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公开(公告)号：CN110487708A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910799269.3
申请日：2019-08-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种远紫外激光诱发原子氧装置及方法，所述远紫外激光诱发原子氧装置包括：脉冲激光器，用于输出紫外激光束；供氧单元，用于输出氧气；真空室，所述脉冲激光器和所述供氧单元均设于所述真空室外部；喷嘴，设于所述真空室内部，且所述喷嘴与所述供氧单元相连通；控制器，与所述脉冲激光器和所述供氧单元电连接，用于控制所述紫外激光束与所述氧气同步射入所述喷嘴内。利用本发明提供的装置获得的原子氧束流的能量达到5eV，束流中原子氧纯度大于95％，束流密度达到1016atom﹒cm-2﹒s-1以上，具有极强的加速试验能力，大大提高了原子氧地面模拟试验和评价结果的可信度和准确性，且降低成本。
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公开(公告)号：CN108345747A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136616.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，它涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的目的是为了制备一种结构，基于该结构应用不同类型的带电粒子，从而实现电离和位移缺陷间接交互作用的研究。方法：制备MIS结构，导体-绝缘体-半导体中导体、绝缘体和半导体的厚度分别为a1，a2和a3，计算入射粒子的入射深度、电离吸收剂量(Id)和位移吸收剂量(Dd)，3
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公开(公告)号：CN108335770A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810130004.X
申请日：2018-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G21F1/02 , G21F1/08 , G21F1/10 , G21F1/12 , G21F3/00 , H01B1/02 , H01B1/04 , H01L23/373 , H01L23/48 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L23/3736 , B82Y30/00 , G21F1/02 , G21F1/08 , G21F1/10 , G21F1/125 , G21F3/00 , H01B1/023 , H01B1/04 , H01L23/373 , H01L23/3735 , H01L23/3737 , H01L23/48
Abstract: 一种多功能的梯度结构柔性防护薄膜，它涉及空间环境中电子器件防护领域，特别是一种抗空间带电粒子辐射以及具有优异导电导热性能的纳米薄膜防护金属膜柔性聚合物多层梯度结构功能防护材料。本发明是要解决现有抗空间辐射防护材料存在质量重、非柔性、成本高及易于产生二次粒子的问题。多功能的梯度结构柔性防护薄膜为三层结构，所述三层结构分别为纳米管薄膜、微纳米单质层和柔性聚合物；所述纳米管薄膜为石墨烯薄膜、氮化硼纳米管或碳纳米管薄膜；微纳米单质层中所述单质为铝、镍、钛、铜或银；所述柔性聚合物为低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超高分子量聚乙烯或微纳米粒子掺杂聚合物。本发明用于电子器件防护。
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公开(公告)号：CN106644907A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610911406.4
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N17/00
CPC classification number: G01N17/00
Abstract: 低地球轨道航天器用暴露材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，涉及空间环境效应领域。本发明是为了解决现有低地球轨道航天器用暴露材料地面模拟试验方法不能够全面实现暴露材料空间综合环境效应研究的问题。本发明所述的低地球轨道航天器用暴露材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，将待实验样品置密封腔体内，对待实验样品进行粉尘模拟试验，对待实验样品进行原子氧环境及紫外环境试验，对密封腔体抽真空，进行热循环试验，根据待试验样品的厚度t，选择入射电子及质子的能量，对待实验样品进行带电粒子辐照试验，进行低地球轨道航天器用暴露材料性能测试。本发明适用于空间环境效应研究与抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号：CN115186467B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210769884.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种飞行器紫外辐照表征方法、装置、计算机设备及存储介质，所述方法包括：获取当前时刻飞行器的运动状态和运行姿态、太阳光线的方向；根据所述飞行器的运动状态以及所述太阳光线的方向，判断所述飞行器是否受紫外辐照；当所述飞行器受到紫外辐照时，根据所述太阳光线的方向以及所述飞行器的姿态，对所述飞行器不同受晒面的紫外辐照情况进行分析。