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公开(公告)号：CN118966129A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411433533.9
申请日：2024-10-15
Applicant: 珠海硅芯科技有限公司
IPC: G06F30/39
Abstract: 本申请实施例提供了一种芯片版图网格快速剖分方法、装置、设备及介质，方法包括：获取待剖分的芯片版图；解析芯片版图，获取多个待剖分的版图元素，计算版图元素对应的最小特征树；版图元素至少包括焊盘、过孔、铺铜形状和连线；按照预设顺序对多个版图元素进行排序，生成版图元素队列；在版图元素队列中依序查询每个版图元素是否对应有特征树，若无，根据最小特征树对每个版图元素的特征树进行快速节点剖分，获取版图元素对应的多叉树数据结构；快速节点剖分包括虚拟规则节点剖分、高精度规则节点剖分和AI快速自动剖分中的任一项；根据每个版图元素对应的多叉树数据结构对应的子树信息完成对芯片版图的网格快速剖分。
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公开(公告)号：CN118709618B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411190076.5
申请日：2024-08-28
Applicant: 珠海硅芯科技有限公司
IPC: G06F30/3308 , G06F30/392
Abstract: 本发明提供一种三维集成电路的压降分析方法、计算机装置及存储介质，该方法包括获取三维集成电路的版图信息，对三维集成电路进行电源网络的划分；计算划分后的每一电源网络的最小的全等矩阵单元；选定各电源网络的电源参数，确定电源网络的电流方向和仿真元件，形成各全等矩阵单元的电阻的电路关系和全等矩阵单元的电路仿真的电阻模型；对全等矩阵单元的电路仿真的电阻模型进行合并和简化，形成简化电阻模型，并计算各全等矩阵单元的电压参数；基于简化电阻模型进行电磁分析，对受电磁影响大的区域进行网格加密处理。该计算机装置和存储介质能够实现上述的方法。本发明在确保计算精度的情况下减少压降分析的计算量。
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公开(公告)号：CN118647250B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411104425.7
申请日：2024-08-13
Applicant: 珠海硅芯科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有温差发电结构的三维集成电路及其工作方法，三维集成电路包括基材，基材上方形成有堆叠结构，堆叠结构包含有二层以上的功能芯片，在至少一层功能芯片的外侧设置有至少一个外围硅通孔结构，堆叠结构的上方设置有散热结构；基材与散热结构之间形成有至少一个沿堆叠结构的堆叠方向延伸的通孔，通孔穿过功能芯片和/或外围硅通孔结构，堆叠结构内设置有至少一个发电芯片，发电芯片与通孔连接；功能芯片工作所产生的热量通过通孔传导至发电芯片，发电芯片利用热端点与冷端点之间的温度差形成电流。本发明还提供上述三维集成电路的工作方法。本发明在三维集成电路内设置发电芯片，提升三维集成电路的散热效率，降低设计、生产成本。
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公开(公告)号：CN119087195B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411574007.4
申请日：2024-11-06
Applicant: 珠海硅芯科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种三维集成电路的硅通孔绑定前的故障识别方法及装置，该方法包括通过检测电路对多个硅通孔进行测试，分别获取每一个硅通孔的寄生电阻值，根据寄生电阻值判断硅通孔是否存在空洞故障或者开路故障；将硅通孔划分为多个格点，将硅通孔的多个格点进行切割磁场运动，根据硅通孔在切割磁场运动时的磁场强度、有效长度和运动速度计算各个格点在切割磁场运动时所产生电势差，根据各个格点的电势差确定各格点是否存在异常；记录存在异常的格点的位置，并根据存在异常格点的分布情况确定硅通孔是否存在针孔故障，从而识别通孔的故障类型。该装置能实现上述的方法。本发明能够低成本、高精度的实现三维集成电路的硅通孔绑定前的故障识别。
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公开(公告)号：CN119203907A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411695302.5
申请日：2024-11-25
Applicant: 珠海硅芯科技有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/394 , G06F115/12 , G06F119/08
Abstract: 本申请提供一种面向热分析优化的3D堆叠芯片全局布线方法、装置、设备及介质，方法通过在待布线的网络的多个裸片中获取包含网络管脚的多个目标裸片，获取每个目标裸片的布线拥塞信息；将每个目标裸片中的网络管脚投影到其余的每个目标裸片中，以形成其余的目标裸片的网络管脚对应的投影管脚，用于实现多个网络管脚的跨裸片连接；获取每个网络管脚对应的第一位置信息和投影管脚对应的第二管脚位置信息，以结合布线拥塞信息形成每个目标裸片对应的裸片布线信息，用于生成每个目标裸片对应的跨裸片连接位置和热场分布信息；根据每个热场分布信息获取每个目标裸片对应的硅通孔分布信息，以对跨裸片连接位置进行优化，完成3D堆叠芯片的全局布线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118647250A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411104425.7
