公开(公告)号：CN100417993C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200580000295.1

申请日：2005-03-22

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  松浦宜範 ,  池田真 ,  加藤和照

IPC: G02F1/1343 ,  H01L21/20 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明的课题是提供具备透明电极层和Al合金电极层的薄膜电路中即使不具备所谓的覆盖层，也能够实现透明电极层和Al合金电极层的直接接合的接合结构。本发明的具备透明电极层和与该透明电极层直接接合的Al合金电极层的液晶显示元件的接合结构的特征是，Al合金电极层中分散了具有-1.2V～-0.6V的范围内的氧化还原电位的析出物。

公开(公告)号：CN1774666A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200580000295.1

申请日：2005-03-22

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  松浦宜範 ,  池田真 ,  加藤和照

IPC: G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的课题是提供具备透明电极层和Al合金电极层的薄膜电路中即使不具备所谓的覆盖层，也能够实现透明电极层和Al合金电极层的直接接合的接合结构。本发明的具备透明电极层和与该透明电极层直接接合的Al合金电极层的液晶显示元件的接合结构的特征是，Al合金电极层中分散了具有－1.2V～－0.6V的范围内的氧化还原电位的析出物。

公开(公告)号：CN1610064A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410043478.9

申请日：2004-05-13

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 池田真 ,  久保田高史

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368

Abstract: 在制造液晶显示元件及半导体元件时利用铝合金薄膜作为电极层的情况下，提供一种即使没有所谓的覆盖层也能够实现优异的低电阻欧姆接触特性的半导体元件。在具有基板、在该基板上形成的半导体层、以及构成布线或电极的电极层的半导体元件中，具有半导体层与电极层直接接合的部分，该电极层用含有镍、钴、铁等过渡金属的铝合金薄膜形成。