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公开(公告)号：CN109972106B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910246450.1
申请日：2019-03-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及薄膜技术领域，具体涉及一种原位制备超光滑薄膜的方法；本发明降低表面粗化速率的微观原因是减小上下坡扩散概率，清楚的解释了薄膜粗化现象的微观原理；并通过引入薄的非晶层等手段，抑制上坡扩散将粗化速率大幅度的减小，进而制备出了母体材料结构不变的超光滑的薄膜。原位制备超光滑膜的方法，制备工艺简单、效率高，制备出的薄膜不仅表面光滑而且厚度也能够达到1μm以上，广泛的适用于各种对光滑表面有需求的涂层应用，比如器械滑动部件，油水分离器等。
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公开(公告)号：CN109913834A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910239046.1
申请日：2019-03-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及薄膜技术领域，具体涉及一种调控粗化速率的增原子扩散模型，本发明将增原子扩散理论指导实践，简化了复杂的扩散只考虑影响表面粗化速率的上坡和下坡扩散，建立了一个“增原子扩散”模型，定量地揭示了微观增原子扩散与宏观表面粗化之间的关系，提出的控制粗化速率的增原子扩散模型不仅能够指导实验原位的制备出各种表面粗糙度的薄膜，而且还够预测出薄膜表面粗糙度的变化程度，广泛适用于各种沉积制备方法。
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公开(公告)号：CN108754215A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810691886.7
申请日：2018-06-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种兼具高硬高韧高导电性的铜硼合金材料，该材料由铜和硼两种元素组成，其中，极少量的B原子进入Cu的晶格中形成了间隙型的固溶体结构，尺寸范围为5‑15nm。固溶体结构中的B含量远远高于平衡态下在Cu晶格中的饱和度，因此称为Cu(B)过饱和固溶体结构。该膜材料是在高纯的氩气气氛中，通过采用射频电源共溅射高纯的Cu和B单质靶材，在Si(100)和玻璃基底上沉积所得。这类材料具备高的硬度(～6‑9GPa)，相当于纯Cu硬度的(～4.8GPa)1.3‑2倍左右，且保持了良好的韧性和良好的导电性。该方法制备出的这种新型的铜合金膜材料具备良好的发展前景，并对其块体材料的制备和应用具备一定的指导意义。
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公开(公告)号：CN108048810A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711099811.1
申请日：2017-11-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种超硬低摩且耐磨的保护涂层及其制备方法，该保护涂层含有Ti,N,Mo和S元素，按照原子数量比计算，各元素的含量范围分别为58.6～52.1％，37.4～38.5％，3.5～8％和0.5～1.4％。其中，非晶的MoS2包裹立方相的Ti‑Mo‑N固溶体，Ti‑Mo‑N固溶体的晶粒尺寸范围维持在10～20nm。该涂层是通过磁控共溅射技术，运用单质Ti和MoS2靶材，在N2和Ar的混合气氛下沉积在基片上所得，通过控制不同的MoS2靶溅射功率，调控不同的MoS2掺杂量。本发明提高了纯的TiN薄膜的硬度，使其硬度达到～40GP。同时大大改善了TiN薄膜的摩擦学性能，使得摩擦系数由～0.8降低到～0.1，并使其耐磨性大大提高，由原来的2,000圈失效提升到100,000圈仍未见明显磨痕，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107583107A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710574080.5
申请日：2017-07-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于生物医用植入材料表面高生物活性薄膜材料的技术领域。具体涉及一种富硼结构硼化钽薄膜的可控制备，是以新一代医用植入材料为基底，在真空腔体中选择金属钽靶材以及硼靶，以氩气为放电气体，在薄膜沉积过程中同时对金属钽靶和硼靶施加不同的射频功率，并通过控制工作气压和衬底偏压以调控薄膜的相结构，最终获得具有致密且大面积的富硼结构的硼化钽涂层。这种涂层无毒，具有良好生物相容性以及骨诱导性，高的耐体液腐蚀能力，并可有效阻止医用植入材料内部有毒离子析出扩散。由于涂层的制备方法简单高效，成本低廉，工艺简单，因此可作为新型医用植入材料的表面改性涂层。
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公开(公告)号：CN222043333U
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202420711383.2
申请日：2024-04-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本实用新型提供一种扰动电磁场磁过滤电弧复合磁控溅射镀膜系统，涉及真空镀膜技术领域，包括：真空腔、抽气装置、供气装置、磁过滤管道和电弧靶、磁控溅射靶，真空腔用于容纳工件并提供镀膜场所；抽气装置与真空腔能够连通地连接并用于抽取真空腔内的气体以控制真空腔内的真空度；供气装置用于朝真空腔内输送气体；磁过滤管道的第一端与真空腔连通，第二端朝远离真空腔的方向延伸，其上绕设有多组磁过滤线圈组，多组磁过滤线圈组沿着磁过滤管道延伸的方向依次布设，磁过滤线圈组由脉冲电源供电；电弧靶用于蒸发并发生电离，磁控溅射靶用于溅射靶材沉积薄膜。本实用新型提供的方案能够提高镀膜质量。
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