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公开(公告)号：CN117070953A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310903964.6
申请日：2023-07-24
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低锆含量的钨化学机械抛光液、制备方法及其应用，所述抛光液以商用电子级气相二氧化硅经研磨、除杂得到的纳米级气相二氧化硅为磨料，其中，所述钨化学机械抛光液中Zr含量为8ppb‑8ppm。本发明的纳米级气相二氧化硅通过球磨机研磨获得纳米级气相二氧化硅分散液，再利用溶剂萃取法去除分散液中的Zr杂质。利用本发明所得低Zr含量的纳米级气相二氧化硅分散液配制的钨化学机械抛光液具有抛光表面质量高、杂质残留量低等特点。
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公开(公告)号：CN116445084A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310409167.2
申请日：2023-04-18
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种耐低温型硅抛光组合物及其应用，所述耐低温型硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有防冻剂和氨基酸型表面活性剂。本发明的耐低温型硅抛光组合物中同时添加防冻剂和氨基酸型表面活性剂作为耐低温助剂，可有效抑制组合物在低温环境下容易发生的冻结凝胶和平均粒径、大颗粒数显著上升的问题，可防止组合物在低温下变质失效，与现有技术相比，具有明显优势。
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公开(公告)号：CN118406439A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410873230.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光技术领域，提供一种化学机械抛光组合物及其在钨化学机械抛光中的应用。本发明提供的化学机械抛光组合物能够兼顾良好的抛光速率和较低的缺陷水平。所述组合物包括分散介质、磨料、催化剂、氧化剂、第一腐蚀抑制剂、第二腐蚀抑制剂和EOE改善剂，还任选地包括稳定剂和pH调节剂；其中，所述第一腐蚀抑制剂选自分子中氨基和亚氨基的总数为1‑4，并且至少含有一个羧基的化合物中的一种或多种；所述第二腐蚀抑制剂选自分子中氨基和亚氨基的总数为2，并且至少含有一个酰胺基，且不含有羧基、羟基、烯基和炔基的化合物中的一种或多种；所述EOE改善剂选自高哌嗪及其衍生物中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN115058712B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202210276143.X
申请日：2022-03-21
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铜阻挡层化学机械抛光组合物及其应用，所述抛光组合物包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、润湿剂、pH调节剂、氧化剂，余量为水。在铜阻挡层化学机械抛光过程中，本发明的抛光组合物既能够有效的抑制铜的抛光速率，且抛光后铜表面几乎无有机残留，克服了苯并三氮唑（BTA）有机残留的问题，改善了抛光后晶圆的表面质量。
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公开(公告)号：CN115011257B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210768461.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有改善POU寿命的钨抛光液及其应用，所述钨抛光液包括二氧化硅磨料、硝酸铁、氧化剂、稳定剂、表面活性剂和水，其中，稳定剂包括有机酸类的第一稳定剂和环状螯合剂类的第二稳定剂。本发明中两种稳定剂配合使用，使抛光液在POU具有改善的稳定性，同时减少因稳定性不佳导致的颗粒团聚，从而使被抛光表面的表面质量大幅度提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115093794B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210690202.8
申请日：2022-06-17
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C11D1/66 , C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅抛光组合物及其应用，所述多晶硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有高哌嗪类物质和酮酸类物质作为助剂。本发明的抛光组合物中同时添加高哌嗪类物质和酮酸类物质分别作为速率促进剂和选择性抑制剂，绿色低毒，对多晶硅材料去除速率高，对氧化硅、氮化硅选择性大，抛光缺陷少，与现有技术相比，具有明显优势。
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公开(公告)号：CN116716047A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310729630.1
申请日：2023-06-20
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆化学机械抛光液、使用方法及其应用，其质量百分数组成包括10％～30％的高纯硅溶胶、0.1％～0.5％的pH调节剂、0.1％～1％的乙烯基吡咯烷酮‑季铵盐共聚物，余量为水。本发明的抛光液稀释20～39倍可应用于硅晶圆中抛光，抛光后晶圆表面无亲水性，可修复表面微划伤；抛光液稀释1～19倍可应用于硅晶圆精抛光，抛光后晶圆表面强亲水性，避免磨料粒子与空气杂质的沾污，从而获得低表面缺陷。
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公开(公告)号：CN116445085A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310409168.7
申请日：2023-04-18
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/28 , H01L21/321 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种宽去除速率选择比的抛光组合物及其应用，所述抛光组合物以表面固定有有机酸的纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加含有椰油基的疏水性表面活性剂和聚氧乙烯‑聚氧丙烯亲水性共聚物作为选择比调节剂，还添加有由丙烯酸单体聚合形成的重均分子量约1000～200000的丙烯酸均聚物及其盐以及丙烯酸共聚物。本发明的抛光组合物包括由两种表面活性剂组成的选择比抑制剂和水溶性聚合物，绿色低毒，能够实现更宽的氮化硅、氧化硅对多晶硅材料的抛光选择性，同时也能有效地抑制抛光缺陷的产生。
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公开(公告)号：CN114591686B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210235074.8
申请日：2022-03-11
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C09G1/02 , C23F3/04 , C23F11/10 , C23F11/14 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种铜阻挡层化学机械抛光液及其应用，该抛光液包含研磨颗粒、双组分腐蚀抑制剂、络合剂、润湿剂、pH调节剂和氧化剂，余量为水。在铜阻挡层化学机械抛光过程中，本发明的双组分腐蚀抑制剂通过竞争吸附在铜的凹陷处形成保护膜；随着CMP的进行，腐蚀抑制剂分子膜会呈现“刹车”效应，使得铜的抛光速率逐渐降低，以达到全局平坦化的效果，改善抛光后晶圆的表面质量。
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公开(公告)号：CN114591686A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210235074.8
申请日：2022-03-11
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C09G1/02 , C23F3/04 , C23F11/10 , C23F11/14 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种铜阻挡层化学机械抛光液及其应用，该抛光液包含研磨颗粒、双组分腐蚀抑制剂、络合剂、润湿剂、pH调节剂和氧化剂，余量为水。在铜阻挡层化学机械抛光过程中，本发明的双组分腐蚀抑制剂通过竞争吸附在铜的凹陷处形成保护膜；随着CMP的进行，腐蚀抑制剂分子膜会呈现“刹车”效应，使得铜的抛光速率逐渐降低，以达到全局平坦化的效果，改善抛光后晶圆的表面质量。
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