、第二多晶硅层、保护层及侧墙。所述源极、漏极位于所述衬底上，所述第一绝缘层位于所述衬底上的源极、漏极区域对应的以外区域。所述第一多晶硅层位于所述第一绝缘层上，以形成浮栅，所述第二绝缘层位于所述第一多晶硅层上，所述第二多晶硅层位于所述第二绝缘层上，以形成控制栅及字线。所述侧墙位于所述字线两侧，所述保护层位于所述第二多晶硅上。所述漏极区域的半导体结为P-N结，所述源极区域的半导体结为金属半导体结。