公开(公告)号：CN105867018B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201610184687.8

申请日：2016-03-28

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 樊勇

IPC: G02F1/13357 ,  H01L33/34 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/0054 ,  G02F1/133602 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/133605 ,  G02F1/133621 ,  G02F2001/133612 ,  H01L27/15 ,  H01L29/1606 ,  H01L33/0037 ,  H01L33/0041 ,  H01L33/34 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯显示装置、石墨烯发光元件及其制作方法。该制作方法包括：提供下基板，在下基板上形成间隔设置的多个金属栅极；形成覆盖下基板和金属栅极的第一绝缘保护层；在第一绝缘保护层上形成石墨烯发光层，其中，石墨烯发光层包括间隔设置的多个石墨烯发光块；在各石墨烯发光块上形成间隔设置的石墨烯源极和石墨烯漏极；形成覆盖第一绝缘保护层、石墨烯发光层、石墨烯源极和石墨烯漏极的第二绝缘保护层；在第二绝缘保护层上贴合上基板。通过上述方式，本发明石墨烯发光元件使用金属作为栅极、石墨烯作为源极和漏极、以及石墨烯作为发光层，从而实现了提高发光元件的发光效率的同时，降低了发光元件的功耗。

公开(公告)号：CN106660801B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201580031160.5

申请日：2015-06-09

Applicant: 汉阳大学校产学协力团

Inventor： 成明模 ,  金世埈

IPC: C01B32/184

CPC classification number: H01L23/3171 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  C01B2204/22 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/7806 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/32 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/932

Abstract: 提供石墨烯结构。所述石墨烯结构，包括：二维基底石墨烯层(base graphene layer)，其具有缺陷；及连接材料(linking material)，提供于所述基底石墨烯层的所述缺陷。

公开(公告)号：CN109686753A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201710971308.4

申请日：2017-10-18

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林进富 ,  邱崇益

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78684 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构包含有一基底，该基底上定义有一存储器区以及一晶体管区，一绝缘层位于该基底上，一2D材料层，位于该绝缘层上，且同时位于该存储器区以及该晶体管区内，其中该晶体管区内的部分该2D材料层为一晶体管结构的一通道区，其中该晶体管结构位于该晶体管区内的该通道区上，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM)位于该存储器区内，该RRAM包含一下电极层、一电阻转换层与一上电极层依序位于该2D材料层上并电连接于该通道区。

公开(公告)号：CN108122763A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710248955.2

申请日：2017-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林佑明 ,  后藤贤一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/535 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体元件的制造方法，半导体元件包括鳍状场效晶体管元件，含有突出于基材层的鳍状结构，且鳍状结构沿第一方向延伸若干长度。通道层是形成于鳍状结构上。栅极堆叠包含栅极电极层和栅极介电层，形成于通道区上并沿垂直于第一方向的第二方向延伸，且覆盖鳍状结构的部分长度。源极和漏极是形成于沟渠上，且沟渠延伸入鳍状结构至其至少30％的高度。

公开(公告)号：CN108028267A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680056231.1

申请日：2016-08-18

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： T·史考金斯 ,  R·G·谢泼德 ,  A·H·拉希德 ,  J·L·伯尔

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C01B32/20 ,  C01B32/956 ,  C04B35/522 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/87 ,  C04B2111/00405 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9607 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1606 ,  C04B38/00 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/4556

Abstract: 本发明描述一种包含(i)内部块状石墨材料及(ii)外部碳化硅基质材料的碳化硅‑石墨复合物，其中所述内部块状石墨材料及外部碳化硅基质材料在其间的界面区域处彼此相互渗透，且其中石墨存在于所述外部碳化硅基质材料中的包含物中。此材料可通过在化学反应条件下使前驱体石墨物件与一氧化硅(SiO)气体接触来形成，所述化学反应条件可有效地将所述前驱体石墨物件的外部部分转化为石墨存在于内部包含物中的碳化硅基质材料，且其中所述碳化硅基质材料及内部块状石墨材料在其间的界面区域处彼此相互渗透。此碳化硅‑石墨复合物适用于许多应用，诸如在制造太阳能电池或其它光学、光电、光子、半导体及微电子产品中的植入式硬掩模，以及在诸如光束线组合件、光束操控镜头、电离腔室衬垫、光束光阑及离子源腔室的离子植入系统材料、组件及组合件中。

