一种基于相变材料Ge2Sb2Te5的马赫曾德尔干涉非易失性多级光开关及其制备方法

    公开(公告)号:CN113687551B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202111045986.0

    申请日:2021-09-07

    Abstract: 本发明提供了一种基于相变材料Ge2Sb2Te5的马赫曾德尔干涉非易失性多级光开关,括宽带光源、单模光纤、“花生型”光纤微结构、纤芯镀有Ge2Sb2Te5的微孔、793nm连续激光器、532nm脉冲激光器、光谱分析仪;所述宽带光源通过单模光纤与第一“花生型”光纤微结构、纤芯镀有Ge2Sb2Te5的微孔、第二“花生型”光纤微结构和光谱分析仪依次相连。本发明提出利用光纤烧球熔接、磁控溅射镀膜以及光纤打孔技术进行非易失性光开关的制作,形成干涉臂中间打孔镀GST的花生型”马赫曾德尔干涉结构,制作简单成本低,在可重构光子器件及非易失性光开关领域应用前景广阔。

    一种多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案

    公开(公告)号:CN113724758B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202111021709.6

    申请日:2021-09-01

    Abstract: 本发明提供一种多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案。该多芯光纤忆阻器件及“擦、写、读”方案,包括“读、写、擦”激光输出模块、多芯光纤忆阻器、“读”多芯探测模块,其中多芯光纤忆阻器包括多芯光纤、光学相变材料薄膜和防氧化增反膜。在多芯光纤端面后依次镀有光学相变材料薄膜和防氧化增反膜来构造多芯光纤忆阻器;各个纤芯中注入“擦、写”脉冲激光分别对各纤芯端面的光学相变材料的相态进行调控,不同相态下的光学相变材料反射率存在差异,通过“读”连续激光读取每个纤芯的存储状态,从而实现多芯非易失性全光存储。该多芯光纤忆阻器件基于空分复用理念提升单芯光纤非易失性存储的维度,可极大地提高通信、存储容量,突破当前普通单模光纤信息容量极限。

    一种光纤忆阻单元
    84.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113724757B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202111020392.4

    申请日:2021-09-01

    Abstract: 本发明提供了一种光纤忆阻单元。该光纤忆阻单元,包括单模光纤、光学相变材料薄膜和防氧化增反膜。其中,所述光学相变材料薄膜位于单模光纤端面,防氧化增反膜位于光学相变材料后。该单模光纤忆阻单元的反射率在脉冲光的加载下表现出有高低反射率的变化,并具有非易失性效应,实现非易失性全光存储。该单模光纤忆阻单元可以用作一种全光调控的光纤存储器件,具备存储速率高、能耗低以及抗电磁干扰等优点,能与光纤通信网络、光纤传感网络兼容,具有重要的应用潜力。

    一种基于贝塞尔光束的全光纤大容量存储器件

    公开(公告)号:CN116312654A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310332031.6

    申请日:2023-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于贝塞尔光束的全光纤大容量存储器件,属于光纤器件存储技术领域,包括单模光纤、多模光纤、光学相变材料薄膜和增反薄膜,多模光纤的一端与单模光纤连接,多模光纤的另一端与光学相变材料薄膜的左端连接,光学相变材料薄膜的右端与增反薄膜连接;单模光纤与多模光纤为同轴焊接,单模光纤与多模光纤同轴焊接后产生贝塞尔光束,光学相变材料薄膜通过射频磁控溅射的方式与多模光纤的端面结合,增反薄膜通过射频磁控溅射的方式与光学相变材料薄膜结合。本发明提供的一种基于贝塞尔光束的全光纤大容量存储器件,可对光学相变材料的相态进行精准调控,同时相对于普通单模光纤存储单元可以实现更多级别的存储。

    一种基于NV色心红外吸收检测的光纤磁场传感器

    公开(公告)号:CN116299098A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310378680.X

