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公开(公告)号：CN118406439A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410873230.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光技术领域，提供一种化学机械抛光组合物及其在钨化学机械抛光中的应用。本发明提供的化学机械抛光组合物能够兼顾良好的抛光速率和较低的缺陷水平。所述组合物包括分散介质、磨料、催化剂、氧化剂、第一腐蚀抑制剂、第二腐蚀抑制剂和EOE改善剂，还任选地包括稳定剂和pH调节剂；其中，所述第一腐蚀抑制剂选自分子中氨基和亚氨基的总数为1‑4，并且至少含有一个羧基的化合物中的一种或多种；所述第二腐蚀抑制剂选自分子中氨基和亚氨基的总数为2，并且至少含有一个酰胺基，且不含有羧基、羟基、烯基和炔基的化合物中的一种或多种；所述EOE改善剂选自高哌嗪及其衍生物中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN118406439B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410873230.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光技术领域，提供一种化学机械抛光组合物及其在钨化学机械抛光中的应用。本发明提供的化学机械抛光组合物能够兼顾良好的抛光速率和较低的缺陷水平。所述组合物包括分散介质、磨料、催化剂、氧化剂、第一腐蚀抑制剂、第二腐蚀抑制剂和EOE改善剂，还任选地包括稳定剂和pH调节剂；其中，所述第一腐蚀抑制剂选自分子中氨基和亚氨基的总数为1‑4，并且至少含有一个羧基的化合物中的一种或多种；所述第二腐蚀抑制剂选自分子中氨基和亚氨基的总数为2，并且至少含有一个酰胺基，且不含有羧基、羟基、烯基和炔基的化合物中的一种或多种；所述EOE改善剂选自高哌嗪及其衍生物中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN115505932B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202211087131.9
申请日：2022-09-07
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C23F3/06 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开了一种钨化学机械抛光液及其应用，所述钨抛光液包括二氧化硅磨料、铁盐催化剂、氧化剂、稳定剂、速率抑制剂、醛基化合物和水。本发明中的速率抑制剂可与醛基化合物生成希夫碱，利用希夫碱键对温度的敏感性，实现被抛光表面不平整度的调节，提高抛光表面质量。
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公开(公告)号：CN115505932A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211087131.9
申请日：2022-09-07
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C23F3/06 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开了一种钨化学机械抛光液及其应用，所述钨抛光液包括二氧化硅磨料、铁盐催化剂、氧化剂、稳定剂、速率抑制剂、醛基化合物和水。本发明中的速率抑制剂可与醛基化合物生成希夫碱，利用希夫碱键对温度的敏感性，实现被抛光表面不平整度的调节，提高抛光表面质量。
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公开(公告)号：CN115093794A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210690202.8
申请日：2022-06-17
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅抛光组合物及其应用，所述多晶硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有高哌嗪类物质和酮酸类物质作为助剂。本发明的抛光组合物中同时添加高哌嗪类物质和酮酸类物质分别作为速率促进剂和选择性抑制剂，绿色低毒，对多晶硅材料去除速率高，对氧化硅、氮化硅选择性大，抛光缺陷少，与现有技术相比，具有明显优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115058712A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210276143.X
申请日：2022-03-21
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铜阻挡层化学机械抛光组合物及其应用，所述抛光组合物包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、润湿剂、pH调节剂、氧化剂，余量为水。在铜阻挡层化学机械抛光过程中，本发明的抛光组合物既能够有效的抑制铜的抛光速率，且抛光后铜表面几乎无有机残留，克服了苯并三氮唑（BTA）有机残留的问题，改善了抛光后晶圆的表面质量。
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公开(公告)号：CN115011257A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210768461.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有改善POU寿命的钨抛光液及其应用，所述钨抛光液包括二氧化硅磨料、硝酸铁、氧化剂、稳定剂、表面活性剂和水，其中，稳定剂包括有机酸类的第一稳定剂和环状螯合剂类的第二稳定剂。本发明中两种稳定剂配合使用，使抛光液在POU具有改善的稳定性，同时减少因稳定性不佳导致的颗粒团聚，从而使被抛光表面的表面质量大幅度提升。
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公开(公告)号：CN113637413A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202111024184.1
申请日：2021-09-02
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明提供了一种硅抛光组合物、制备方法及其应用，所述硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有氨基醇类物质和水溶性维生素作为助剂。本发明的抛光组合物中同时添加氨基醇类物质和水溶性维生素作为助剂，可有效抑制磨料团聚，延长抛光液的使用寿命和储存时间，与现有技术相比，具有明显优势。
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公开(公告)号：CN119307185A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202310843210.6
申请日：2023-07-11
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C09G1/04 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种适用于半导体制造领域硅基器件平坦化的化学机械抛光组合物及其应用，所述化学机械抛光组合物包括氧化剂、聚乙二醇接枝硅溶胶、络合剂、联吡啶及其衍生物、腐蚀抑制剂、表面活性剂和去离子水。本发明的抛光组合物中所述硅溶胶为表面由聚乙二醇接枝的硅溶胶，所述聚乙二醇接枝硅溶胶与联吡啶及其衍生物配合，可以达到改善硅溶胶颗粒的团聚以降低抛光后表面缺陷、降低抛光后材料表面硅溶胶颗粒残留的效果。
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公开(公告)号：CN119264816A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310809308.X
申请日：2023-07-04
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/321 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种适用于集成电路铜互连结构化学机械抛光的抛光组合物及其应用，所述化学机械抛光组合物包括研磨粒子、氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂、星形聚乙二醇聚合物、pH调节剂、任选的非离子聚合物和去离子水。本发明的抛光组合物中所述星形聚乙二醇聚合物，可以作用于被抛光的材料表面，减小金属互连结构的抛光凹陷，改善被抛光表面的片内非均匀性。
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