公开(公告)号：CN1433247A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN02155297.5

申请日：2002-12-10

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 宫下武博 ,  浅川幸纪 ,  中岛明美 ,  小山正人 ,  牧野雅宪 ,  铃木彰 ,  冈田知

IPC: H05B33/12 ,  H01B5/14

CPC classification number: C23C14/086 ,  B32B9/00 ,  C22C28/00 ,  H01L33/42 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5206 ,  H01L2251/308 ,  H05B33/28

Abstract: 本发明的课题是：使用用氮化铝相似被覆的荧光物质的发光层，抑制EL发光元件在高温高湿下连续发光时发光亮度的劣化。本发明的解决手段是：用以下透明导电性薄膜，作为使用用氮化铝相似被覆的荧光物质的发光层的EL发光元件的透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜的特征在于，是在基板(A)的一方的主面上，在溅射气体中添加特定量的氧气和氢气的条件下，通过溅射法形成主要由铟原子、锡原子和氧原子构成的透明导电层(B)的透明导电性薄膜，将透明导电层(B)表面积的60％在28质量％氨水上被覆5小时的电阻变化率在5％以内。

公开(公告)号：CN1503604A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN02153104.8

申请日：2002-11-22

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 宫下武博 ,  浅川幸纪 ,  中岛明美 ,  小山正人 ,  牧野雅宪 ,  铃木彰 ,  冈田知

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/28 ,  H01B5/14 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明的课题是：使用用氮化铝相似被覆的荧光物质的发光层，抑制EL发光元件在高温高湿下连续发光时发光亮度的劣化。本发明的解决手段是：用以下透明导电性薄膜，作为使用用氮化铝相似被覆的荧光物质的发光层的EL发光元件的透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜的特征在于，是在基板(A)的一方的主面上，在溅射气体中添加特定量的氧气和氢气的条件下，通过溅射法形成主要由铟原子、锡原子和氧原子构成的透明导电层(B)的透明导电性薄膜，将透明导电层(B)表面积的60％在28质量％氨水上被覆5小时的电阻变化率在5％以内。

公开(公告)号：CN101116182B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200680004146.7

申请日：2006-02-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 才本芳久 ,  浦川俊也 ,  中岛明美 ,  赤井郁雄 ,  相原伸

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/683 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明提供一种即使在半导体晶片电路形成面上有非常大的凹凸，也能够防止半导体晶片破损的半导体晶片表面保护薄片。本发明的半导体晶片表面保护用薄片的特征在于，至少含有一层具有G’(60)/G’(25)＜0.1关系的树脂层(A)，其中，G’(60)是60℃的储存弹性模量，G’(25)是25℃的储存弹性模量。本发明还提供使用该保护薄片的半导体晶片的保护方法。

公开(公告)号：CN101116182A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200680004146.7

申请日：2006-02-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 才本芳久 ,  浦川俊也 ,  中岛明美 ,  赤井郁雄 ,  相原伸

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/683 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明提供一种即使在半导体晶片电路形成面上有非常大的凹凸，也能够防止半导体晶片破损的半导体晶片表面保护薄片。本发明的半导体晶片表面保护用薄片的特征在于，至少含有一层具有G’(60)/G’(25)＜0.1关系的树脂层(A)，其中，G’(60)是60℃的储存弹性模量，G’(25)是25℃的储存弹性模量。本发明还提供使用该保护薄片的半导体晶片的保护方法。