一种多策略联合改进的稀疏面阵优化方法及系统

    公开(公告)号:CN119862803A

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202510353565.6

    申请日:2025-03-25

    Abstract: 本发明公开了一种多策略联合改进的稀疏面阵优化方法及系统,方法包括:计算每种初始阵元分布的峰值旁瓣电平,得到当前的最低峰值旁瓣电平和与最低峰值旁瓣电平相应的最佳阵元分布,根据改进蒲公英优化算法中的上升阶段、下降阶段和着陆阶段更新阵元位置;启动柯西螺旋逆累积分布变异策略对阵元位置进行变异,计算出更新后的阵元分布的目标最低峰值旁瓣电平,若目标最低峰值旁瓣电平的值比最低峰值旁瓣电平的值大,则替换为更新后的阵元分布;更新全局最优阵元分布位置和相应的最低峰值旁瓣电平。提升了算法在全局搜索和局部开发方面的效率,避免算法过早陷入局部最优,从而提高算法的求解精度和收敛速度。

    一种用于超导磁体的拉杆紧急预警系统

    公开(公告)号:CN116153041A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202310402458.9

    申请日:2023-04-17

    Abstract: 本发明涉及超导磁体技术领域,公开了一种用于超导磁体的拉杆紧急预警系统,包括:信息获取模块,用于获取基本特征信息,处理模块,用于基于基本特征信息进行数据分析;基于实时冷质量与预设冷质量之间的关系设定预设拉力F;基于实时拉力与预设拉力之间的关系设定紧急预警等级;基于拉杆的长度L与预设长度的关系设定修正系数对紧急预警等级进行修正;当冷质量运行处于预设温度范围时计算冷缩应力,并计算温差应力,基于温差应力与预设温差应力的关系设定警告消息等级;输出模块,用于输出预警信息,预警信息包括紧急预警等级信息和警告消息等级信息。本发明对拉杆的断裂进行提前预警,避免拉杆突然断裂影响超导磁体工作。

    一种超导磁体的开关装置

    公开(公告)号:CN116130199A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202310389927.8

    申请日:2023-04-13

    Abstract: 本发明涉及超导磁体技术领域,公开了一种超导磁体的开关装置,包括:壳体,导冷组件,传感部,水冷组件和控制模块,壳体内部设置有线圈支架,导冷组件放置在线圈支架上,导冷组件连接于超导磁体,传感部设置在壳体内,传感部用于获取导冷组件的实时温度,水冷组件设置在导冷组件的一侧,水冷组件用于对导冷组件进行冷却,控制模块电连接于传感部和水冷组件,且控制模块用于对传感部和水冷组件进行管理和控制,本发明可以提高开关装置对超导磁体的冷却效率,有效地缩短对超导磁体的冷却时间,使生热和制冷量达到动态平衡,既能极大程度上减少超导磁体设备的运行成本,又能极大加强设备的稳定性和可靠性。

    一种超导磁体性能检测设备及方法

    公开(公告)号:CN112197818A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202011387049.9

    申请日:2020-12-02

    Abstract: 本发明涉及超导磁体设备技术领域,公开了一种超导磁体性能检测设备及方法,超导磁体性能检测设备包括:超导带材检测装置,用于检测超导带材的载流能力和强度能力,且超导带材检测装置包括弯曲装置和拉伸机;磁体检测装置,用于检测超导磁体的气隙中各位置磁场的强弱;真空特性检测装置,用于检测杜瓦容器的真空特性;超导磁体的热均匀性或导热性检测装置,用于检测超导磁体的热均匀性或超导磁体的导热性能;本发明通过磁体检测装置保证了本发明检测设备的适用性,可对不同结构的超导磁体的气隙空间的磁场进行检测,结构简单;本发明设备应用的超导磁体性能检测方法,程序化了检测过程,大大提高了检测效率,且保证了本发明装置的精确性。

