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公开(公告)号：CN102865938B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210331662.8
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 本发明公开了一种热电偶及其形成方法，该方法包括：提供衬底；在衬底之上形成介质层；在介质层之上形金属层；对金属层进行光刻及刻蚀处理以形成第一压焊块、第二压焊块和热偶金属条，其中第二压焊块与热偶金属条相连；在介质层之上形成碳基薄膜，其中，碳基薄膜的一端与压焊块接触，另一端与热偶金属条接触；在第一压焊块形成第一金属接触，并在第二压焊块之上形成第二金属接触。本发明的热电偶采用石墨烯，具有很高的塞贝克系数，且可以通过栅电压进行调制，因此制作的热电偶灵敏性高；利用气压形成的碳基薄膜平整、致密、质量好；形成碳基薄膜之后的工序少，对碳基薄膜的沾污或损害少；最终形成两面夹结构的电极，强度更大，接触电阻更小。
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公开(公告)号：CN103579350A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310503580.1
申请日：2013-10-23
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/1033 , H01L29/1606 , H01L29/66666
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯场效应管及其形成方法，该场效应管包括：衬底；底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层，底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层位于衬底之上，底层源极接触和底层漏极接触分别位于栅金属层的左右两侧，底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层的材料相同且厚度相同；栅介质层，栅介质层位于栅金属层之上，栅介质层与栅金属层的接触界面为粗糙面；石墨烯薄膜，石墨烯薄膜位于底层源极接触、底层漏极接触和栅介质层之上；和顶层源极接触和顶层漏极接触，顶层源极接触位于石墨烯薄膜之上并且与底层源极接触位置相对应，顶层漏极接触位于石墨烯薄膜之上并且与底层漏极接触位置相对应。本发明具有迁移率高、栅控能力良好的优点。
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公开(公告)号：CN102983178A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210331609.8
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯光探测器及其制备方法，其中，石墨烯光探测器包括：基板；基板上形成有第一金属电极图形；第一金属电极图形上形成有第二金属电极图形；且任两个相邻的第一金属电极中：一第一金属电极上形成有第二金属电极，另一第一金属电极上没有第二金属电极；第一金属电极图形和第二金属电极图形上形成有石墨烯，石墨烯的功函数介于第一金属电极的功函数和第二金属电极的功函数之间，石墨烯上还形成有金属接触层图形，各金属接触电极与第一金属电极和第二金属电极对应。本发明降低了器件制备过程中对石墨烯迁移率等特性的影响，提高所制备的探测器的性能，可形成良好的电极接触，增大光电感应的频率范围。
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公开(公告)号：CN102938636A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210331610.0
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种混频器，包括：射频信号输入端、本振信号输入端、中频信号输出端、第一晶体管、第二晶体管、电压转换模块、第一偏置端以及第二偏置端，第一晶体管用于将由射频信号输入端输入的射频电压信号和由本振信号输入端输入的本振电压信号通过栅调制和漏调制得到中频电流信号，电压转换模块用于将中频电流信号转换成中频电压信号并通过中频信号输出端输出，采用双晶体管结构，射频电压信号、本振电压信号和中频电压信号分别通过不同的端口输入和输出，能在一定程度上降低各个信号之间的干扰，有效地提高各个信号之间的隔离度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102866178A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210331094.1
