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公开(公告)号：CN119584756A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411526236.9
申请日：2024-10-30
Applicant: 武汉纺织大学
IPC: H10K19/10 , H10K71/00 , H10N19/00 , H10N10/856 , H10N10/857
Abstract: 本发明提供了一种热电驱动纤维基有机电化学突触晶体管及其制备方法与应用，热电驱动纤维基有机电化学突触晶体管由热电供能装置、纤维基有机电化学突触晶体管以及连接各部分的导线组成，热电供能装置包括P型热电纤维和N型热电材料，纤维基有机电化学突触晶体管包括源漏纤维电极、栅纤维电极以及离子凝胶电解液。本发明基于塞贝克效应制备的热电供能装置能够实现人体热能向电能的转换，并且能够实现对突触晶体管的稳定供能。热电供能装置与纤维基有机电化学突触晶体管的集成，在医疗领域、智能材料、可穿戴设备领域具备广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119380864A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411408153.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 南京林业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硼磷掺杂下SiC7纳米带的自旋热电转换与自旋过滤电子器件的设计方法，包括以下步骤：(1)利用软件Device Studio搭建不同纳米带宽的单氢原子终端SiC7纳米带一维原胞；(2)利用DS‑PAW软件对SiC7纳米带一维原胞进行几何结构的优化；(3)使用软件Nanodcal计算SiC7纳米带一维原胞的电子性质；(4)用纳米带宽为9的SiC7纳米带搭建由左电极‑中心散射区‑右电极三部分构成的纳米电子器件；(5)对(4)中的纳米电子器件进行三种方式的原子替换掺杂；(6)计算并分析上述四种纳米电子器件的透射谱，计算对比四种纳米带器件的实空间散射态，得到不同掺杂情况对纳米带自旋电子透射情况的影响；(7)将在上边缘掺杂BP原子且在下边缘掺杂B原子的SiC7纳米带在铁磁态下设计成为热电转换器件；(8)改变上下边缘同时掺杂的SiC7纳米带的磁态，计算反铁磁态下的透射谱与自旋极化电流，设计成自旋过器件；本发明扩展了SiC7材料在自旋电子学中的应用空间。
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公开(公告)号：CN119095463A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411191968.7
申请日：2024-08-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双面丝网印刷的立体热电器件及其制备方法，属于新能源器件技术领域，通过对二维布局结构进行多次折叠得到，二维布局结构为通过在基底上利用丝网印刷工艺制备的双面结构，每一面结构包括依次的底层电极层、N型热电材料层、P型热电材料层和顶层电极层，均为阵列结构；N型热电支腿与P型热电支腿交替设置，N型热电支腿、P型热电支腿和顶层电极单元构均与底层电极单元存在重叠区域；通过多次折叠，将二维布局结构折叠为立体热电器件，可实现热流的立体采集，并充分利用有限的基底面积，具有输出功率密度高、结构紧凑、集成度高、占用面积小的优势，尤其适用于可穿戴场景。
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公开(公告)号：CN118647249B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411104423.8
申请日：2024-08-13
Applicant: 珠海硅芯科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种温差发电芯片及其工作方法、三维集成电路，该温差发电芯片包括第一晶粒层和第二晶粒层，第一晶粒层与第二晶粒层之间形成有电绝缘的介质层，第一晶粒层内设置有磁性塞贝克热电结构体，第二晶粒层内设置有非磁性塞贝克热电结构体；第一晶粒层远离介质层的一侧设置有芯片元件层，芯片元件层上设置有温度控制阀门、温度控制电路和充电模块；当温度控制阀门处于第一开关状态时，温度控制阀门使充电模块连接至磁性塞贝克热电结构体；当温度控制阀门处于第二开关状态时，温度控制阀门使充电模块连接至非磁性塞贝克热电结构体。本发明还提供具有上述温差发电芯片的三维集成电路。本发明的温差发电芯片的热电转换效率高。
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公开(公告)号：CN118522688A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410176805.5
申请日：2024-02-08
IPC: H01L21/762 , H10N19/00
