公开(公告)号：CN109388027A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810864649.6

申请日：2018-08-01

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 橘诚一郎 ,  荻原勤 ,  长井洋子 ,  罗曼·J·拉勒芒 ,  卡伦·帕特里奥

IPC: G03F7/095 ,  G03F7/11 ,  C08G8/20 ,  C08G8/22 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

Abstract: 本发明提供一种附有抗蚀剂多层膜的基板，其能够使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地将已因干蚀刻而改性的硅成分残渣湿式去除。所述附有抗蚀剂多层膜的基板具有基板与形成于该基板上的抗蚀剂多层膜，其中，所述抗蚀剂多层膜从所述基板侧开始依次具有：难溶于氨过氧化氢水的有机抗蚀剂下层膜、可溶于氨过氧化氢水的有机膜、含硅抗蚀剂中间膜及抗蚀剂上层膜。

公开(公告)号：CN109283789A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201810796676.4

申请日：2018-07-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 郡大佑 ,  荻原勤

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种成为具有高度的嵌入/平坦化特性、蚀刻耐性的有机膜形成用组合物的材料的树脂、该组合物、及使用该组合物的图案形成方法。所述有机膜形成用组合物含有：(I)树脂，其在重复单元的至少一部分包含下述通式(1)所示的、包含芳香环的环结构AR与同四个所述AR键合的螺结构SP交替重复的结构；以及(II)有机溶剂。[化学式1]

公开(公告)号：CN107589633A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710546915.6

申请日：2017-07-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡边武 ,  菊地里枝 ,  郡大佑 ,  美谷岛祐介 ,  荻原勤

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供可通过高能量射线照射而固化，在半导体装置制造工序中的利用多层抗蚀剂法的微细图形工艺中可形成具有优异嵌入/平坦化特性、适当耐蚀刻性及光学特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料、使用该材料的图案形成方法、抗蚀剂下层膜形成方法、及适用于该抗蚀剂下层膜材料的新型化合物。该抗蚀剂下层膜材料用于多层抗蚀剂法，其含有(A)通式(1)所示的化合物中的一种或二种以上及(B)有机溶剂，[化学式1] 式中W为碳原子数2～50的n价有机基团；X为通式(1X)所示的1价有机基团；n为1～10的整数，[化学式2]式中虚线表示结合键；R01为丙烯酰基或甲基丙烯酰基；Y为单键或羰基；Z为碳原子数1～30的1价有机基团。

公开(公告)号：CN100394559C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200310114943.9

申请日：2003-11-13

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: H01L21/312 ,  C09D183/04

CPC classification number: H01L23/5222 ,  C08K3/34 ,  C08L83/02 ,  C09D183/04 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种成膜用组合物，该组合物可形成具有优良介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度的多孔膜，并且该膜可容易地变薄；本发明提供了多孔膜及其制造方法以及内部含有所述多孔膜的高性能和高可靠的半导体装置。更具体地说，多孔膜形成用组合物包含一种含有通过水解和缩合至少一种由通式(R1)nSi(OR2)4-n表示的硅烷化合物而获得的非晶态聚合物的溶液和通过使用氢氧化季铵而形成的沸石溶胶。多孔膜形成用方法包括涂布多孔膜形成用组合物的涂布步骤；随后的干燥步骤；和多孔性形成步骤。

公开(公告)号：CN1651515A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510005885.5

申请日：2005-01-27

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  浅野健 ,  岩渊元亮 ,  笹子胜 ,  中川秀夫

IPC: C08L83/04 ,  C08K3/36 ,  C08J5/18 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/06 ,  C08G77/08 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有优良机械强度和介电常数的多孔膜的涂布液和用于在通常使用的半导体制造工艺中易于形成膜厚度可自由控制的膜的涂布液。更具体来说，本发明提供了一种制备多孔膜形成用组合物的方法，该方法包含制备聚硅氧烷粒子、二氧化硅粒子或沸石粒子(组分A)的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和暂时终止交联性的步骤；以及用该方法可得到的多孔膜形成用组合物。此外，本发明也提供了一种形成多孔膜的方法，该方法包括通过制备组分A的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和加入交联性抑制剂以暂时终止交联性的步骤来制备多孔膜形成用组合物；将多孔膜形成用组合物施用于衬底上形成膜，干燥该膜，通过加热该干燥膜在去除交联性抑制剂的同时使粒子交联。