    一种LED灯丝
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106298751B

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201610712582.5

    申请日:2016-08-24

    Abstract: 本发明提供了一种LED灯丝,包括:基板以及设置在基板上的至少一排LED芯片组;基板两端设有金属层及与金属层固定连接的金属架,金属层通过金属线与其相邻的LED芯片连接;在每排LED芯片组中包括多个基于基板中心对称排列的LED芯片,每两个LED芯片之间通过金属线连接;沿基板的端部到基板的中心位置的方向上,每两个LED芯片之间的距离逐渐增加,且每两个LED芯片之间的距离呈斐波那契数列排列。相比于现有的LED芯片等间距和等差数列排布,有效克服了基板中间温度过高的缺点,在灯丝中间区域很长一段范围内,无论是基板的温度还是LED芯片的温度都是最低的。

    高压白色发光二极管
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108666406A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201810626424.7

    申请日:2018-06-19

    Abstract: 一种高压白色发光二极管,包括支架(1)、荧光粉胶(2)、LED芯片(3)、内引线(4)和透明硅胶(5)。所述白色发光二极管在LED芯片和荧光粉胶之间填充了一层透明硅胶;所述LED芯片为内连接单颗高压蓝光LED芯片,通过蒸镀电极连接桥的方式将3个芯粒以串联的方式连接起来而构成单颗发光二极管芯片;所述白色发光二极管的内引线仅有二条。本发明在蓝光LED芯片和荧光粉胶之间填充了一层透明硅胶,避免荧光粉直接与工作时发热的LED芯片接触,可降低荧光粉的热衰减,提升了白光发光二极管的光通量维持率。本发明芯片的内引线少,不仅减少了焊接工序,而且减少了金线对光线的吸收和反射,提高了白光发光二极管的发光效率。

    一种LED灯丝
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106298751A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610712582.5

    申请日:2016-08-24

    CPC classification number: H01L25/0753

    Abstract: 本发明提供了一种LED灯丝,包括:基板以及设置在基板上的至少一排LED芯片组;基板两端设有金属层及与金属层固定连接的金属架,金属层通过金属线与其相邻的LED芯片连接;在每排LED芯片组中包括多个基于基板中心对称排列的LED芯片,每两个LED芯片之间通过金属线连接;沿基板的端部到基板的中心位置的方向上,每两个LED芯片之间的距离逐渐增加,且每两个LED芯片之间的距离呈斐波那契数列排列。相比于现有的LED芯片等间距和等差数列排布,有效克服了基板中间温度过高的缺点,在灯丝中间区域很长一段范围内,无论是基板的温度还是LED芯片的温度都是最低的。

    一种氮化镓基功率型LED芯片制作方法

    公开(公告)号:CN102214746A

    公开(公告)日:2011-10-12

    申请号:CN201110157236.2

    申请日:2011-06-13

    Abstract: 一种氮化镓基功率型LED芯片制作方法,该方法利用刻蚀、真空蒸镀等技术在外延层上分别制作好P型欧姆接触及AL层反射镜,并利用激光打孔技术在裸露的N型外延层区域打孔,然后制作好N型区的欧姆接触,同时在孔内沉淀好金属材料,再利用绝缘材料保护N型区域,实现N型区与P型区的隔离;将外延片减薄,使得所打的孔成为连通兰宝石基板与N型区的通孔,并在基板表面制作焊线电极。由于本发明方法将发光PN结区靠近导热材料,解决了传统正装结构LED芯片所存在的导热、散热问题,同时无需考虑传统倒装结构的电路对应等问题,具有使用方便,节约成本,成品率高的特点。本发明适用于氮化镓基功率型LED芯片的制备。

    一种导体铠装成型方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116994835A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310724072.X

    申请日:2023-06-19

    Abstract: 本发明公开了一种导体铠装成型方法,涉及导体制备技术领域,包括步骤1、准备好待铠装的导体材料,选择与待铠装的导体材料相适应匹配的金属或合金材料作为铠装材料;步骤2、将待铠装的导体材料的外表面进行第一次清洗和除油处理,处理后计算待铠装的导体材料的外表面清洁程度;步骤3、将铠装材料进行加工处理,计算铠装材料和待铠装的导体材料的适配度;步骤4、根据需求对铠装层进行焊接或接头处理,计算接头焊接质量度;步骤5、将铠装材料套在待铠装的导体材料外表面,并计算铠装材料和待铠装的导体材料的紧密度;步骤6、第一检查和第二检查均通过后得到成型的带有铠装层的导体材料。提高了铠装效率和检测性。

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