Abstract: 提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具有元件区域和感测区域。元件区域内的栅极型开关元件具有多个栅极沟槽、栅极电极和将栅极电极的上表面覆盖的层间绝缘层。感测区域内的温度感测二极管具有阳极区域、阴极区域、设在上述阳极区域内的多个第1伪沟槽、配置在上述各第1伪沟槽内的第1绝缘层、设在上述阴极区域内的多个第2伪沟槽、和配置在上述各第2伪沟槽内的第2绝缘层。在具有开关元件和温度感测二极管的半导体装置中，适当地形成有层间绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117998890A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410118950.8
申请日：2024-01-29
Applicant: 安徽熙泰智能科技有限公司
Inventor： 贾敏慧
Abstract: 本发明公开了一种OLED显示器件结构及其制造方法，其显示器件结构包括像素区和非像素区以及用于器件内部热量传导散热的温度调节单元结构，所述温度调节单元结构包括有机半导体层和金属导体，所述有机半导体层包括对应P型区设置的P型半导体和对应N型区设置的N型半导体，金属导体连接对应的两个P型半导体和N型半导体形成回路。所述温度调节单元结构包括像素区周围温控结构和非像素区温控结构。利用现有工艺制程构筑温度调节单元结构可实现温度调节功能，无需增加独立工艺制程，制备简便。
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公开(公告)号：CN117156939B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311396885.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 四川科尔威光电科技有限公司
Abstract: 发明公开了一种含有阻焊功能的陶瓷集成电路及其制备方法，属于激光加工技术领域，制备方法包括步骤：通过激光加工，将陶瓷集成电路基片的金属层中的金层去除，并将下层的钯层和镍层氧化，最终形成多条氧化层沟壑，对焊料起到阻流的作用；再使用激光加工将氧化层沟壑延伸方向两端的金属层全部去除，在陶瓷集成电路基片的基板上形成溢流槽，起到阻止焊料溢流扩散的作用。本发明提供的制备方法成本较低，获得的阻焊区阻焊效果良好。
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公开(公告)号：CN117479808A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210841060.0
申请日：2022-07-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于MIM吸收器的长波红外光热电探测器及其制备方法，探测器包括：热电转换层；上电极及下电极，分别设置于热电转换层的上下两个表面；MIM吸收器设置于上电极的表面，用于吸收光子并转换为热能，MIM吸收器是依次包括金属反射层、介质层及金属阵列层，所述金属反射层设置于所述上电极的表面。本发明借助MIM吸收器实现光子100％完美吸收，利用金属反射层将吸收的光子局限在热电转换层上表面，从而使热电转换层上下表面产生温度差，减小两个电极间的通道长度，从而减小响应时间；通过金属阵列层中金属模块的尺寸大小及阵列周期来调控吸收带宽及吸收峰波长；本发明材料成本低廉，工艺简单，也可实现大面积制备，易于本发明的推广。
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公开(公告)号：CN117156939A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311396885.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 四川科尔威光电科技有限公司
Abstract: 发明公开了一种含有阻焊功能的陶瓷集成电路及其制备方法，属于激光加工技术领域，制备方法包括步骤：通过激光加工，将陶瓷集成电路基片的金属层中的金层去除，并将下层的钯层和镍层氧化，最终形成多条氧化层沟壑，对焊料起到阻流的作用；再使用激光加工将氧化层沟壑延伸方向两端的金属层全部去除，在陶瓷集成电路基片的基板上形成溢流槽，起到阻止焊料溢流扩散的作用。本发明提供的制备方法成本较低，获得的阻焊区阻焊效果良好。
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公开(公告)号：CN116367689A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310415314.7
申请日：2023-04-17
Applicant: 湖北赛格瑞新能源科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种剥离式晶圆制备微型热电器件的方法，该制备方法先将切割好的p型晶圆贴装在陶瓷基板上并实现焊接；将p型晶圆连同导流条一起切割成阵列，p型晶圆被分割成一个个最小的p型元件；采用激光将每个p型元件相邻的p型元件烧蚀掉，即将n型元件的位置剥离出来，至此即制成一面半成品；然后重复上述步骤制作出二面半成品；最后将得到的一面半成品和二面半成品采用插合的方式合模焊接即得到微型热电器件成品；该制备方法的优点在于：采用整体抓取并固晶焊接，晶圆尺寸相对较大，大大降低了对固晶设备的要求，并且每个微型热电器件仅需要3次固晶即可完成，极大的提高了生产效率，大批量生产成为可能。
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