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种气体传感器及其形成方法，该气体传感器包括：衬底；形成在衬底之上的介质层；形成在介质层之上的第一压焊块和第二压焊块；形成在介质层之上的碳基薄膜，其中，碳基薄膜位于第一压焊块与第二压焊块之间，且覆盖第一压焊块与第二压焊块的一部分；以及形成在碳基薄膜之上的第一金属接触和第二金属接触，其中第一金属接触与第一压焊块的至少一部分相连，第二金属接触与第二压焊块的至少一部分相连。本发明的气敏材料采用石墨烯，气敏性质更优；利用气压在形成的碳基薄膜平整、致密、质量好；形成碳基薄膜之后的工序少，对碳基薄膜的沾污或损害少；最终形成两面夹结构的电极，强度更大，接触电阻更小。
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公开(公告)号：CN120017074A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510071724.3
申请日：2025-01-16
Applicant: 上海清华国际创新中心 , 清华大学
Abstract: 本申请公开了一种校验码生成方法和校验码生成装置，所述方法包括：获取待处理数据，并确定第一有效数据长度和第二有效数据长度；基于第一有效数据长度和预设关系确定第一校验码长度，基于第二有效数据长度和预设关系确定第二校验码长度；根据待处理数据沿第一方向的每个数据位的排列顺序确定第一位置权重，根据待处理数据沿第二方向的每个数据位的排列顺序确定第二位置权重；根据待处理数据、第一有效数据长度、第一校验码长度和第一位置权重确定第一校验码，根据待处理数据、第二有效数据长度、第二校验码长度和第二位置权重确定第二校验码；根据第一校验码和第二校验码确定校验码。该方法通过正交编码方式生成校验码，降低了编码校验位的代价。
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公开(公告)号：CN119990204A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411310098.0
申请日：2024-09-19
Applicant: 上海清华国际创新中心 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于存算一体设备的细粒度数模混合权重部署方法。方法包括获取第一权重矩阵；在第一权重矩阵的行数和/或列数大于CIM计算阵列的行数和/或列数的情况下，对第一权重矩阵进行拆分得到多个第二权重矩阵；分别获取每个第二权重矩阵在CIM计算阵列和数字计算核上的能效值，记为第一能效值和第二能效值；根据每个第二权重矩阵的第一能效值和第二能效值确定第二权重矩阵的部署方式。本发明的部署方法对第一权重矩阵进行拆分，并根据拆分后每个第二权重矩阵在CIM计算阵列和数字计算核的能效值，将其分配到数字计算核或CIM计算阵列进行计算。如此，可提高CIM计算阵列的空间利用率、计算能效和并行度，还可提高系统级能效和资源分配自由度。
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公开(公告)号：CN119964628A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411759656.1
申请日：2024-12-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种RRAM器件电导态非均匀超精度校验方法、装置和设备，方法包括：基于预设的非均匀划分策略和电导范围，将RRAM器件的电导态非均匀划分为多个电导态区间；为RRAM器件的每个电导态区间预存对应的校验数据，并利用预设的校验模式ADC电路读取每个电导态区间的当前电导态；基于每个电导态区间的当前电导态和每个电导态区间对应的校验数据，判定数据校验成功后，利用预设的读取模式ADC电路读取RRAM器件的实际电导态。由此，解决了已有的均匀划分电导区间的可编程电导范围划分方式使处于中间电导态的RRAM器件电导更容易发生漂移等问题，为中间电导态的RRAM器件留出更多容忍空间，减小RRAM状态漂移对读出精度的影响。
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公开(公告)号：CN119866060A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411913075.9
申请日：2024-12-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了垂直堆叠互补场效应晶体管及其制作方法和应用。根据本发明的实施例，该垂直堆叠互补场效应晶体管包括：衬底；N型晶体管设置在衬底的一侧，且为顶栅结构，N型晶体管包括第一沟道层、钝化保护层和第一栅氧化层，第一沟道层为IGZO沟道，钝化保护层位于第一沟道层和第一栅氧化层之间；P型晶体管设置在N型晶体管远离衬底的一侧，为背栅结构，且与N型晶体管共用栅极。通过形成钝化保护层来保护IGZO沟道，在制作第一栅氧化层以及后续制作P型晶体管时，可以有效阻隔氢的扩散，提高N型晶体管的抗氢性，从而提高N型晶体管的电学性能；且有利于实现N型晶体管在下的后道工艺兼容且高性能的垂直堆叠互补场效应晶体管。
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