公开(公告)号：CN119698184A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202311243319.2

申请日：2023-09-25

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 钟海政 ,  景宇宇 ,  王辰晖

IPC: H10K59/123 ,  H10K59/12 ,  H10K59/124

Abstract: 本公开涉及一种图案化QLED微显示器件及其制备方法。图案化QLED微显示器件包括：驱动电路基板；图案化像素单元，图案化像素单元通过沉积以及等离子体刻蚀的方式设置于驱动电路基板的上方，其中，图案化像素单元包括量子点发光单元；绝缘胶水层，绝缘胶水层填充于相邻的两个图案化像素单元之间，绝缘胶水层还设置于器件外围的图案化像素单元的外侧；透明电极，透明电极通过沉积的方式设置于图案化像素单元及绝缘胶水层的上方。本发明有助于解决量子点层图案化加工时量子点性能下降、像素密度不高等问题；并且所采用的图案化QLED微显示器件制备方法能够与现有半导体工艺兼容，方法简单、易于操作。

公开(公告)号：CN118567181A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410458185.4

申请日：2024-04-16

Applicant: 张家港致晶新材料科技有限公司 ,  北京理工大学

Inventor： 杨高岭 ,  车艳玲 ,  石建兵 ,  钟海政

IPC: G03F7/004 ,  H01L33/50

Abstract: 本申请公开了一种基于POSS的量子点光刻胶、量子点膜及其应用，属于光电器件新材料技术领域。基于POSS的量子点光刻胶，包括如下组分：量子点原料、POSS结构单体、多巯基化合物、有机溶剂；所述量子点原料为钙钛矿量子点或钙钛矿量子点前驱体。基于POSS的量子点膜由所述的基于POSS的量子点光刻胶经涂胶、固化得到。POSS基单体交联固化后形成密集交联网络限域量子点，保持量子点良好的均匀分布，形成稳定的分散体系，提升量子点荧光强度，同时光刻可制备大吸收系数、高蓝光转换率的量子点薄膜和图案，应用于Micro‑LED色转换方案以及其他基于量子点的光电器件中。

公开(公告)号：CN116761476A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202210199900.8

申请日：2022-03-02

Applicant: 致晶科技(北京)有限公司 ,  北京理工大学

Inventor： 陈宇 ,  李梓宁 ,  钟海政

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/16 ,  H10K85/60

Abstract: 本申请公开了一种钙钛矿‑半导体集成器件的制备方法，并进一步公开了利用该方法获得的钙钛矿‑半导体集成器件，以及该集成器件的应用。采用本申请所述的制备方法，能够获得均匀、单分子层的硅烷偶联剂修饰层，并进一步利用该修饰层将钙钛矿生长在半导体上。该方法具有工艺简单，制备的集成器件稳定性强，结合能力好等特点，可广泛用于光电探测，照明显示和太阳能光伏等领域，具有优异的应用前景和价值。

公开(公告)号：CN114621474B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202011470334.7

申请日：2020-12-14

Applicant: 北京理工大学 ,  致晶科技(北京)有限公司

Inventor： 伏睿 ,  柏泽龙 ,  钟海政 ,  夏本利

IPC: C08J5/18 ,  C08L29/04 ,  C09K11/02 ,  C09K11/06 ,  C09K11/66 ,  G02B1/00 ,  G02F1/1335

Abstract: 本申请公开了一种钙钛矿量子点偏振发光薄膜及其制备方法、应用，所述钙钛矿量子点偏振发光薄膜包括聚合物和钙钛矿量子点；所述钙钛矿量子点嵌入所述聚合物中；所述聚合物为聚乙烯醇。使用本申请的钙钛矿量子点偏振发光薄膜制备出的偏振发光膜片，将其用于显示设备中，不仅可以起到偏振发光的作用，同时还减少了显示装置中单独的量子点器件层，可以节省成本、减薄厚度、提高显示色域，提升显示亮度。

公开(公告)号：CN114262474B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202110975371.1

申请日：2021-08-24

Applicant: 致晶科技(北京)有限公司 ,  北京理工大学

Inventor： 伏睿 ,  夏本利 ,  钟海政

IPC: C08L23/06 ,  C08L25/06 ,  C08L33/12 ,  C08K5/098 ,  C08K5/17 ,  C08J3/22 ,  C08J5/18 ,  B29B9/06 ,  B29C41/00 ,  B29C41/32 ,  B29C48/00 ,  B29C48/07 ,  B29C48/18

