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公开(公告)号：CN119894136A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202311348399.8
申请日：2023-10-17
Applicant: 一道新能源科技股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种太阳能电池硅片的界面钝化方法及钝化硅片，其中，本发明实施例所提供的制备方法包括：将待钝化的硅片置于炉管中，并采用等离子增强化学气相沉积技术，在所述硅片背面分步沉积多层氧化铝膜；在所述硅片背面分步沉积多层氧化铝膜后，采用等离子增强化学气相沉积技术，在所述硅片表面沉积至少一层氮化硅膜，获得钝化硅片。因为采用二合一炉管沉积钝化膜氧化铝及氮化硅，保证了空间利用率及镀膜效率，同时，因为是在硅片背面分步沉积多层氧化铝膜，使氧化铝膜沉积的更均匀，从而提升表面钝化效果，改善了现有镀膜钝化的方式所形成的氧化铝膜均匀性较差，导致所制备的太阳能电池光电转换效率差异较大的问题。
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公开(公告)号：CN117230428A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311196199.5
申请日：2023-09-15
Applicant: 一道新能源科技股份有限公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种ALD氧化铝均匀性改善工艺，属于太阳能电池技术领域，包括以下步骤：将半成品电池自动化装片后，在氮气环境中进行腔体回压，再经升温加热并抽真空处理，然后通入三甲基铝和臭氧进行三氧化二铝沉积，沉积结束后尾气清理排出，之后再次通入氮气进行腔体回压，最后经降温，即完成ALD氧化铝均匀性改善。本发明针对ALD机台对片内均匀性进行优化改善，采用低流量通入TMA以及臭氧使得氧化铝慢速沉积，该方法TMA特气消耗更低，且实现了ALD氧化铝膜的均匀沉积。
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公开(公告)号：CN117199183A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311196194.2
申请日：2023-09-15
Applicant: 一道新能源科技股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/054 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种高反射率Perc电池背膜及其镀膜工艺，属于太阳能电池制造技术领域。所述镀膜工艺包括以下步骤：进舟、升温、捡漏、沉积氮化硅高折膜、沉积氮化硅中折膜、沉积氮化硅低折膜、尾气处理、清洗炉管、回压和出舟。本发明的Perc电池背膜为折射率变化结构，通过氮化硅高折膜、氮化硅中折膜和氮化硅低折膜的变化沉积，能更好的提高背面反射率，增强电池片的短路电流，提升转换效率，并弥补了现有技术缺乏对底层氮化硅优化工艺的空白。
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公开(公告)号：CN118773575A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310320727.7
申请日：2023-03-28
Applicant: 一道新能源科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供了一种镀膜方法，涉及光伏技术领域。方法包括：在承载硅片的镀膜容器的表面脏污的情况下，对镀膜容器设置脏污覆盖膜，脏污覆盖膜覆盖脏污区域；脏污覆盖膜的材料和硅片待镀膜层的材料相同；采用设有脏污覆盖膜的镀膜容器承载硅片，对硅片进行镀膜。本发明中，脏污覆盖膜起到隔离硅片与脏污区域的作用，避免硅片接触镀膜容器的位置被脏污区域污染；脏污覆盖膜的材料和硅片待镀膜层的材料相同，则脏污覆盖膜不会对硅片带来其他杂质，避免硅片接触镀膜容器的位置被脏污覆盖膜带来的其他杂质污染；再采用设有脏污覆盖膜的镀膜容器承载硅片，对硅片进行镀膜，避免了硅片接触镀膜容器的位置受到污染。
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公开(公告)号：CN119451263A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310954812.9
申请日：2023-07-31
Applicant: 一道新能源科技股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种太阳能电池硅片的氧化退火方法、硅片及电池，其中，方法包括：在硅片依次进行碱抛处理后，在无氧环境中对所述硅片进行升温处理；在进行升温处理后，对所述硅片进行分步退火及氧化处理。本发明实施例能够有效解决现有氧化退火工艺在硅片表面形成的氧化层对硅片表面亲水性改善效果不佳，导致ALD沉积氧化铝时易出现绕镀黑边的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117001542A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311144203.3
