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公开(公告)号：CN103560095B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310530610.8
申请日：2013-11-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: 热-超声-电磁复合场调控金属间化合物生长实现芯片高可靠立体互连的方法，涉及一种多层堆叠芯片低温快速键合工艺条件下焊点金属间化合物定向生长的新方法。所述方法按照打孔→填充导电金属→制备钎料层→夹持对中→热-磁场-超声→成品的顺序进行超声键合多层堆叠硅通孔芯片。超声能够促进金属原子的扩散，能够加速实现单一种类金属间化合物焊点的形成，将金属间化合物的完整生长时间缩短到几十秒到几分钟。定向的磁场可控制焊点IMCs的晶粒取向，提高焊点的电学可靠性。该方法产生的金属间化合物焊点不但可以承受后封装过程中较高的无铅再流焊温度，还可以解决堆叠芯片互连工艺及材料不兼容等问题，大大提高效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN103639558B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310672744.3
申请日：2013-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/00
Abstract: 热-超声-电磁多场复合再流焊方法，涉及一种再流焊方法。所述方法步骤如下：将印制电路板置于回流焊加热板中间位置，回流焊加热板下方放置磁场线垂直于倒装PCB组件表面的“山”形磁铁，在中间磁芯柱位置缠绕耐强电流的线圈；超声触头通过精密光学的对准装置拾取带有焊球的芯片元件并与PCB电路板上的焊盘对准；开启回流焊加热板，当回流焊加热板温度达到保温区时，在互连过程中开始施加超声和磁场，完成再流焊过程。本发明在热板-超声再流焊技术基础上施加定向的磁场，通过磁场强度和方向的调控实现较低温度下IMCs的定向、择优、快速生长，旨在在较低温度下快速获得力学性能优异的焊点，以提高电子器件可靠性。
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公开(公告)号：CN103560095A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310530610.8
申请日：2013-11-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L2224/11 , H01L2224/75
Abstract: 热-超声-电磁复合场调控金属间化合物生长实现芯片高可靠立体互连的方法，涉及一种多层堆叠芯片低温快速键合工艺条件下焊点金属间化合物定向生长的新方法。所述方法按照打孔→填充导电金属→制备钎料层→夹持对中→热-磁场-超声→成品的顺序进行超声键合多层堆叠硅通孔芯片。超声能够促进金属原子的扩散，能够加速实现单一种类金属间化合物焊点的形成，将金属间化合物的完整生长时间缩短到几十秒到几分钟。定向的磁场可控制焊点IMCs的晶粒取向，提高焊点的电学可靠性。该方法产生的金属间化合物焊点不但可以承受后封装过程中较高的无铅再流焊温度，还可以解决堆叠芯片互连工艺及材料不兼容等问题，大大提高效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN103383367A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310293548.5
申请日：2013-07-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 扫描式热传导线温检测工件浅表裂纹的方法，涉及一种缺陷检测方法，尤其涉及一种无损缺陷检测工件浅表裂纹的方法。所述方法步骤如下：在待测试件正面上方分别设置有一激光器和红外热像仪；将一大功率激光束快速在试件正面上扫描出一条直线；在热像仪内设置一条与激光扫描线平行的测量线，同时检测此处的温升曲线，检测最高值，根据最高值判断激光扫描线与测量线之间工件是否有裂纹。本方法应用面广阔，不仅对工件上的浅表裂纹有较高的检出率，在实验数据的支持下，可根据线温低温点的温差来确定裂纹的深浅，由此可绘出裂纹的三维图。本检测方法简便直观，无损，检测过程无需中间介质，对工件无不良影响，检测结果直观准确。
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公开(公告)号：CN103234977A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310140090.X
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 倒装焊芯片焊点缺陷双热像仪红外测温检测法，涉及一种芯片焊点缺陷的检测方法。针对现有检测技术无法满足生产实际需求的缺陷，本发明按照如下方法检测倒装焊芯片焊点缺陷：在倒装芯片的一侧设置一个热像仪A，在基底一侧设置一个热像仪B和红外激光器，激光光束直径略小于焊盘，将红外激光束对准倒装芯片基底待测焊盘，调整好功率和脉宽参数，对之施以热激励，热像仪A和热像仪B同时实时分别检测激光光点照射基底焊盘处与相应的芯片焊球区的温升过程，同时观察和拍摄温升最高点的热图像，根据温升曲线或热像图判断倒装焊芯片焊点缺陷。本发明的倒装焊芯片焊点虚焊检测法采用逐点检测的方法，具有无损、缺陷高辨识率、判别直观简单的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102489810B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110439730.8
