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公开(公告)号：CN117936374A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410133996.7
申请日：2024-01-31
Applicant: 江西万骏光电有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种补偿边缘效应提高刻蚀均匀性的工艺方法。定制与被刻蚀晶圆高度一致的刻蚀补偿环，刻蚀补偿环内径比晶圆外径稍大。刻蚀时将刻蚀补偿环环套在晶圆外围，达到扩大晶圆等效面积的目的，实现补偿边缘效应提高刻蚀均匀性的效果。这种工艺只需根据晶圆尺寸提前定制一刻蚀补偿环耗材，不额外增加工艺步骤，操作简单易实现，生产成本低，是一种低成本、简单易行的补偿边缘效应提高刻蚀均匀性的方法。
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公开(公告)号：CN114545213A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210270515.8
申请日：2022-03-18
Applicant: 江西万骏光电有限公司
Inventor： 曹俊诚
IPC: G01R31/308 , G01J5/48
Abstract: 本发明涉及低温测试技术领域，具体地说，是一种低温芯片工作状态的观测装置及观测方法，用于低温芯片工作状态及工作环境的测量，观测装置包括密封窗片、透镜、远红外探测阵列、外壳、平移台和计算机；透镜对被测低温芯片的不同区域进行成像，观测时，透镜和远红外探测阵列安装于外壳上，并通过平移台实现整个观测装置的位置移动，使得在某一位置上，被测低温芯片中某一区域的辐射透过密封窗片后成像于远红外探测阵列上，通过计算机上的控制软件分别记录低温芯片不同区域的远红外图像以及这些图像随时间的变化，从而实现对低温芯片工作状态的观测和分析。本发明提出的观测装置具有体积小、成本低、结构简单、观测速度快、使用方便等优点，特别适合低温芯片工作状态的观测和分析。
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公开(公告)号：CN112577602B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202011515072.1
申请日：2020-12-21
Applicant: 江西万骏光电有限公司
Inventor： 曹俊诚
IPC: G01J4/00
Abstract: 本发明属于远红外激光技术领域，具体地说，是一种迈克尔逊干涉式远红外光偏振态的转换装置及其实现方法，包括：第一线偏振片、动镜、定镜、第二线偏振片、透镜以及探测器。本发明所提出的远红外光偏振态转换装置可以实现线偏振光到近圆偏振光再到线偏振光的周期性调节与转换，具有工作波长范围宽，偏振态转换效果好等优点，与传统45度入射线偏振片方式相比，本发明利用迈克尔逊干涉原理，可以任意调节两束会合激光的光程差，突破了偏振状态转换和调节过程受平面反射镜与线偏振片距离的限制，降低了转换和调节的难度，实现了更宽波长范围远红外光偏振态的转换和调节，同时本发明还可以使两束会合激光完全重合，提高了合束激光偏振态的信噪比。
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公开(公告)号：CN114544152A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210270508.8
申请日：2022-03-18
Applicant: 江西万骏光电有限公司
Inventor： 曹俊诚
Abstract: 本发明属于远红外测量技术领域，具体地说，是一种远红外激光器芯片出光状态的观测装置及观测方法，包括透镜、滤光片、热探测阵列、外壳、移动台和计算机；透镜对被测远红外激光器芯片端面进行成像，滤光片用于滤除被测远红外激光器芯片及其周围背景产生的多余红外背景辐射；观测时，透镜、滤光片和热探测阵列安装于外壳上，通过移动台实现整个观测装置的位置移动，使得被测远红外激光器芯片端面的像位于热探测阵列上，调节被测远红外激光器芯片的驱动电压或电流，使得激光器芯片出光状态发生改变，在热探测阵列上分别记录不同状态下的出光光斑信息，包括光斑的大小、出光强弱以及二者随随时间的变化，从而实现对远红外激光器芯片出光状态的观测。
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公开(公告)号：CN112577602A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011515072.1
申请日：2020-12-21
Applicant: 江西万骏光电有限公司
Inventor： 曹俊诚
IPC: G01J4/00
Abstract: 本发明属于远红外激光技术领域，具体地说，是一种迈克尔逊干涉式远红外光偏振态的转换装置及其实现方法，包括：第一线偏振片、动镜、定镜、第二线偏振片、透镜以及探测器。本发明所提出的远红外光偏振态转换装置可以实现线偏振光到近圆偏振光再到线偏振光的周期性调节与转换，具有工作波长范围宽，偏振态转换效果好等优点，与传统45度入射线偏振片方式相比，本发明利用迈克尔逊干涉原理，可以任意调节两束会合激光的光程差，突破了偏振状态转换和调节过程受平面反射镜与线偏振片距离的限制，降低了转换和调节的难度，实现了更宽波长范围远红外光偏振态的转换和调节，同时本发明还可以使两束会合激光完全重合，提高了合束激光偏振态的信噪比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118016683A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410060633.5
