公开(公告)号：CN101776224A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010116997.9

申请日：2007-04-27

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 佐藤俊一 ,  伊藤彰浩 ,  庄子浩义 ,  林义纪 ,  市井大辅 ,  原敬 ,  藤井光美

IPC: F21S2/00 ,  F21V19/00 ,  F21V5/00 ,  B41J2/455

CPC classification number: B41J2/45 ,  B41J2/473 ,  B82Y20/00 ,  G02B26/123 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/423

Abstract: 一种面发光激光阵列，包括设置成二维阵列形式的多个面发光激光二极管元件，其中，从沿第二方向排列的多个面发光激光二极管元件的各自中心起垂直于沿同该第二方向垂直的第一方向延伸的直线绘制的多条直线被形成为沿该第一方向具有大致相等的间隔，多个面发光激光二极管元件沿第一方向以被设定为基准值的间隔排列，以及沿第一方向排列的面发光激光二极管元件的数量少于沿第二方向排列的面发光激光二极管元件的数量。

公开(公告)号：CN101322291A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200780000490.3

申请日：2007-02-02

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 佐藤俊一 ,  原敬 ,  轴谷直人

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/42

CPC classification number: H01S5/18358 ,  B41J2/45 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/423 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器装置，其包括连接到热沉的基板；由半导体分布式布拉格反射器形成于该基板上的第一反射层；形成为接触该第一反射层的第一腔阻挡层；形成为接触该第一腔阻挡层的有源层；形成为接触该有源层的第二腔阻挡层；以及由半导体分布式布拉格反射器形成为接触该第二腔阻挡层的第二反射层。该第一腔阻挡层包括一半导体材料，该半导体材料的热导率大于形成该第二腔阻挡层的半导体材料的热导率。