申请日：2024-08-13
Applicant: 珠海硅芯科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有温差发电结构的三维集成电路及其工作方法，三维集成电路包括基材，基材上方形成有堆叠结构，堆叠结构包含有二层以上的功能芯片，在至少一层功能芯片的外侧设置有至少一个外围硅通孔结构，堆叠结构的上方设置有散热结构；基材与散热结构之间形成有至少一个沿堆叠结构的堆叠方向延伸的通孔，通孔穿过功能芯片和/或外围硅通孔结构，堆叠结构内设置有至少一个发电芯片，发电芯片与通孔连接；功能芯片工作所产生的热量通过通孔传导至发电芯片，发电芯片利用热端点与冷端点之间的温度差形成电流。本发明还提供上述三维集成电路的工作方法。本发明在三维集成电路内设置发电芯片，提升三维集成电路的散热效率，降低设计、生产成本。
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公开(公告)号：CN119337786B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411885130.8
申请日：2024-12-20
Applicant: 珠海硅芯科技有限公司
IPC: G06F30/327 , G06F30/34 , G06F30/398
Abstract: 本发明提供一种芯片可测试性设计程序代码生成装置及方法，该装置包括芯片设计文件处理模块，用于接收芯片设计文件；可测试性设计电路生成与标记模块，用于根据芯片的可测试性设计规则在芯片的电路中添加测试点和观察点；资源动态计算模块，用于根据展平化规则动态生成伪网表；虚拟器件建模模块，用于对虚拟器件进行建模，并记录生成伪网表时所生成的FPGA模型；仿真与可测试性设计协作优化模块，用于根据芯片设计文件的程序代码完成程度生成验证平台的仿真代码并进行仿真；设计数据共享模块，用于存储共享的芯片设计文件。本发明还提供上述装置实现的方法。本发明能够提高设计芯片测试电路的效率，提高芯片不同设计阶段工具的协同设计的灵活易用性。
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公开(公告)号：CN119170611B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411622493.2
申请日：2024-11-14
Applicant: 珠海硅芯科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种三维集成电路及其硅通孔容错修复电路、容错修复方法，该容错修复电路包括信号输入模块、电热管理模块、第一路由模块、硅通孔阵列、故障检测电路模块、第二路由模块、硅通孔状态寄存器以及信号输出模块；信号输入模块用于向第一路由模块输出信号；电热管理模块用于确定硅通孔的故障状态与通孔复用的管理；硅通孔阵列内设置有多个工作硅通孔和冗余硅通孔；第一路由模块用于向硅通孔阵列输出信号；故障检测电路模块用于对硅通孔进行故障检测；硅通孔状态寄存器用于存储硅通孔的故障状态数据；信号输出模块用于向外输出信号。该三维集成电路具有上述的硅通孔容错修复电路。本发明能够提高三维集成电路的测试效率，降低测试成本。
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公开(公告)号：CN119170611A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411622493.2
申请日：2024-11-14
Applicant: 珠海硅芯科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种三维集成电路及其硅通孔容错修复电路、容错修复方法，该容错修复电路包括信号输入模块、电热管理模块、第一路由模块、硅通孔阵列、故障检测电路模块、第二路由模块、硅通孔状态寄存器以及信号输出模块；信号输入模块用于向第一路由模块输出信号；电热管理模块用于确定硅通孔的故障状态与通孔复用的管理；硅通孔阵列内设置有多个工作硅通孔和冗余硅通孔；第一路由模块用于向硅通孔阵列输出信号；故障检测电路模块用于对硅通孔进行故障检测；硅通孔状态寄存器用于存储硅通孔的故障状态数据；信号输出模块用于向外输出信号。该三维集成电路具有上述的硅通孔容错修复电路。本发明能够提高三维集成电路的测试效率，降低测试成本。
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公开(公告)号：CN119087195A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411574007.4
申请日：2024-11-06
Applicant: 珠海硅芯科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种三维集成电路的硅通孔绑定前的故障识别方法及装置，该方法包括通过检测电路对多个硅通孔进行测试，分别获取每一个硅通孔的寄生电阻值，根据寄生电阻值判断硅通孔是否存在空洞故障或者开路故障；将硅通孔划分为多个格点，将硅通孔的多个格点进行切割磁场运动，根据硅通孔在切割磁场运动时的磁场强度、有效长度和运动速度计算各个格点在切割磁场运动时所产生电势差，根据各个格点的电势差确定各格点是否存在异常；记录存在异常的格点的位置，并根据存在异常格点的分布情况确定硅通孔是否存在针孔故障，从而识别通孔的故障类型。该装置能实现上述的方法。本发明能够低成本、高精度的实现三维集成电路的硅通孔绑定前的故障识别。
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