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公开(公告)号：CN101064344B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200710097691.1
申请日：2007-04-28
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/4916 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置设置有：预定导电类型的半导体衬底；异质半导体区，其与半导体衬底的第一主表面接触，该异质半导体区包括能带隙与半导体衬底的能带隙不同的半导体材料；栅极，在与异质半导体区和半导体衬底之间的接合区接近的位置处通过栅绝缘层形成栅极；源极，其连接到异质半导体区；以及漏极，其连接到半导体衬底，其中，异质半导体区包括与源极接触的接触部分，该接触部分的至少一部分区域的导电类型与半导体衬底的导电类型相同，该一部分区域的杂质浓度高于异质半导体区中被布置为通过栅绝缘层面对栅极的栅极面对部分的至少一部分区域的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN101452958A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810179265.7
申请日：2008-12-04
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。将异质半导体角部区作为防止反向偏置电流集中在凸型角部的电流集中缓和区布置在异质半导体区中。由此，可以防止电流集中在凸型角部。结果，可以改善关断时的关断特性，并且还防止导通时在特定部分产生热点以抑制特定部分的劣化，由此确保了长期可靠性。另外，当半导体芯片用在L负载电路等中时，例如，在导通时或对关断状态的瞬态响应期间，在作为当出现过流或过压时的破坏耐受度的指标的例如短路阻抗负载量和雪崩阻抗量等的指标中，可以防止电流集中在特定部分，因此，可以改善这些破坏耐受度。
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公开(公告)号：CN101320688A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810110641.7
申请日：2008-06-06
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L29/513 , H01L29/7828
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法及所制造出的半导体器件。这里教导了制造包括半导体衬底和异质半导体区的半导体器件的方法以及所生成的器件，其中该异质半导体区包括带隙不同于半导体衬底的带隙、并接触半导体衬底的第一表面的一部分的异质半导体材料。该方法包括在半导体衬底的第一表面的暴露部分上和异质半导体材料的暴露表面上沉积第一绝缘膜，以及通过在氧化气氛中进行热处理来在第一绝缘膜与半导体衬底和异质半导体区域的面向第一绝缘膜的表面之间形成第二绝缘膜。
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公开(公告)号：CN101188201A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710193701.1
申请日：2007-11-22
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/267 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法以及利用该方法制造的产品。该半导体器件包括：半导体衬底；异质半导体区，其与半导体衬底异质邻接；栅极绝缘层，其接触半导体衬底和异质半导体区的异质结；栅电极，其形成在栅极绝缘层上；电场缓和区，其与接触栅极绝缘层的异质结的异质结驱动端间隔开预定距离，并且接触半导体衬底和栅极绝缘层；源电极，其接触异质半导体区；以及漏电极，其接触半导体衬底。在异质半导体区形成掩模层，并且通过至少使用部分第一掩模层来形成电场缓和区和异质结驱动端。
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公开(公告)号：CN101165864A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710182015.4
申请日：2007-10-17
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/267
CPC classification number: H01L29/267 , H01L29/0623 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括：半导体基体；异质半导体区域，其由带隙与半导体基体的半导体材料不同的半导体材料制成，并被配置成与半导体基体结合形成异质结；栅极绝缘膜，其被配置成与半导体基体和异质半导体区域之间的异质结接触；栅电极，其被配置成与栅极绝缘膜接触；源电极，其被连接到异质半导体区域；以及漏电极，其被连接到半导体基体。所述制造方法包括：通过使用特定的掩膜材料，以自对齐的方式形成用于源电极的源极接触孔和栅电极。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101064344A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710097691.1
申请日：2007-04-28
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/4916 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置设置有：预定导电类型的半导体衬底；异质半导体区，其与半导体衬底的第一主表面接触，该异质半导体区包括能带隙与半导体衬底的能带隙不同的半导体材料；栅极，在与异质半导体区和半导体衬底之间的接合区接近的位置处通过栅绝缘层形成栅极；源极，其连接到异质半导体区；以及漏极，其连接到半导体衬底，其中，异质半导体区包括与源极接触的接触部分，该接触部分的至少一部分区域的导电类型与半导体衬底的导电类型相同，该一部分区域的杂质浓度高于异质半导体区中被布置为通过栅绝缘层面对栅极的栅极面对部分的至少一部分区域的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN101064309A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710097689.4
申请日：2007-04-28
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L28/20 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/267 , H01L29/66068 , H01L29/7828 , H01L29/866
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。为了防止场效应晶体管的电击穿而隔着场氧化膜形成在N－型漏极区域上的静电放电保护元件和保护电阻器，分别构成为一个或多个第一层的N+型多晶硅区域和第二层的P+型多晶硅区域的堆叠型双向齐纳二极管、以及一个或多个第一层的N+型电阻器层和第二层的N+型电阻器层的堆叠型电阻器。多个第一层的N+型多晶硅区域的一端连接到外部栅电极端子，而另一端连接到源电极。多个第一层的N+型电阻器层的一端连接到栅电极，而另一端连接到外部栅电极端子。通过使用形成异质半导体区域和栅电极的半导体膜，分别形成第一层和第二层的半导体区域。
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公开(公告)号：CN101038878A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610059812.9
申请日：2006-03-15
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，可提高导通时的驱动力，包含：使用具有规定开口的掩模层，在由基板(1)和漏区(2)构成的半导体基体的一个主面侧形成规定的沟槽(15)的工序；至少与沟槽(15)的侧壁相连接，且从该沟槽(15)露出地形成埋入区域(11)的工序；与半导体基体以及埋入区域(11)相连接地形成异质半导体层(30)的工序；对异质半导体层(30)进行图案形成，形成异质半导体区域(3)的工序。
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