中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

365 records (took 0.031 seconds)

    具有改进的回收特性的粉末及其制备方法和应用
    2.
    发明授权
    具有改进的回收特性的粉末及其制备方法和应用 有权

    公开(公告)号：CN1817942B

    公开(公告)日：2010-05-12

    申请号：CN200510107004.0

    申请日：2005-09-30

    Applicant: 德古萨公司

    Inventor： S·蒙谢默 ,  U·西蒙 ,  M·格雷布 ,  F·-E·鲍曼 ,  W·克里斯托夫 ,  S·阿尔特坎珀

    IPC: C08J3/12 ,  B29C67/04 ,  C08L77/00 ,  C08K7/20

    CPC classification number: C08J3/14 ,  B29C64/153 ,  B33Y70/00 ,  C08G69/26 ,  C08J2377/02 ,  Y10T428/2991

    Abstract: 本发明涉及一种粉末、一种分层式加工方法，在该方法中选择性熔融各粉末状层区并使其冷却后固化，本发明还涉及一种由该粉末制备的模制体。在RP法或RM法中一方面形成由所需的构件组成的块状体，另一方面主要是未经熔融的粉末组成的部分，该粉末与构件一起保留在该块体中直到脱模和取出。该未经熔融的粉末经筛分和加入新粉末后可用于另一构造过程(回收)。现有技术的未经熔融的粉末在合适的RP/RM装置的构造腔中的通常条件(温度、适当时的残余酸含量)下易于发生后缩合，在个别情况下也发生不可控的氨端基分解，并且该回收的粉末的溶液粘度明显增高，使其不能或仅有限地用于下次构造过程中。通过本发明的经相对置二官能团调节的聚酰胺或共聚酰胺的混合物可制备具有几乎恒定溶液粘度的聚酰胺粉末或共聚酰胺粉末，该粉末可在不加新粉末情况下多次用于RP/RM方法中。

    包含硅化合物的聚合物分散体
    4.
    发明授权
    包含硅化合物的聚合物分散体 失效

    公开(公告)号：CN100558770C

    公开(公告)日：2009-11-11

    申请号：CN200480021847.2

    申请日：2004-06-02

    Applicant: 德古萨公司

    Inventor： D·巴福尔特 ,  H·马克

    IPC: C08F220/10 ,  C08F265/04

    CPC classification number: C09J183/10 ,  C08F30/08 ,  C08F283/12 ,  C08L51/085 ,  C08L2666/02 ,  C09D151/085 ,  C09D183/10 ,  C09J151/085

    Abstract: 本发明涉及聚合物分散体，其中包括以下(i)和(ii)的物理状态混合物的组分被引入到该聚合物的骨架中：(i)至少一种通式(I)的不饱和硅烷：[H2C＝CX(Y)n]Si(CH3)p(R)3-p，其中X是氢原子或甲基，Y是选自-CH2-和-C(O)O-(CH2)3-中的二价基团，n是0或1，R是选自甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基和2-甲氧基乙氧基中的烷氧基，和p是0或1，和(ii)至少一种通式(II)的有机硅烷：R1Si(CH3)q(R2)3-q，其中R1是具有1-18个碳原子的线性、支化或环烷基，或是芳基或是聚醚基团，R2是选自甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基和2-甲氧基乙氧基中的烷氧基，以及q是0或1，和/或至少一种通式(III)的硅酸酯：Si(R3)4，其中基团R3是相同或不同的，并且R3是选自甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基和异丁氧基中的烷氧基。本发明还涉及制备这种聚合物分散体的方法及其用途。

    低K介电薄膜的制法
    5.
    发明授权
    低K介电薄膜的制法 失效

    公开(公告)号：CN100530560C

    公开(公告)日：2009-08-19

    申请号：CN200480018730.9

    申请日：2004-06-02

    Applicant: 德古萨公司

    Inventor： A·屈恩勒 ,  C·约斯特 ,  H·劳勒德 ,  C·伦特罗普 ,  R·范达姆 ,  K·蒂默 ,  H·菲舍尔

    IPC: H01L21/312

    CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

    Abstract: 本发明涉及制造用于半导体或电路的低k介电薄膜的方法，包括：为了制造该薄膜而使用下式的不完全缩合的多面体低聚倍半硅氧烷：[(RaXbSiO1.5)m(RcYdSiO)n]，其中：a，b＝0-1；c，d＝1；m+n≥3；a+b＝1；n，m≥1，R＝氢原子或烷基、环烷基、链烯基、环烯基、炔基、环炔基、芳基或杂芳基，在所有情况下是取代的或未取代的，X＝氧代、羟基、烷氧基、羧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、卤素、环氧、酯、氟烷基、异氰酸酯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、腈、氨基或膦类基团，或者含至少一个这种X型基团的R型取代基，Y＝羟基、烷氧基或O-SiZ1Z2Z3型取代基，其中Z1、Z2和Z3是氟烷基、烷氧基、甲硅烷氧基、环氧、酯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或腈类基团，或者R型的取代基，而且它们相同或不同，不仅R型的取代基是相同或不同的，而且X和Y型的取代基在所有情况下是相同或不同的，并且含有至少一个羟基作为Y型的取代基，并涉及这种方法制造的低k介电薄膜。

    N-取代的氨基聚硅氧烷的稳定溶液、其制备及用途
    8.
    发明授权
    N-取代的氨基聚硅氧烷的稳定溶液、其制备及用途 失效

    公开(公告)号：CN100506890C

    公开(公告)日：2009-07-01

    申请号：CN200580000416.2

    申请日：2005-05-12

    Applicant: 德古萨公司

    Inventor： B·施坦克 ,  P·延克纳

    IPC: C08G77/388 ,  C08L83/08 ,  C09D183/08 ,  B05D7/14 ,  C03C25/32

    CPC classification number: C08J3/095 ,  C07F7/21 ,  C08J2383/08 ,  Y10T428/12569 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663

    Abstract: 本发明提供稳定、低氯化物、具有以下通式(I)的有机酸与阳离子N-取代氨基聚硅氧烷的含氢酸盐的溶液：其中，基团R彼此独立地各自为苄基或乙烯基苄基，基团Y为相同的或不同的，并且Y是烷氧基或羟基或O1/2，A为有机羧酸，而0≤a≤2，0≤b≤1，c≥0.125，0.125≤(a+b)≤3，x≥2，所述含氢酸盐基本上以T结构单元的形式存在于低级醇中。通过相应的阳离子N-取代氨基聚硅氧烷的盐酸盐与NaOH或醇钠盐或与有机羧酸A的钠盐反应，及沉淀和去除NaCl来进行制备。所述溶液被用作有机和无机表面之间的粘结促进剂、用于用无机填料、玻璃纤维或金属颗粒增强有机聚合物，或用于用有机聚合物涂覆无机表面，其中获得了厚度最高至800nm的氨基聚硅氧烷涂层。

Patent Agency Ranking