公开(公告)号：CN115498121A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202110675669.0

申请日：2021-06-17

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 陈翠丽 ,  常帅 ,  钟海政

IPC: H01L51/50 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种量子点敏化上转换电致发光器件，属于发光器件技术领域，能够解决现有电致发光器件蓝光稳定性差、开启电压高、效率低的问题。所述电致发光器件包括阳极和阴极，以及设置在阳极和阴极之间的发光活性层；发光活性层由量子点材料和有机分子材料制成。本发明用于电致发光器件。

公开(公告)号：CN113755156A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202010495257.4

申请日：2020-06-03

Applicant: 北京理工大学 ,  致晶科技(北京)有限公司

Inventor： 李冬 ,  钟海政 ,  张小丽

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供了一种PbSe/金属硫化物核壳量子点的制备方法及应用，所述方法至少包括：(1)获得醇溶性PbSe量子点纳米材料；(2)将含有醇溶性PbSe量子点纳米材料、金属前驱体和极性溶剂的混合物，反应Ⅰ，得到PbSe/金属硫化物核壳量子点；其中，所述醇溶性PbSe量子点纳米材料的表面含有配体，所述配体包括巯基；所述金属前驱体选自镉金属前驱体、锌金属前驱体、铅金属前驱体中的至少一种。根据本发明的制备方法，可成功地合成出多种壳层厚度精确可控的PbSe/金属硫化物核壳量子点。

公开(公告)号：CN113514908A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110652929.2

申请日：2021-06-11

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 杨高岭 ,  钟海政

IPC: G02B3/00 ,  H01L27/148 ,  C09K11/88 ,  C09K11/85 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明涉及一种上转换微透镜及其制备方法。上转换微透镜的制备方法包括：利用上转换发光材料和固化胶配制上转换微透镜前驱体溶液；以及将所述上转换微透镜前驱体溶液通过喷墨打印或光刻转移到基底上，形成上转换微透镜。本发明的制备方法过程简单，成本低，兼容性好。将上转换发光材料与微透镜结构结合，发挥了上转换发光材料优异的上转换光学性能和微透镜结构独特的光学性能，实现了对微透镜功能的扩展。

公开(公告)号：CN113462230A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202010239382.9

申请日：2020-03-30

Applicant: 致晶科技(北京)有限公司 ,  北京理工大学

Inventor： 施立甫 ,  钟海政 ,  孟令海 ,  柏泽龙 ,  王晶晶

IPC: C09D11/30 ,  C09D11/101 ,  C09D11/38 ,  G09F9/33

Abstract: 本申请公开了一种钙钛矿纳米晶墨水及应用，钙钛矿纳米晶墨水包括钙钛矿前驱体、化合物A和引发剂；化合物A选自低聚物、单体中的至少一种；引发剂选自光引发剂、热引发剂中的至少一种。本申请提供的钙钛矿纳米晶墨水可以满足喷墨打印对墨水的各种要求，用该墨水打印出的钙钛矿纳米晶复合膜具有优异的光学性质和稳定性。

公开(公告)号：CN113372723A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202010116069.6

申请日：2020-02-25

Applicant: 致晶科技(北京)有限公司 ,  北京理工大学

Inventor： 张涛 ,  邓冲 ,  柏泽龙 ,  钟海政

IPC: C08L83/05 ,  C08L83/07 ,  C08K3/16 ,  C08K3/26 ,  C08L63/00 ,  C08L71/00 ,  C08K5/17 ,  H01L23/29

Abstract: 本申请公开了一种复合材料及其制备方法和应用，复合材料包括钙钛矿量子点和树脂固化聚合物，钙钛矿量子点嵌入树脂固化聚合物中；树脂固化聚合物由树脂经过固化反应得到。本申请将钙钛矿量子点前驱体与环氧树脂或有机硅树脂混合，然后封装mini‑LED芯片，原位制备钙钛矿量子点/聚合物复合材料。该复合材料可以实现对芯片的封装保护，还可以将量子点应用在液晶显示领域，不改变已有的封装工艺，节省量子点的使用量，获得高色域的显示效果。