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公开(公告)号：CN1218319A
公开(公告)日：1999-06-02
申请号：CN98122371.0
申请日：1998-11-26
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01S3/18
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/3213 , H01S5/3432
Abstract: 光导层形分别形成在有源层的两个表面上,其光导层具有比有源层的带隙宽的带隙,分别形成n型包层和p型包层,从而将有源层和光导层夹在它们之间,包层的带隙比光导层的带隙宽,载流子阻挡层分别形成在有源层和光导层之间,载流子阻挡层的带隙比有源层和光导层的带隙宽。p型包层的折射率比n型包层的折射率低。采用这种结构,由于自由载流子吸收减小,以及半导体激光器的电阻和热阻减小,使得内部损耗限制到较低的值,结果提高了激光器的效率和输出功率。
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公开(公告)号：CN1394372A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN01803534.5
申请日：2001-09-06
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01S5/16
CPC classification number: H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/164 , H01S5/168 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34313 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光器装置包括第一电流阻挡层及第二电流阻挡层，所述第一电流阻挡层被构成以便于限定一个条形电流注入区域，所述区域沿着从此发射激光装置的前端小平面与对面的所述装置后端小平面被连接的方向延伸，且所述第二电流阻挡层被构成以便于横切于前端小平面附近的条形电流注入区域。所述第一电流阻挡层和所述第二电流阻挡层由相同层组成。因此，在具有简易构成结构的小平面附近提供有一个电流阻挡层结构，其对半导体激光器装置不造成损坏并且将性能恶化减至最小，从而可以获得高的小平面COD等级及长期连续工作的高可靠性。
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公开(公告)号：CN1561567A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN02819066.1
申请日：2002-09-25
Applicant: 三井化学株式会社 , 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02208 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/0652 , H01S5/0656 , H01S5/146 , H01S5/34
Abstract: 本发明提供半导体激光元件，其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式，具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构，且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡，是其振荡频谱为多模式的Fabry－Perot型半导体激光元件，设每1层阱层的光限制系数为Γ、1层阱层的厚度为d(nm)时，则Γ与d之间满足下式：Γ/d≤1.3×10－3nm－1的关系。
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公开(公告)号：CN1114979C
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN98120556.9
申请日：1998-09-18
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/2077 , H01S5/2206 , H01S5/34313 , H01S5/3432 , H01S2304/00
Abstract: 在自对准结构半导体激光器中分别在有源层25的两面设置一对光导层23和28，光导层的带隙比有源层25宽；形成一对覆层22，29，能使有源层25和光导层23、28夹在其间，覆层的带隙比光导层23和28的宽；一对载流子阻断层24，26分别设置在有源层25和光导层23、28之间，载流子阻断层的带隙比有源层25和光导层23、28的带隙宽；使有带状窗口的电流阻断层27嵌入至少一个光导层23和28中，电流阻断层27通过选择生长而形成。
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公开(公告)号：CN1213199A
公开(公告)日：1999-04-07
申请号：CN98120556.9
申请日：1998-09-18
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01S3/18
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/2077 , H01S5/2206 , H01S5/34313 , H01S5/3432 , H01S2304/00
Abstract: 在自对准结构半导体激光器中分别在有源层25的两面设置一对光导层23和28,光导层的带隙比有源层25宽;形成一对覆层22,29,能使有源层25和光导层23、28夹在其间,覆层的带隙比光导层23和28的宽;一对载流子阻断层24,26分别设置在有源层25和光导层23、28之间,载流子阻断层的带隙比有源层25和光导层23、28的带隙宽;使有带状窗口的电流阻断层27嵌入至少一个光导层23和28中,电流阻断层27通过选择生长而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1204665C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN01803534.5
申请日：2001-09-06
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01S5/16
CPC classification number: H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/164 , H01S5/168 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34313 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光器装置包括第一电流阻挡部分及第二电流阻挡部分，所述第一电流阻挡部分被构成以便于限定一个条形电流注入区域，所述区域沿着从此发射激光装置的前端面与对面的所述装置后端面被连接的方向延伸，且所述第二电流阻挡部分被构成以便于横穿于前端面附近的条形电流注入区域。所述第一电流阻挡部分和所述第二电流阻挡部分由同一层组成。因此，在具有简易构成结构的面附近提供有一个电流阻挡部分结构，其对半导体激光器装置不造成损坏并且将性能恶化减至最小，从而可以获得高的面COD等级及长期连续工作的高可靠性。
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公开(公告)号：CN1278464C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN02819066.1
申请日：2002-09-25
Applicant: 三井化学株式会社 , 古河电气工业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02208 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/0652 , H01S5/0656 , H01S5/146 , H01S5/34
Abstract: 本发明提供半导体激光元件，其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式，具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构，且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡，是其振荡频谱为多模式的Fabry-Perot型半导体激光元件，设每1层阱层的光限制系数为г、1层阱层的厚度为d(nm)时，则г与d之间满足下式：г/d≤1.3×10-3nm-1的关系。
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公开(公告)号：CN1259760C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN02142273.7
申请日：2002-08-29
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/2077 , H01S5/222
Abstract: 本发明的目的是，提供一种选择成长形成的折射率控制层的膜厚控制性高、有效折射率差的再现性好、制造成品率高的半导体激光元件。在活性层(25)的至少一侧设具有活性层(25)的禁带宽度以上的禁带宽度的光波导层(27)，在光波导层(27)外侧设具有光波导层(27)的禁带宽度以上的禁带宽度的包层(28)，在光波导层(27)上，设经选择成长埋入的、具有带状窗(R21)的折射率控制层(31)的实际折射率波导型半导体激光元件中，该折射率控制层的膜厚在300nm以下，折射率控制层(31)埋入光波导层(27)；在埋入的折射率控制层(31)上设先行选择成长的半导体层(30)，在包含半导体层(30)和折射率控制层(31)的叠层部分中，半导体层(30)的膜厚变化造成的有效折射率的变化量，比折射率控制层(31)的膜厚变化造成的有效折射率的变化量更小。
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公开(公告)号：CN1121084C
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN98122371.0
申请日：1998-11-26
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01S5/30
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/3213 , H01S5/3432
Abstract: 光导层形分别形成在有源层的两个表面上，其光导层具有比有源层的带隙宽的带隙，分别形成n型包层和p型包层，从而将有源层和光导层夹在它们之间，包层的带隙比光导层的带隙宽，载流子阻挡层分别形成在有源层和光导层之间，载流子阻挡层的带隙比有源层和光导层的带隙宽。p型包层的折射率比n型包层的折射率低。采用这种结构，由于自由载流子吸收减小，以及半导体激光器的电阻和热阻减小，使得内部损耗限制到较低的值，结果提高了激光器的效率和输出功率。
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公开(公告)号：CN1407677A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02142273.7
申请日：2002-08-29
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/2077 , H01S5/222
Abstract: 本发明的目的是，提供一种选择成长形成的折射率控制层的膜厚控制性高、有效折射率差的再现性好、制造成品率高的半导体激光元件。在活性层25的至少一侧设具有活性层25的禁带宽度以上的禁带宽度的光波导层27，在光波导层27外侧设具有光波导层27的禁带宽度以上的禁带宽度的包层28，在光波导层27上，设经选择成长埋入的、具有带状窗R21的折射率控制层31的实际折射率波导型半导体激光元件中，折射率控制层31埋入光波导层27，在埋入的折射率控制层31上设先行选择成长的半导体层30，在包含半导体层30和折射率控制层31的叠层部分中，半导体层30的膜厚变化造成的有效折射率的变化量，比折射率控制层31的膜厚变化造成的有效折射率的变化量更小。
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