瞬态电致发光探测系统和方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118688181A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202310293848.7

    申请日:2023-03-23

    Abstract: 本公开涉及一种瞬态电致发光探测系统和方法。瞬态电致发光探测系统包括:函数发生器,用于输出周期性方波脉冲电压给待测电致发光器件;显微镜,用于当所述周期性方波脉冲电压触发所述电致发光器件时,收集并聚焦所述电致发光器件的发光;单光子相机,用于对经所述显微镜收集并聚焦的发光进行拍摄并保存照片;计算设备,用于对所述照片进行处理,以得到所述电致发光器件的瞬态电致发光光谱。本发明提升了对瞬态电致发光的探测灵敏度,实现了对传统光电倍增管所不能探测到的低亮度下电致发光器件瞬态电致发光信息的探测,并将电致发光器件的启亮过程实现了空间分布可视化。

    图案化量子点发光器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN118102750A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410267410.6

    申请日:2024-03-08

    Abstract: 本申请公开了一种图案化量子点发光器件及其制备方法,该器件包括驱动电路基板、图案化量子点发光层和透明电极,量子点发光层设置在驱动电路基板和透明电极之间,图案化量子点发光层包括电流隔离挡墙和量子点像素单元,电流隔离挡墙由量子点发光层上经过特定波长激光按预定图案烧蚀的部分形成,量子点像素单元由量子点发光层上位于量子点像素单元之间、未经烧蚀的部分形成,本申请以具有光固化交联配体的量子点光固化胶水为量子点发光层的材料,使用能量超过令配体脱落阈值的激光进行刻蚀,形成电流隔离挡墙和量子点像素单元;通过本申请的技术方案制备图案化量子点发光器件,无需去除激光刻蚀区域,避免了溶剂对量子点发光层质量的影响。

    钙钛矿量子点/聚合物复合粉体材料及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN114437710B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202111275337.X

    申请日:2021-10-29

    Abstract: 本申请公开了一种钙钛矿量子点/聚合物复合粉末材料,制备方法及应用。钙钛矿量子点/聚合物复合粉末材料的粒径大小为0.1~200μm;所述粉末材料的D50平均粒径大小为1~150μm。公开了原位制备钙钛矿量子点/聚合物复合粉末材料的方法,将钙钛矿量子点前驱体溶液雾化成小液滴,而后使雾化的小液滴干燥,生成钙钛矿量子点/聚合物复合粉末材料。解决了高发光性能、高稳定性钙钛矿量子点/聚合物复合材料超微粉末的制备问题,可对原料中的溶剂进行回收,具有生产成本低、绿色环保的特点。拓展了钙钛矿量子点/聚合物复合材料应用范围,在背光显示、Micro/Mini LED直显、照明和光伏转光材料领域中具有广泛的应用。

    一种碱金属掺杂钙钛矿单晶材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117286573A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202210693071.9

    申请日:2022-06-17

    Inventor: 程尚君 钟海政

    Abstract: 本申请公开了一种碱金属掺杂钙钛矿单晶材料及其制备方法和应用,将钙钛矿水相前驱体中引入高浓度的碱金属卤化盐,通过降温法析出碱金属掺杂钙钛矿单晶。传统的铯铅溴钙钛矿发光波段在520nm附近,无法实现宽光谱发射,本方案可以制备具有宽光谱发射的厘米级钙钛矿CsPb2Br5单晶。测试结果表明,碱金属掺杂钙钛矿CsPb2Br5单晶荧光光谱覆盖可见光与近红外光波段(500–1000nm)。

    一种金属硫族化合物量子点的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116835534A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202211406195.0

    申请日:2022-11-10

    Abstract: 本申请公开了一种金属硫族化合物量子点的制备方法及应用,所述制备方法包括:将含有黄原酸类溶液、碱性物质、配体的混合物,反应,得到金属硫族化合物量子点;其中,所述配体为巯基己醇。本发明提供的金属硫族化合物的制备方法,大大降低了硫化物金属量子点的合成温度,从150℃以上降低到‑20℃至100℃之间;不必使用惰性合成条件,反应体系简单,可以大幅度减少有害副产物的产生;量子点配体很短,可以保证量子点较好的电子或空穴传输特性。

    一种长波长合金化PbxSn1-xSe量子点及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN115074130B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202210612477.X

    申请日:2022-05-31

    Abstract: 本申请公开了一种长波长合金化PbxSn1‑xSe量子点及其制备方法、应用。所述长波长合金化PbxSn1‑xSe量子点的吸收峰位置在1646‑2271nm波段;所述长波长合金化PbxSn1‑xSe量子点的直径为6‑6.5nm。并公开了所述长波长合金化PbxSn1‑xSe量子点的制备方法,通过热注入法,先加热得到铅和锡的共混前驱体溶液,然后在一定温度下注入硒前驱体溶液,反应得到合金化的PbxSn1‑xSe量子点。解决了PbSe量子点的Sn合金化问题,解决了将PbSe的吸收推向长波长的难题。

    一种像素化转光层及其制备方法

    公开(公告)号:CN113410370B

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202010186060.2

    申请日:2020-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种像素化转光层及其制备方法,所述方法至少包括:获得含有像素槽的基板;将含有发光材料前驱体的溶液转移到基板的像素槽内,发光材料前驱体原位生成发光材料,得到填充发光材料的基板;在上述基板表面涂覆封装材料,得到像素化转光层。本发明只需将发光材料前驱体直接填入基板像素槽内,封装,即可实现钙钛矿纳米晶的像素化图案制备,省去了后续的打印和封装工序,降低了成本,得到的封装好的图案化钙钛矿纳米晶可以作为彩色转光层,低成本实现了显示器件的彩色化显示。本发明提供了一种新的面向显示的钙钛矿纳米晶图案化技术,无需配制专门的钙钛矿纳米晶墨水,也无需复杂的打印设备。

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