申请日：2024-01-16
Applicant: 江西万骏光电有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/488
Abstract: 一种红外焦平面阵列探测器互连铟柱的制备方法，其中：其步骤如下：S1:芯片衬底涂双层胶；S2:第一次曝光，S3:第二次曝光，S4:显影，S5:蒸铟，S6:剥离。本发明提供一种红外焦平面阵列探测器互连铟柱的制备方法，这种方法制备的铟柱与光刻胶不接触，湿法剥离容易，铟柱一致性好。两次涂胶、两次曝光不穿插在一起，避免了曝光区和未曝光区光刻胶互溶，显影边界清晰，光刻图形精度高。此外，两次涂胶和两次曝光在时间上按工艺种类分开，有利于提高工艺效率及降低生产成本。
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公开(公告)号：CN112433383B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202011514570.4
申请日：2020-12-21
Applicant: 江西万骏光电有限公司
Inventor： 曹俊诚
Abstract: 本发明属于远红外激光技术领域，具体地说，是一种远红外光偏振态的转换装置及其实现方法，包括：第一线偏振片、分束片、第二线偏振片、平面反射镜、第三线偏振片、透镜以及探测器。本发明所提出的远红外光偏振态转换装置可以实现线偏振光到近圆偏振光再到线偏振光的周期性调节与转换，具有工作波长范围宽，偏振态转换效果好等优点，与45度入射线偏振片的方式相比，本发明利用正入射光在经过线偏振片进行传播过程中光束重叠度高的特点，突破了偏振状态转换和调节过程受平面反射镜与线偏振片距离的限制，提高了合束激光偏振特性的信噪比，降低了转换和调节的难度，实现了更宽波长范围远红外光偏振态的转换和调节。
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公开(公告)号：CN115763500A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211552586.3
申请日：2022-12-06
Applicant: 江西万骏光电有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L31/102 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 本发明属于光电子器件技术领域，具体地说，是一种红外焦平面阵列探测器及其刻蚀方法，红外探测器材料结构从下往上依次为衬底、缓冲层、底接触层、吸收层、势垒层以及顶接触层；材料先进行浅台面刻蚀制作出像元阵列，再进行深沟槽刻蚀制作公共底电极用N沟槽，浅沟槽刻蚀深度至势垒层，N沟槽刻蚀深度至底接触层，通过在像元阵列及N沟槽之外设置激光监测区，激光监测区在浅台面刻蚀及深沟槽刻蚀时，同步被刻蚀；采用激光干涉仪实时检测激光监测区刻蚀深度并适时终止刻蚀。该方法不增加工艺步骤及复杂性，只需在工艺版图中增加激光监测区，在干法刻蚀系统中引入激光干涉仪，即可显著提高刻蚀效率及N沟槽刻蚀深度准确性。
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公开(公告)号：CN112433383A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011514570.4
申请日：2020-12-21
Applicant: 江西万骏光电有限公司
Inventor： 曹俊诚
Abstract: 本发明属于远红外激光技术领域，具体地说，是一种远红外光偏振态的转换装置及其实现方法，包括：第一线偏振片、分束片、第二线偏振片、平面反射镜、第三线偏振片、透镜以及探测器。本发明所提出的远红外光偏振态转换装置可以实现线偏振光到近圆偏振光再到线偏振光的周期性调节与转换，具有工作波长范围宽，偏振态转换效果好等优点，与45度入射线偏振片的方式相比，本发明利用正入射光在经过线偏振片进行传播过程中光束重叠度高的特点，突破了偏振状态转换和调节过程受平面反射镜与线偏振片距离的限制，提高了合束激光偏振特性的信噪比，降低了转换和调节的难度，实现了更宽波长范围远红外光偏振态的转换和调节。
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公开(公告)号：CN222530373U
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202420233812.X
申请日：2024-01-31
Applicant: 江西万骏光电有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本实用新型提供一种补偿边缘效应提高刻蚀均匀性的补偿环结构。包括刻蚀托盘，所述刻蚀托盘中心通过导热硅油固定有待刻GaAs晶圆，所述待刻GaAs晶圆外侧套有刻蚀补偿环，刻蚀结构环境中充有混合气体。定制与被刻蚀晶圆高度一致的刻蚀补偿环，刻蚀补偿环内径比晶圆外径稍大。刻蚀时将刻蚀补偿环环套在晶圆外围，达到扩大晶圆等效面积的目的，实现补偿边缘效应提高刻蚀均匀性的效果。这种工艺只需根据晶圆尺寸提前定制一刻蚀补偿环耗材，不额外增加工艺步骤，操作简单易实现，生产成本低，是一种低成本、简单易行的补偿边缘效应提高刻蚀均匀性的方法。
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