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公开(公告)号:CN1361547A
公开(公告)日:2002-07-31
申请号:CN01144608.0
申请日:2001-12-20
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/14
CPC classification number: G03F1/64 , Y10T428/24959 , Y10T428/24983
Abstract: 本发明提供一种薄膜,其在将薄膜安装于掩模时,不会损伤掩模,并且不仅在掩模和薄膜被膜的平面保持在水平方向时,在保持垂直方向时也可以保持掩模的平面性(平直度)。由薄膜被膜,支持薄膜被膜的薄膜框架和将薄膜安装在掩模上的树脂层形成的薄膜,其特征在于,该树脂层是由硬质树脂形成的层和软质树脂形成的层组合而形成的。
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公开(公告)号:CN1711502B
公开(公告)日:2010-04-14
申请号:CN200380103262.0
申请日:2003-11-13
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: G03F1/14 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/62
Abstract: 提供一种薄膜,通过预先从薄膜本身排除会导致生成析出物的物质,即使是采用KrF或是ArF受激准分子激光来进行曝光,在激光照射时、以及在保管中,也可以防止在光罩上形成异物析出物,能够长时间维持正确的图案精度。在薄膜的制造过程中,通过将所使用的构件或是成品加热或是置于减压下等,以预先除去从所使用的构件或是成品发生的物质。
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公开(公告)号:CN1711502A
公开(公告)日:2005-12-21
申请号:CN200380103262.0
申请日:2003-11-13
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: G03F1/14
CPC classification number: G03F1/62
Abstract: 提供一种薄膜,通过预先从薄膜本身排除会导致生成析出物的物质,即使是采用KrF或是ArF受激准分子激光来进行曝光,在激光照射时、以及在保管中,也可以防止在光罩上形成异物析出物,能够长时间维持正确的图案精度。在薄膜的制造过程中,通过将所使用的构件或是成品加热或是置于减压下等,以预先除去从所使用的构件或是成品发生的物质。
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公开(公告)号:CN1198316C
公开(公告)日:2005-04-20
申请号:CN01144608.0
申请日:2001-12-20
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/14
CPC classification number: G03F1/64 , Y10T428/24959 , Y10T428/24983
Abstract: 本发明提供一种薄膜,其在将薄膜安装于掩模时,不会损伤掩模,并且不仅在掩模和薄膜被膜的平面保持在水平方向时,在保持垂直方向时也可以保持掩模的平面性(平直度)。由薄膜被膜,支持薄膜被膜的薄膜框架和将薄膜安装在掩模上的树脂层形成的薄膜,其特征在于,该树脂层是由硬度在170gf以上的硬质树脂层和硬度在100gf以下的软质树脂层组合而形成的。
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