金属配合物系电致变色器件

    公开(公告)号:CN112534344B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN201980019468.6

    申请日:2019-03-15

    Abstract: 本发明的一个目的是提供一种新型电致变色器件(ECD)。公开了一种电致变色器件(ECD),其包括分别充当工作电极和对电极的两种金属配合物系电致变色薄膜;(i)所述两种金属配合物系电致变色薄膜中的一种是阴极着色金属超分子聚合物的膜,其包含具有多个金属配位位置的至少一种有机配体和至少一种过渡金属和/或镧系元素金属的金属离子,其中所述至少一种有机配体和所述金属离子交替地布置,并且所述两种金属配合物系电致变色薄膜中的另一种是由式:M(II)3[Fe(III)CN6]2(其中M=Fe、Ni或Zn)表示的阳极着色六氰合铁酸金属盐(MHCF)的膜,以及(ii)所述电致变色器件具有依次布置的第一导电基底、所述阴极着色金属超分子聚合物的膜、电解质、所述阳极着色六氰合铁酸金属盐(MHCF)的膜和第二导电基底。

    层叠体及其制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118119729A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202280067419.1

    申请日:2022-10-06

    Abstract: 提供一种与以往的由具备氮化镓的硅基板形成的层叠体相比,由具备结晶性更高的氮化镓的硅基板形成的层叠体、其制造方法、具备该层叠体的半导体元件、以及具备该半导体元件的电子设备中的至少任一者。该层叠体的特征在于具有层叠有Si(111)基板、含氧的氮化铝膜和氮化镓膜的结构。该层叠体优选通过下述层叠体的制造方法得到,其特征在于,其具有:AlN成膜工序,在Si(111)基板上成膜氮化铝膜,得到具备氮化铝膜的Si基板;氧化工序,在氧化气氛下对该具备氮化铝膜的Si基板进行处理,得到具备含氧的氮化铝膜的Si基板;以及GaN成膜工序,在该具备含氧的氮化铝膜的Si基板上成膜氮化镓膜,所述层叠体具有层叠有Si(111)基板、含氧的氮化铝膜和氮化镓膜的结构。

    荧光体、其制造方法及发光元件

    公开(公告)号:CN113646404B

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202080026537.9

    申请日:2020-03-16

    Inventor: 广崎尚登

    Abstract: 本发明提供一种荧光体,该荧光体通过照射可见光或紫外线而发射近红外光。在本发明的实施例中,该荧光体含有无机物质,所述无机物质至少包含Eu元素、M[3]元素(M[3]为选自Al、Y、La和Gd的至少1种元素)、Si元素和氮元素,根据需要,还包含选自M[1]元素(M[1]为Li元素)、M[2]元素(M[2]为选自Mg、Ca、Ba和Sr的至少1种元素)和氧元素的至少1种元素,该荧光体在激发源的照射下,在760nm以上且850nm以下范围的波长内具有发光峰的极大值。

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