公开(公告)号：CN1121084C

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN98122371.0

申请日：1998-11-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 内藤由美 ,  大枝靖雄 ,  藤本毅

IPC: H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3432

Abstract: 光导层形分别形成在有源层的两个表面上，其光导层具有比有源层的带隙宽的带隙，分别形成n型包层和p型包层，从而将有源层和光导层夹在它们之间，包层的带隙比光导层的带隙宽，载流子阻挡层分别形成在有源层和光导层之间，载流子阻挡层的带隙比有源层和光导层的带隙宽。p型包层的折射率比n型包层的折射率低。采用这种结构，由于自由载流子吸收减小，以及半导体激光器的电阻和热阻减小，使得内部损耗限制到较低的值，结果提高了激光器的效率和输出功率。

公开(公告)号：CN1218319A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98122371.0

申请日：1998-11-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 内藤由美 ,  大枝靖雄 ,  藤本毅

IPC: H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3432

Abstract: 光导层形分别形成在有源层的两个表面上,其光导层具有比有源层的带隙宽的带隙,分别形成n型包层和p型包层,从而将有源层和光导层夹在它们之间,包层的带隙比光导层的带隙宽,载流子阻挡层分别形成在有源层和光导层之间,载流子阻挡层的带隙比有源层和光导层的带隙宽。p型包层的折射率比n型包层的折射率低。采用这种结构,由于自由载流子吸收减小,以及半导体激光器的电阻和热阻减小,使得内部损耗限制到较低的值,结果提高了激光器的效率和输出功率。

公开(公告)号：CN1114979C

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN98120556.9

申请日：1998-09-18

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 藤本毅 ,  内藤由美 ,  大久保敦 ,  山田义和

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3432 ,  H01S2304/00

Abstract: 在自对准结构半导体激光器中分别在有源层25的两面设置一对光导层23和28，光导层的带隙比有源层25宽；形成一对覆层22，29，能使有源层25和光导层23、28夹在其间，覆层的带隙比光导层23和28的宽；一对载流子阻断层24，26分别设置在有源层25和光导层23、28之间，载流子阻断层的带隙比有源层25和光导层23、28的带隙宽；使有带状窗口的电流阻断层27嵌入至少一个光导层23和28中，电流阻断层27通过选择生长而形成。

公开(公告)号：CN1213199A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN98120556.9

申请日：1998-09-18

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 藤本毅 ,  内藤由美 ,  大久保敦 ,  山田义和

IPC: H01S3/18

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3432 ,  H01S2304/00

Abstract: 在自对准结构半导体激光器中分别在有源层25的两面设置一对光导层23和28,光导层的带隙比有源层25宽;形成一对覆层22,29,能使有源层25和光导层23、28夹在其间,覆层的带隙比光导层23和28的宽;一对载流子阻断层24,26分别设置在有源层25和光导层23、28之间,载流子阻断层的带隙比有源层25和光导层23、28的带隙宽;使有带状窗口的电流阻断层27嵌入至少一个光导层23和28中,电流阻断层27通过选择生长而形成。