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公开(公告)号：CN100455555C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200480033083.9
申请日：2004-11-04
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 大野博基
IPC: C07C17/389 , C07C19/08
Abstract: 本发明涉及使含有选自各自在分子内具有两个碳原子的不饱和化合物和各自在分子内具有两个碳原子的饱和含氯化合物中的至少一种化合物的粗1，1-二氟乙烷与沸石和/或碳质吸附剂接触，或使含有氟化氢和作为杂质的选自各自在分子内具有两个碳原子的不饱和化合物中的至少一种化合物的粗1，1-二氟乙烷与氟化催化剂在气相状态下接触。可以在工业上以有利的方式生产可用作低温制冷剂或蚀刻气体的高纯度1，1-二氟乙烷。
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公开(公告)号：CN101248006A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200680031146.6
申请日：2006-08-25
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C01B21/083
Abstract: 本发明的三氟化氮的制造方法，其特征在于，将氟气和氨气供给到管状反应器中，使其在稀释气体的存在下、气相中、无催化剂条件下进行反应，生成主要含有三氟化氮的气体生成物和主要含有氟化铵和/或酸式氟化铵的固态生成物，利用安装在上述管状反应器上的用于除去上述固态生成物的装置，来除去附着在上述管状反应器的内壁的上述固态生成物。
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公开(公告)号：CN100400484C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN02802328.5
申请日：2002-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C17/21 , C07C17/206 , C07C17/38 , C07C17/389 , C07C19/08 , C07C21/12 , C07C19/12
Abstract: 使含稳定剂的四氯乙烯与具有平均孔径3.4-11埃的沸石和/或具有平均孔径3.4-11埃的含碳吸附剂在液相中接触以获得高纯四氯乙烯。将卤化链烯烃和/或卤化链烷烃与氟化氢在氟化催化剂存在下反应生产第一种氢氟烃，将卤化链烯烃和/或卤化链烷烃与氟化氢在氟化催化剂存在下反应生产第二种氢氟烃，将这些产品合并，然后蒸馏获得第一和第二种氢氟烃。
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公开(公告)号：CN100343210C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200410101217.8
申请日：2002-08-06
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C19/08 , B01J23/08 , B01J23/26 , B01J23/44 , B01J37/26 , C07C17/10 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/23 , C07C17/395
Abstract: 高纯度六氟乙烷的生产方法，其中让含有六氟乙烷和氯三氟甲烷的混合气体与氟化氢在气相中于氟化催化剂的存在下在200-450℃下反应，以使氯三氟甲烷氟化；或者让含有1-3碳原子氯化合物的五氟乙烷与氢在气相中于氢化催化剂的存在下在150-400℃下反应，然后此产物与氟在气相中于稀释气的存在下反应。
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公开(公告)号：CN101031794A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200580033032.0
申请日：2005-09-14
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G01N30/14 , G01N30/88 , G01N2030/025 , G01N2030/8859
Abstract: 本发明提供可简便且高精度地进行含氟气的混合气体中所含的微量成分的分析的方法以及微量成分的分析装置。本发明的微量成分的分析方法，其特征在于，使(i)由氟气和稀释气体组成、并含有微量成分的混合气体、和(ii)含氢物质进行反应，将该氟气转化成氟化氢，将该氟化氢进行固定化除去之后，利用气相色谱仪对该微量成分进行分析。本发明的微量成分的分析装置，具有使(i)由氟气和稀释气体组成、并含有微量成分的混合气体、和(ii)含氢物质进行反应的反应管、填充有碱金属的氟化物的管、在可切换载气的流路的六通切换阀上连接有能分取一定量的样品的试样计量管的气体采样器、以及气相色谱仪，进行配管以使得上述混合气体和上述含氢物质按该顺序流过。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1330615C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200480001220.0
申请日：2004-09-09
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C17/206 , C07C19/08
Abstract: 使卤代甲烷混合物和氟化氢，在气相中在氟化催化剂的存在下在单一的反应带中反应，将生成的气体导入蒸馏塔中进行分离精制后，获得2种或2种以上的氢氟烃。根据本发明，可以有利于工业地制造在半导体器件的制造工艺中可以作为蚀刻气体或清洗气体而使用的，高纯度的氢氟烃类、特别是氟代甲烷、二氟甲烷。
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公开(公告)号：CN1289447C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03800236.1
申请日：2003-03-07
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/21 , C07C17/395 , C07C17/10 , C09K5/04
CPC classification number: C09K5/045 , B01J23/26 , B01J23/42 , C07C17/10 , C07C17/21 , C07C17/395 , C07C19/08 , C09K2205/24
Abstract: 本发明涉及一种生产高纯度五氟乙烷的方法，包括(1)将四氯乙烯氟化的步骤，获得含有杂质的粗五氟乙烷，和(2)使含有杂质的粗五氟乙烷与氧气和/或含氧化合物在催化剂存在下接触的步骤。
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公开(公告)号：CN1276903C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN01801719.3
申请日：2001-06-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C19/08 , C07C17/20 , C07C17/10 , C07C17/395
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/10 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/383 , C07C17/395
Abstract: 本发明旨在提供用包含分子中有氯原子的化合物的CF3CHF2高收率制备CF3CF3的方法，以及CF3CF3的用途。本发明方法中，在氟化催化剂存在下，含有CF3CHF2和分子中有氯原子的化合物的气体混合物与氟化氢反应，从而将作为主要杂质的CClF2CF3转化为CF3CF3，并且在稀释气体存在下，使含CF3CF3的CF3CHF2与氟气体在气相进行反应。
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公开(公告)号：CN1826305A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200480021358.7
申请日：2004-07-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/38 , C07C19/08 , C07C17/383
CPC classification number: C07C17/38
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够有效生产可以用作半导体的蚀刻气体的高纯度HFC－41的方法。本发明提纯氟代甲烷的方法包括蒸馏含有氟代甲烷和氯化氢的混合物以从蒸馏塔顶部蒸出氟代甲烷并从蒸馏塔底部得到氟代甲烷和氯化氢的共沸混合物。
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公开(公告)号：CN1254460C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN02802579.2
申请日：2002-08-06
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/383 , C07C17/20 , C07C17/354 , C07C19/08
CPC classification number: C07C19/08 , B01J23/08 , B01J23/26 , B01J23/44 , B01J37/26 , C07C17/10 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/23 , C07C17/395
Abstract: 高纯度六氟乙烷的生产方法，其中让含有六氟乙烷和氯三氟甲烷的混合气体与氟化氢在气相中于氟化催化剂的存在下在200-450℃下反应，以使氯三氟甲烷氟化；或者让含有1-3碳原子氯化合物的五氟乙烷与氢在气相中于氢化催化剂的存在下在150-400℃下反应，然后此产物与氟在气相中于稀释气的存在下反应。
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