    申请日:2023-04-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于NV色心红外吸收检测的光纤磁场传感器,包括第一金刚石晶体和设置在第一金刚石晶体下方的第二金刚石晶体,第二金刚石晶体的右侧设置有第二环形器,第二环形器的右侧设置有第二光纤滤波器,第二光纤滤波器的右侧设置有第二数据处理模块,第二数据处理模块的上方设置有1042nm激光器光源,1042nm激光器光源的上方设置有532nm激光器光源,532nm激光器光源和1042nm激光器光源的左侧中央部分设置有3dB光纤耦合器,3dB光纤耦合器的上方设置有第一光纤滤波器,第一光纤滤波器的左侧设置有第一环形器,第一光纤滤波器的右侧设置有第一数据处理模块。本发明提供的一种基于NV色心红外吸收检测的光纤磁场传感器,其灵敏度高、光子检测效率高且可实现磁场测量。

    一种基于相变材料的光纤环开关

    公开(公告)号:CN113900277B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202111020356.8

    申请日:2021-09-01

    Abstract: 本发明提供一种基于相变材料的光纤环开关。该基于相变材料的光纤环开关由两只拉锥型一分二光纤耦合器及光纤相变材料单元组成。将两只拉锥型一分二光纤耦合器的直通臂焊接成光纤环结构,在光纤环中单模光纤侧壁制作凹槽结构,依次镀相变材料薄膜及防氧化薄膜,构成光纤相变材料单元。光纤环开关有四个端口,其中两个对角线端口分别注入光脉冲对光纤相变材料单元进行调制与探测连续光对光纤环开关的状态进行监测。当高能窄带脉冲注入时,光纤环处于“闭合”状态;当低能宽带脉冲注入时,此时光纤环处于“断开”状态。该基于相变材料的光纤环开关作为一种光学调控光开关器件,具有切换速度更快和抗干扰能力更强的优点。

    一种折射率温度同时测量的光纤传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN112665658B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202110075616.5

    申请日:2021-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种折射率温度同时测量的光纤传感器及制备方法,包括双包层光纤、输入光纤和输出光纤,输入光纤和输出光纤分别与双包层光纤两端焊接连接;所述双包层光纤由外至内依次为高折射率包层、低折射率包层和纤芯,双包层光纤端面具有高‑低‑高折射率分布,将双包层光纤中部通过熔融拉锥技术制成锥形光纤,锥形光纤表面沉积一层金膜且金膜厚度满足产生SPR现象;锥形光纤外层高折射率包层通道产生SPR现象,内层高折射率纤芯通道产生模间干涉。本发明制作简单,成本低,交叉串扰小,在折射率传感领域具有较大的竞争力和应用前景。

    一种静电直写的微纳光相变纤维及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113604906B

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202110768649.8

    申请日:2021-07-07

    Abstract: 本发明公开了一种静电直写的微纳光相变纤维及其制备方法和应用,属于相变材料制备技术领域。本发明首先将有机前驱体溶于溶剂制成前驱体溶液,再采用静电直写的方法将前驱体溶液直写成为微纳光相变纤维的前驱体,最后经过加热分解、煅烧等后处理制成微纳光相变纤维。本发明提供的制备工艺成本低廉,能够制备空间一维延伸的光相变纤维,且可以按照需求控制微纳光相变纤维的形状。本发明制得的微纳光相变纤维可用于光逻辑、光开关、光调制等,有望在光学、微电子、传感等多个领域开展应用。

    一种基于光纤光镊技术的流速计

    公开(公告)号:CN113238075B

    公开(公告)日:2023-02-14

    申请号:CN202110436163.4

    申请日:2021-04-22

    Abstract: 本发明提供一种基于光纤光镊技术的流速计,包括激光器、光纤环形器、光纤探针、椭球形微粒、探测器。激光器与光纤环形器的输入端口相连,光纤探针与光纤环形器的输出端口相连,测量转速的光探测器与光纤环形器的出射端口相连,光纤探针尖端深入到微粒待测流速旋转区,探测器接收的干涉信号的周期性变化与椭球形微粒随液体流速的旋转速度相关联。本发明提出的流速计利用光纤光镊在流体流速场中实现对椭球形微粒的三维捕获与旋转操作测量流速,该流速计具有操作简单灵活、成本低廉、易集成的优点。

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