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    一种半桥LCLCL谐振电路的直流变换器及其设计方法
    1.
    发明公开
    一种半桥LCLCL谐振电路的直流变换器及其设计方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118971627A

    公开(公告)日：2024-11-15

    申请号：CN202411374140.5

    申请日：2024-09-29

    Applicant: 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

    Inventor： 王来利 ,  李昂 ,  靳浩源 ,  董晓博

    IPC: H02M3/335 ,  H02M1/00 ,  G06F30/20

    Abstract: 本发明公开了一种半桥LCLCL谐振电路的直流变换器及其设计方法，包括：根据工程需求，确定半桥LCLCL变换器的参数；根据LCLCL变换器全范围ZVS的要求及所述半桥LCLCL变换器的参数，计算磁性元件的参数；根据所述磁性元件的参数，建立磁性元件模型，通过对所述磁性元件模型进行损耗仿真，评估LCLCL变换器的效率；调整LCLCL变换器的谐振开关频率，在LCLCL变换器的预设体积范围内，使得LCLCL变换器的效率最优；或者LCLCL变换器效率在最低限时，使得LCLCL变换器的体积最小化，该变换器及其设计方法能够实现体积与效率的平衡。

    一种柔性氮化镓功率模块及封装方法
    2.
    发明授权
    一种柔性氮化镓功率模块及封装方法 有权

    公开(公告)号：CN118315381B

    公开(公告)日：2024-10-22

    申请号：CN202410429282.0

    申请日：2024-04-10

    Applicant: 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

    Inventor： 王来利 ,  李大为 ,  孔航 ,  张虹

    IPC: H01L25/16 ,  H01L23/64 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

    Abstract: 本发明属于电气机械及器材制造以及功率器件封装技术领域，具体涉及一种柔性氮化镓功率模块及其封装方法。柔性氮化镓功率模块包括基板，包括第一导电层和第二导电层，在第一导电层与第二导电层之间填充聚酰亚胺材料以形成聚酰亚胺介质层，第一导电层通过多个焊点与第二导电层电气连接；GaN器件具有至少两个，配置在第一导电层的一侧；解耦电容具有至少一个，配置在相邻两个GaN器件之间；第一导电层通过互联焊层分别与GaN器件、解耦电容连接；解耦电容与其相邻的两个GaN器件形成功率环路。本发明主要从低封装寄生参数和低芯片应力来保证功率模块在高频、高功率密度下安全高效运行，解决现有的封装方法寄生电感难以进一步减小的问题。

    一种功率半导体模块的最小结温布局方法
    3.
    发明授权
    一种功率半导体模块的最小结温布局方法 有权

    公开(公告)号：CN117709282B

    公开(公告)日：2024-08-09

    申请号：CN202311742144.X

    申请日：2023-12-18

    Applicant: 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

    Inventor： 王来利 ,  孔航 ,  姚乙龙 ,  崔洪昌

    IPC: G06F30/392 ,  G06F30/398 ,  G06F17/13 ,  G06F119/08

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块的最小结温布局方法，涉及功率半导体技术领域，包括以下步骤：分别构建两个功率半导体绝对温度的拉普拉斯三维导热偏微分方程；将两个功率半导体的相对温度的偏微分方程展开为傅里叶级数，得到两个功率半导体的相对温度；根据两个功率半导体的相对温度得到两个功率半导体的自热阻和耦合热阻；对第一功率半导体的自热阻和耦合热阻进行求和；求解第一功率半导体的总热阻的偏导数，根据偏导数结果对第一功率半导体和第二功率半导体的位置进行布局。本发明不增加设计的复杂度，仅通过优化功率半导体的位置和功率半导体之间的相对位置，降低功率半导体的工作结温，可以减小连接层承受的应力，增强整体的可靠性。

    一种双有源桥变换器的磁性元件设计方法、装置和设备
    6.
    发明公开
    一种双有源桥变换器的磁性元件设计方法、装置和设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN118586198A

    公开(公告)日：2024-09-03

    申请号：CN202410761896.9

    申请日：2024-06-13

    Applicant: 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

    Inventor： 王来利 ,  王淦 ,  靳浩源 ,  董晓博 ,  李汕哲 ,  赵一平

    IPC: G06F30/20 ,  G06F111/04

    Abstract: 本发明公开了一种双有源桥变换器的磁性元件设计方法、装置和设备，涉及变压器、整流器及电感器制造技术领域。本发明方法可以快速高效可靠地完成DAB中磁性元件的设计，达到高效率、高功率密度、高可靠性的目的。多目标优化方法以磁性元件磁芯形状、电感值、绕组匝数为设计变量，结合DAB具体参数，构建具备电路约束和器件约束两大约束条件的模型，以高效率和高功率密度作为目的进行多目标优化。从理论上推导变换器参数对效率和功率密度的影响，总结设计变量与优化目标的相关规律，有效降低了设计变量维度。本发明对于基于单移相调制策略的DAB中磁性元件的设计具备普适性，可以针对变换器的高效率和高功率密度的需求，完成磁性元件的快速设计。

    一种全桥功率模组及其设计方法
    8.
    发明公开
    一种全桥功率模组及其设计方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118337082A

    公开(公告)日：2024-07-12

    申请号：CN202410429296.2

    申请日：2024-04-10

    Applicant: 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

    Inventor： 王来利 ,  赵一平 ,  李汕哲 ,  靳浩源 ,  董晓博 ,  王淦 ,  张虹

    IPC: H02M7/5387 ,  H02M1/088 ,  H05K1/18 ,  H05K7/20 ,  H01L25/07

    Abstract: 本发明公开了一种全桥功率模组及其设计方法，涉及变压器、整流器和电感器制造技术领域，包括直流侧母线电容，与直流侧母排集成在一起；直流侧母排上固定设有PCB主板，PCB主板上设有检测电路和控制电路；直流侧母排与两个并联的SiC MOSFET功率模块串联，SiC MOSFET功率模块为半桥拓扑；两个SiC MOSFET功率模块固定设置在直流侧母排一侧，其下方水冷散热器，上方均固定设有驱动PCB板，两个驱动PCB板与PCB主板电连接；两个功率模块中点分别与两个交流侧母排一端固定连接，两个交流侧母排另一端外接其他元器件。本发明通过合理布局、集成设计，在减小无源器件的体积的同时增加其可靠性，提高功率密度。

    一种功率半导体封装散热结构及制备方法
    9.
    发明公开
    一种功率半导体封装散热结构及制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117712063A

    公开(公告)日：2024-03-15

    申请号：CN202311742123.8

    申请日：2023-12-18

    Applicant: 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

    Inventor： 王来利 ,  崔洪昌

    IPC: H01L23/473 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体封装散热结构及制备方法，涉及功率半导体技术领域，包括均热板，均热板包括铜质壳体，铜质壳体，铜质壳体的内部设置有毛细芯，毛细芯的内部设置有多个竖向的铜质支撑柱，毛细芯与多个铜质支撑柱之间形成的腔体中填充有工质，铜质壳体的底面刻蚀有多个微型槽，铜质壳体的底面还机械装配有歧管散热器。本发明结合均热板和射流冲击冷却的特点，利用均热板增加系统的近结热容，同时疏散器件的高热流密度，利用歧管散热器的射流冲击冷却提高对流换热系数，促进了功率模块在功率密度方面的提升，且降低了成本。

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