公开(公告)号：CN107923868A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680046827.3

申请日：2016-05-18

Applicant: 诺基亚技术有限公司

Inventor： S·M·哈克 ,  S·博里尼

IPC: G01N27/414 ,  H01L29/778 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/772 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00

CPC classification number: G01N27/4146 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  G01N27/4148 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/423 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/778 ,  H01L31/028 ,  H01L31/10 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种装置，包括沟道构件(401)、第一电极和第二电极(403、404)、以及支撑衬底(402)，该第一电极和第二电极被配置为使电流能够从第一电极通过沟道构件流到第二电极，该支撑衬底被配置为支撑沟道构件以及第一电极和第二电极，其中沟道构件通过纳米膜(411)而与支撑衬底分离，该纳米膜被配置为通过抑制沟道构件与支撑衬底之间的相互作用来便于电流流过沟道构件。可能地，在衬底与纳米膜之间存在导电屏蔽层(412)，该层也可以是纳米膜。所述装置还可以包括栅电极(406)和栅极电介质(407)，所述栅极电介质也可能是纳米膜。如图5所示，该装置可以被配置为感测分析物物质(513)。

公开(公告)号：CN104103626B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201410127366.5

申请日：2014-03-31

Applicant: 英特尔公司

Inventor： H-J·巴斯

IPC: H01L23/532

CPC classification number: H01L51/0048 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49872 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/645 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L29/1606 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请公开了混合碳－金属互连结构。本公开的实施例涉及一种用于集成电路组件中的混合碳－金属互连结构的技术和构造。在一个实施例中，装置包括衬底、金属互连层和石墨烯层，该金属互连层设置在衬底上并且配置成作为石墨烯层的生长起始层，其中石墨烯层在金属互连层上直接形成，金属互连层和石墨烯层被配置成路由电信号。可描述和/或要求保护其它的实施例。

公开(公告)号：CN107735864A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201680039906.1

申请日：2016-06-08

Applicant: 美商新思科技有限公司

Inventor： V·莫洛兹 ,  J·黄 ,  J·卡瓦

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/151 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

Abstract: 粗略地描述，晶体管形成有共形地包裹在3D结构的至少一部分上的半导体2D材料层。所述3D结构可以是例如由电介质材料制成或者由与半导体或传导材料纵向交替的电介质材料制成的脊。可替代地，所述3D结构可以是树形。其他形状也是可能的。各方面还包括用于制造此类结构的方法、以及限定此类结构的集成电路布局和用于开发此类布局的方法、存储包括限定此类结构和布局的一些设计条目的设计条目的机器可读数据存储介质、用于开发此类设计条目的方法。各方面还包括被制备为用于制造集成电路中的中间产品的皱褶状晶片，所述集成电路具有共形地设置在3D结构上的半导体2D材料层。

公开(公告)号：CN104253015B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201310254601.0

申请日：2013-06-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 贾昆鹏 ,  粟雅娟 ,  朱慧珑 ,  赵超

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/043 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/324 ,  H01L21/426 ,  H01L21/441 ,  H01L21/477 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明提供了一种降低二维晶体材料接触电阻的方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有二维晶体材料层；在所述二维晶体材料层上形成图案化的掩膜层；在掩膜层及二维晶体材料层上形成接触材料层；进行离子注入；去除掩膜层及其上的接触材料层；进行热退火工艺。本发明不需要额外增加掩膜版和刻蚀工艺，自对准实现二维晶体材料层接触电阻的调整，有效降低了二维晶体材料与接触材料的接触电阻。

公开(公告)号：CN104241093B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201410274878.4

申请日：2014-06-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K.普吕格尔 ,  G.鲁尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/02524 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0405 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/7685 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/778

Abstract: 公开了一种用于处理载体的方法和电子部件。在各个实施例中，提供一种处理载体的方法。所述用于处理载体的方法包括：在载体上形成第一催化金属层；在第一催化金属层上形成源层；在源层上形成第二催化金属层，其中第二催化金属层的厚度大于第一催化金属层的厚度；和随后进行退火，以使得能够进行源层的材料的扩散，以由源层的扩散材料形成与载体的表面邻接的界面层。