申请日：2023-09-06
Applicant: 一道新能源科技股份有限公司
IPC: B24C1/08
Abstract: 本发明公开了一种ALD铝舟的清理方法，属于太阳能电池制造技术领域，通过喷砂去除ALD铝舟表面的氧化铝层，清理方法包括：设定气体流量压力，对氧化铝层进行均匀喷砂，每次喷砂后通过肉眼观察氧化铝层是否清理干净，如果未清理干净，对同一位置重新喷砂，重复操作，直至能够清晰看到铝舟保护层颜色，停止该位置喷砂，进行气枪吹扫，再对其它位置重复上述操作。本发明提供的清理方法避免了现有酸碱药液浸泡对铝舟保护层造成的破坏，无需重新制备保护层，降低了清理成本，通过与厂家送洗清理效果相比，同样能够避免舟杆位置不良以及铝舟齿印的出现。
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公开(公告)号：CN119028805A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310601768.3
申请日：2023-05-25
Applicant: 一道新能源科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种镀氧化铝膜的方法、太阳能电池，涉及光伏技术领域。方法包括：将硅片放入原子层沉积机台的腔室，对原子层沉积机台进行检漏之后，通入臭氧，对硅片的表面进行吹扫，并在硅片的表面生成氧化硅膜；进行第一氮气通入，对腔室进行吹扫；在氧化硅膜的表面生成氧化铝膜。通入臭氧，对硅片的表面进行吹扫，将硅片表面的粉尘吹扫去除，臭氧和硅片反应在硅片的表面生成氧化硅膜，可以对硅片进行更好地钝化。通入臭氧，还用于对腔室的硅片表面之外的其他位置进行吹扫，提高腔室的洁净度。进行第一氮气通入，对腔室进行吹扫，可以进一步提高腔室的洁净度，能够改善沉积氧化铝膜工序时掉落到硅片表面的粉尘导致的EL黑斑黑点的情况。
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公开(公告)号：CN118571956A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202310189332.8
申请日：2023-02-21
Applicant: 一道新能源科技股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种太阳能电池制备方法，包括：将硅片送入PECVD设备的腔室中；通入硅烷和氨气，控制硅烷与氨气的流量比，在硅片的表面沉积至少三层氮化硅层，至少三层氮化硅层的折射率沿硅片的表面向远离硅片的方向递减；通入硅烷、氨气和笑气，控制硅烷、氨气以及笑气的流量比，在氮化硅层表面沉积至少两层氮氧化硅层，至少两层氮氧化硅层的折射率沿氮化硅层的表面向远离硅片的方向递减，且氮氧化硅层的折射率小于氮化硅层的折射率；通入硅烷和笑气，在氮氧化硅层表面沉积氧化硅层。采用本申请的太阳能电池制备方法，可以在硅片表面沉积致密性和折射率不同的减反膜层或钝化膜层，能够提高所制备的太阳能电池的开路电压和转换效率。
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公开(公告)号：CN220472043U
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202320585896.9
申请日：2023-03-16
Applicant: 一道新能源科技股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例提供了一种石墨舟烘箱。该石墨舟烘箱包括烘箱本体以及接液装置，烘箱本体具有容纳腔，烘箱本体上设置有通风孔，通风孔与容纳腔导通，接液装置的一端连接于容纳腔的腔壁，接液装置的位置与通风孔的位置相对，且通风孔位于接液装置的另一端在投影面上的投影内，接液装置的另一端用于容纳通过通风孔进入石墨舟烘箱的液滴；其中，投影面为容纳腔的腔壁中设置有通风孔的腔壁所在的平面。
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公开(公告)号：CN220468140U
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202322321986.X
申请日：2023-08-29
Applicant: 一道新能源科技股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本实用新型涉及太阳能电池制造设备技术领域，公开一种改善ALD氧化铝绕镀改善铝舟装置，包括两侧板，所述侧槽棒的一端通过回弹件与其中一所述侧板连接，所述侧槽棒通过所述回弹件沿所述侧槽棒轴线方向移动，以使得所述侧槽棒在第一工况和第二工况之间切换，所述第一工况时，所述上槽棒、侧槽棒和所述下槽棒上的齿槽分别一一对应设置，所述硅片侧面为平面；所述第二工况时，所述侧槽棒上的齿槽相对于所述上槽棒和所述下槽棒上的齿槽平移，所述硅片侧面为曲面。本实用新型可实现使硅片弯曲以致两张同槽硅片贴合更紧，保证绕度厚度以及面积，提高优品率。
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