-
公开(公告)号：CN111856238B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202010735731.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种基于载流子流向的晶体管辐射损伤分析方法及装置，方法包括：选择入射粒子；根据入射粒子分别对不同的晶体管进行辐照试验，获得多个辐照后的晶体管；分析各个辐照后的晶体管，确定各个晶体管的载流子流向和性能参数；根据载流子流向确定各个晶体管的敏感区域，和各个敏感区域在试验过程中的位移吸收剂量；确定位移吸收剂量平均值和性能参数平均值，建立性能参数平均值和位移吸收剂量平均值之间的对应关系；重复多次，获得多个对应关系，结合所有的对应关系确定晶体管性能变化与位移吸收剂量的关系，对晶体管的位移损伤进行等效分析。本发明能够对不同入射粒子在不同结构的晶体管中造成的位移损伤进行分析，步骤简单，易于操作。
-
公开(公告)号：CN111863607A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735238.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L21/331 , H01L29/10 , H01L23/552 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射功率晶体管及其制备方法。所述抗辐射功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层，在所述外延层上形成基区；向所述基区内多次注入第一杂质粒子，在所述基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区。本发明通过向基区内多次注入第一杂质粒子，在基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区，通过高浓度区域阻挡载流子被复合掉，低浓度区域保证晶体管自身性能，且浓度差的形成会产生势垒，进一步影响载流子的传输过程，降低其被复合掉的几率，有效地减缓了辐射环境下复合电流的增加，减少基区损伤区域，从而提升晶体管的抗辐射能力，达到减缓晶体管辐射损伤的目的，同时又能够保证晶体管本身的性能。
-
公开(公告)号：CN106908177B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710154020.8
申请日：2017-03-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L1/25
Abstract: 一种测量各向异性材料平面应力的装置，涉及一种材料平面应力检测装置。是要解决现有应力检测方法测量精度不高的问题。该装置包括超声换能器组、超声斜入射楔块、信号发生器、数字示波器和分析处理软件；第一超声纵波激发探头、第二超声纵波激发探头和第三超声纵波激发探头分别与信号发生器连接；第一超声纵波接收探头、第二超声纵波接收探头和第三超声纵波接收探头分别与数字示波器连接；信号发生器与数字示波器连接；所述分析处理软件与所述数字示波器连接。该装置基于各向异性三向法，采用临界折射纵波作为检测波源，测量效率高、操作简单，可广泛应用于航空航天、武器制造、车辆等领域中各向异性材料中平面应力的检测和分析。
-
公开(公告)号：CN111863607B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010735238.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L21/331 , H01L29/10 , H01L23/552 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射功率晶体管及其制备方法。所述抗辐射功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层，在所述外延层上形成基区；向所述基区内多次注入第一杂质粒子，在所述基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区。本发明通过向基区内多次注入第一杂质粒子，在基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区，通过高浓度区域阻挡载流子被复合掉，低浓度区域保证晶体管自身性能，且浓度差的形成会产生势垒，进一步影响载流子的传输过程，降低其被复合掉的几率，有效地减缓了辐射环境下复合电流的增加，减少基区损伤区域，从而提升晶体管的抗辐射能力，达到减缓晶体管辐射损伤的目的，同时又能够保证晶体管本身的性能。
-
公开(公告)号：CN111863606A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735237.X
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L21/265 , H01L21/331 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L23/552 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射功率晶体管及其制备方法。所述制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；向所述外延层内注入碳离子，以在所述外延层底部形成碳离子注入层；在所述外延层顶部两侧形成基区，并向所述基区内多次注入第一杂质粒子，在所述基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区。本发明通过碳离子注入层可形成有效的抗辐射隔离区，并形成碳氧/碳碳络合物及碳化硅结构层等，有助于提升晶体管抗辐射能力。同时，通过高浓度区域阻挡载流子被复合掉，低浓度区域保证晶体管自身性能，且浓度梯度的形成会产生势垒，进一步影响载流子的传输过程，减少基区损伤区域，提升晶体管的抗辐射能力，同时又能够保证晶体管本身的性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106802202B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710154041.X
申请日：2017-03-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L1/25
Abstract: 一种测量各向异性材料平面应力的方法，涉及一种材料平面应力的测量方法。是要解决现有应力检测方法测量精度不高的问题。方法：一、准备待测材料；二、设计4组单向拉伸标定实验，得到4组声时差‑应力曲线；三、对声时差‑应力曲线进行线性拟合，得到四组声应力系数组合表达式及数值；四、联立四组表达式，即得声时差信号与平面主应力的关系式；五、利用测量装置对待测材料在平面应力状态下测量，分别检测三个不同方向的声时差值，代入式联立，即求得平面主应力大小σ1、σ2和方向θ。该方法基于临界折射纵波原理，操作简单、效率高，适用于各向异性材料，可广泛应用于航空航天、武器制造、车辆等领域中复合材料层合板中平面应力的检测和分析。
-
公开(公告)号：CN106785311B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201710100267.1
申请日：2017-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种天基雷达可折叠展开天线反射面折展结构，属于天基雷达技术领域，解决了现有的可折叠展开天线存在的问题，它包含反射面、横向肋、双稳态复合材料可折展柱壳和辅助展开充气臂，反射面是长方形的，在反射面的一侧表面设置有多道沿反射面的宽度方向设置的横向肋，横向肋与反射面粘接，横向肋是中空的管状结构，横向肋与反射面粘接的表面是平面，横向肋与反射面粘接表面相对的表面是内凹的弧面；在每相邻的两道横向肋之间设置有至少两根双稳态复合材料可折展柱壳，双稳态复合材料可折展柱壳的两端分别与相邻的横向肋相接触；全部横向肋中位于最外侧的两根横向肋之间通过至少两根辅助展开充气臂连接；本发明用于天基雷达。
-
公开(公告)号：CN111863941B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202010735219.1
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/06 , H01L23/552 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射VDMOS器件及其制备方法。所述抗辐射VDMOS器件的制备方法包括：在完成VDMOS器件的源极接触孔刻蚀后，向肼区内多次注入或扩散重金属离子，在所述肼区内形成重金属离子注入或扩散区，且所述重金属离子注入或扩散区的掺杂浓度自远离衬底一侧向靠近所述衬底一侧递减。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入或扩散，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升功率器件的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证VDMOS器件本身的高性能指标。另外，本发明与常规的功率VDMOS器件的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
-
公开(公告)号：CN111766496B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010735169.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种双极晶体管位移损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据不同的偏置电压下深能级瞬态谱中的信号峰变化，判定缺陷信号的类型；根据缺陷信号类型的判定结果，判定双极晶体管的位移损伤敏感区。本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管位移损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。
-
公开(公告)号：CN111856238A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735731.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种基于载流子流向的晶体管辐射损伤分析方法及装置，方法包括：选择入射粒子；根据入射粒子分别对不同的晶体管进行辐照试验，获得多个辐照后的晶体管；分析各个辐照后的晶体管，确定各个晶体管的载流子流向和性能参数；根据载流子流向确定各个晶体管的敏感区域，和各个敏感区域在试验过程中的位移吸收剂量；确定位移吸收剂量平均值和性能参数平均值，建立性能参数平均值和位移吸收剂量平均值之间的对应关系；重复多次，获得多个对应关系，结合所有的对应关系确定晶体管性能变化与位移吸收剂量的关系，对晶体管的位移损伤进行等效分析。本发明能够对不同入射粒子在不同结构的晶体管中造成的位移损伤进行分析，步骤简单，易于操作。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.023 seconds)
