公开(公告)号：CN101101879A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710122884.8

申请日：2007-07-06

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  下井田良雄 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。制备由半导体材料制成的半导体衬底，并在半导体衬底上形成异质半导体区，以在异质半导体区和半导体衬底之间的界面处形成异质结。异质半导体区由带隙与该半导体材料的带隙不同的半导体材料制成，异质半导体区的一部分包括膜厚薄于异质半导体区的其它部分的膜厚的膜厚控制部分。通过以等于膜厚控制部分的膜厚的厚度氧化异质半导体区，形成与异质结相邻的栅绝缘膜。在栅绝缘膜上形成栅电极。这使得可以制造包括具有较低的导通电阻以及较高的绝缘特性和可靠性的栅绝缘膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101043054A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710086928.6

申请日：2007-03-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  林哲也 ,  田中秀明 ,  山上滋春 ,  星正胜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。减小具有异质结的半导体装置的场效应晶体管的阻抗。形成从多晶硅异质半导体区(与形成在SiC的基底区上的漏区形成异质结)的表面延伸到漏区的沟槽。此外，在远离沟槽的侧壁的位置形成栅绝缘膜、异质半导体区以及漏区相接处的场效应晶体管的驱动点。

公开(公告)号：CN202396078U

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201120326564.6

申请日：2011-08-31

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 井上志保 ,  堀江英明 ,  下井田良雄 ,  三木文博

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H01M10/48

Abstract: 本实用新型提供一种配线基板、电池堆及双极型二次电池，其可以使端子部向集电体的安装位置在多个单电池之间相同。具有：绝缘基板(26)，其由梳状部位(21f)和与该梳状部位(21f)连接的一个柄(21g)构成，该梳状部位由多个齿(21a、21b、21c、21d)和将这多个齿集束而成为一体的主干(21e)构成；多条配线(22、23、24、25)，其由导电材料形成在该绝缘基板(26)上，分别从上述多个齿的各自的前端延伸至上述柄的端部，使与上述多个齿的前端接触的导电体的电位传导至上述柄的端部；以及端子部(22a、23a、24a、25a)，其使导电材料在上述多个齿的前端露出，使上述多个齿的长度不同。

公开(公告)号：CN202487684U

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201120326575.4

申请日：2011-08-31

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 井上志保 ,  堀江英明 ,  下井田良雄

IPC: H01M2/20 ,  H01M2/26 ,  H01M10/48 ,  H05K1/11

Abstract: 本实用新型提供一种配线基板、电池堆及双极型二次电池，其可以使端子部向集电体的安装位置在多个单电池之间相同。具有：绝缘基板(26)，其由梳状部位(21f)和与其连接的一个柄(21g)构成，该梳状部位由多个齿(21a、21b、21c、21d)和将这多个齿集束而成为一体的主干(21e)构成；多条配线(22、23、24、25)，其由导电材料形成在该绝缘基板(26)上，分别从上述多个齿的各自的前端延伸至上述柄的端部，使与上述多个齿的前端接触的导电体的电位传导至上述柄的端部；以及端子部(22a、23a、24a、25a)，其使导电材料向上述多个齿的前端露出，使上述多个端子部与集电体的粘接力不同。