本发明通过获取飞行器的运动状态、姿态状态以及获取太阳光线的方向，对飞行器表面不同部位受到的不同程度的紫外辐射进行表征，考虑了不同飞行器的结构及受晒面，较为真实地实现对飞行器在轨运行期间的紫外辐照进行实时量化表征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111835303B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010735178.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及放大电路技术领域，提供一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器，包括输入电容、冲击传感器、电荷灵敏前置放大子电路和电荷灵敏后置放大子电路，输入电容和冲击传感器各自与电荷灵敏前置放大子电路的输入端电连接，电荷灵敏后置放大子电路与电荷灵敏前置放大子电路级联组成电荷灵敏放大子电路，成倍提高了电荷灵敏放大子电路的放大倍率，提升了电荷灵敏放大子电路的信号放大能力，在冲击传感器处于空闲状态下，利用输入电容，测试电荷灵敏放大子电路与冲击传感器适配，在冲击传感器处于探测状态下，输入电容防止输出微弱电荷脉冲信号至电荷灵敏放大子电路的性能，以免输入电容对冲击传感器产生信号干扰。
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公开(公告)号：CN116184145A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211415078.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明提供了一种金属半导体场效应管中位移缺陷的检测方法及系统，涉及半导体检测领域，通过将缺陷参数输入至位移缺陷模型中，相当于假定缺陷为位移缺陷，得到模拟出的仿真曲线，这个仿真曲线是MESFET器件发生位移缺陷的情况下得到的曲线，将仿真曲线与通过实际测试得到的性能曲线进行比较，当仿真曲线与性能曲线吻合的时候，就能够验证当前测试的MESFET器件中发生了位移缺陷。用这种方法对MESFET器件进行检测，不需要再通过多次退火试验来进行验证确认，仅对待测元件进行电学性能测试，获得性能曲线，再与模拟仿真获得的仿真曲线相互对比佐证，就能够准确的检测出位移缺陷，提高检测的速度。
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公开(公告)号：CN111863607B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010735238.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L21/331 , H01L29/10 , H01L23/552 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射功率晶体管及其制备方法。所述抗辐射功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层，在所述外延层上形成基区；向所述基区内多次注入第一杂质粒子，在所述基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区。本发明通过向基区内多次注入第一杂质粒子，在基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区，通过高浓度区域阻挡载流子被复合掉，低浓度区域保证晶体管自身性能，且浓度差的形成会产生势垒，进一步影响载流子的传输过程，降低其被复合掉的几率，有效地减缓了辐射环境下复合电流的增加，减少基区损伤区域，从而提升晶体管的抗辐射能力，达到减缓晶体管辐射损伤的目的，同时又能够保证晶体管本身的性能。
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公开(公告)号：CN111856095B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202010735735.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种脉冲高压负载电阻模块、组装方法及装置，涉及高频电子功率调节器技术领域，所述脉冲高压负载电阻模块包括电阻模块，包括多个负载电阻相互连接构成的电阻网络；安装板，与所述电阻模块相连接，以及散热组件，与所述安装板相连接，所述散热组件包括第一散热件和第二散热件，所述第二散热件与所述第一散热件的外壁固定相连，且所述第二散热件的内部设置腔体，且所述腔体内填充导热材料。与现有技术比较，本发明散热组件在电阻模块的最外层直接导热，减小了热传导路径，散热效率高，降低散热器重量，减小设备体积，且采用导热材料填充散热组件，进一步缩小产品尺寸，杜绝了电阻拉弧打火现象，安全性高。
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公开(公告)号：CN115831278A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211404835.4
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的仿真方法，方法包括：在双极晶体管氧化层的不同深度处分别设置预设初始浓度的氧空位缺陷，并根据电子‑空穴对计算模型确定双极晶体管氧化层中的电子‑空穴对数量；基于预设的缺陷演化进程，根据氧空位缺陷和电子‑空穴对不同深度处的电离‑位移协同效应进行仿真，根据仿真结果确定不同深度处的空穴浓度；对不同深度处的空穴浓度进行对比分析，确定双极晶体管氧化层中不同深度处电离‑位移协同效应之间的关系。本发明实现了晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的仿真及研究，提供的仿真方法数据获取过程便捷，获取的数据也不会引入干扰项，分析结果精准可靠。
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