申请日：2011-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于钎料球激光重熔工艺的MEMS自组装方法，它涉及一种MEMS自组装方法。针对现有基于熔融钎料表面张力的MEMS自组装方法中钎料合金集成工艺复杂，MEMS器件整体加热重熔不适用于对于热、力敏感的光学MEMS器件以及电阻局部加热实现具有逻辑顺序的多次自组装工艺复杂，无法应对复杂结构的问题。方案一：通过激光对释放在MEMS芯片金属焊盘上的钎料球进行加热，使之熔化并拉动MEMS芯片的活动结构实现翻转运动；方案二：释放钎料合金球在多个焊盘连接中心，对钎料合金球进行加热重熔，依次完成第一旋转机构、第二旋转机构和第三旋转机构的自组装。本发明用于微加工制造技术。
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公开(公告)号：CN103199030A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310140076.X
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 倒装焊芯片焊点缺陷对视测温检测法，涉及一种芯片焊点缺陷的检测方法。本发明按照如下方法检测倒装焊芯片焊点缺陷：在倒装芯片的芯片一侧设置一个热像仪，基底一侧设置一个红外激光器，将红外激光束对准倒装芯片基底待测焊盘，调整好功率和脉宽参数，对之施以热激励，热像仪实时检测与该焊盘相连的芯片焊球区的温升过程，同时观察和拍摄温升最高点的热图像，根据温升曲线或热像图判断倒装焊芯片焊点缺陷。本发明的倒装焊芯片焊点虚焊检测法采用逐点检测的方法，具有无损、缺陷高辨识率、判别直观简单的特点。此外，适用工艺范围广，本方法可同样适用于芯片侧植球时缺陷检测和三维组装时基底侧面植球焊点缺陷检测。
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公开(公告)号：CN102935535A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210516546.3
申请日：2012-12-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K3/03
Abstract: 一种可提高导线与焊盘焊接效率及可靠性的手工电烙铁头，它涉及手工电烙铁头，本发明是要解决现有电烙铁通过热传导的方式加热导线和焊盘，会延长预热和焊接时间导致电路板受到高温而损坏问题，以及待焊部位温度不均匀导致焊缝内部的微观组织结构存在差异，长时间反应使界面反应剧烈导致焊点的可靠性下降的问题。本发明中的手工电烙铁头，其结构为：电烙铁头端部的中部有一豁口，此豁口长度为3mm~10mm；豁口的右侧部分长于豁口的左侧部分，施焊过程中焊丝于豁口的左侧部分与焊盘平面之间形成的空间处添加。本发明适用于电子器件焊接工程领域。
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公开(公告)号：CN102491261A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110439586.8
申请日：2011-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种基于引线键合的MEMS自组装过程的限位方法，它涉及一种MEMS自组装过程的限位方法，具体涉及一种基于引线键合的MEMS自组装过程的限位方法。本发明为了解决现有MEMS自组装过程中的限位方法是通过微加工工艺制造完成，工艺复杂、成品率低、成本高的问题。本发明的具体步骤为：将需要进行自组装的MEMS芯片进行牺牲层释放，使活动微结构不受约束，然后将MEMS芯片夹持在夹具上，在活动微结构的两侧分别各制作有一个用于进行丝球键合用焊盘；在MEMS芯片的活动微结构的上方通过丝球键合工艺制作一个梯形形状的金属丝限位结构；通过外部激励机制，激励活动微结构发生自组装运动；当活动微结构接触到金属丝限位结构后，即可发生止动。本发明用于MEMS自组装过程中。
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公开(公告)号：CN101982281B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010511370.3
申请日：2010-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K3/06
Abstract: 植球键合机的锡球供料装置，它涉及一种锡球供料装置。本发明解决了现有的锡球供料装置仅适用于垂直送料，不适用于立体封装送料的问题。所述供料腔体的中部由上至下加工有倒圆台型腔和第一圆柱型腔，且倒圆台型腔和第一圆柱型腔相互对应连通，所述滤芯安装在第一圆柱型腔内，供料腔体上加工有进料通道，所述进料通道与倒圆台型腔相互连通，封盖盖在供料腔体的进料通道上；所述供料盖的中部由上至下加工有倒圆锥型腔和第二圆柱型腔，且倒圆锥型腔和第二圆柱型腔相互对应连通，所述第二圆柱型腔与倒圆台型腔对应连通，供料盖的上端面上加工有出料口，底座上加工有气体通道。本发明的供料装置适用于立体封装送料，并能对锡球进行干燥和防氧化保护。
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