公开(公告)号：CN100417993C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200580000295.1

申请日：2005-03-22

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  松浦宜範 ,  池田真 ,  加藤和照

IPC: G02F1/1343 ,  H01L21/20 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明的课题是提供具备透明电极层和Al合金电极层的薄膜电路中即使不具备所谓的覆盖层，也能够实现透明电极层和Al合金电极层的直接接合的接合结构。本发明的具备透明电极层和与该透明电极层直接接合的Al合金电极层的液晶显示元件的接合结构的特征是，Al合金电极层中分散了具有-1.2V～-0.6V的范围内的氧化还原电位的析出物。

公开(公告)号：CN100428367C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200580000338.6

申请日：2005-02-15

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  松浦宜範 ,  松崎健嗣 ,  加藤和照

IPC: H01B1/02 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78 ,  H05K1/09

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  H01B1/023 ,  H01L21/283 ,  H01L23/53219 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/09 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供适用于进行500℃以上的高温热处理的低温加工的多晶硅薄膜晶体管的、高耐热和低电阻率特性良好的铝合金配线材料及靶材。所述铝合金配线材料及靶材是含有镍、钴、碳的铝合金配线材料及靶材，其特征在于，假设镍含量的原子百分比为X at%，钴含量的原子百分比为Y at%，碳含量的原子百分比为Z at%，满足0.5at%≤X≤3.0at%、4.0at%≤X+Y≤7.0at%、0.1at%≤Z≤0.5at%的关系，其余由铝构成。

公开(公告)号：CN101090985A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200680001532.0

申请日：2006-03-30

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 占部宏成 ,  松浦宜範 ,  久保田高史

IPC: C22C21/00 ,  H01B1/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53219 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请的发明提供在具备薄膜晶体管及透明电极层的显示器件中，能够与ITO或IZO等的透明电极层直接接合，同时还能够与n+－Si等半导体层直接接合的Al系合金布线材料。本申请的发明的Al合金布线材料中，将镍含量设为镍的原子百分率Xat％，硼含量设为硼的原子百分率Yat％时，所述含量在满足下述各式的区域的范围内，余分为铝，式0.5≤X≤10.00.05≤Y≤11.0Y+0.25X≥1.0Y+1.15X≤11.5。

公开(公告)号：CN1788322A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200580000338.6

申请日：2005-02-15

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  松浦宜範 ,  松崎健嗣 ,  加藤和照

IPC: H01B1/02 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78 ,  H05K1/09

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  H01B1/023 ,  H01L21/283 ,  H01L23/53219 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/09 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供适用于进行500℃以上的高温热处理的低温加工的多晶硅薄膜晶体管的、高耐热和低电阻率特性良好的铝合金配线材料及靶材。所述铝合金配线材料及靶材是含有镍、钴、碳的铝合金配线材料及靶材，其特征在于，假设镍含量的原子百分比为Xat％，钴含量的原子百分比为Yat％，碳含量的原子百分比为Zat％，满足0.5at％≤X≤3.0at％、4.0at％≤X+Y≤7.0at％、0.1at％≤Z≤0.5at％的关系，其余由铝构成。

公开(公告)号：CN100564560C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200680001532.0

申请日：2006-03-30

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 占部宏成 ,  松浦宜範 ,  久保田高史

IPC: C22C21/00 ,  H01B1/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53219 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请的发明提供在具备薄膜晶体管及透明电极层的显示器件中，能够与ITO或IZO等的透明电极层直接接合，同时还能够与n+-Si等半导体层直接接合的Al系合金布线材料。本申请的发明的Al合金布线材料中，将镍含量设为镍的原子百分率Xat%，硼含量设为硼的原子百分率Yat%时，所述含量在满足下述各式的区域的范围内，余分为铝，式0.5≤X≤10.0；0.05≤Y≤11.0；Y+0.25X≥1.0；Y+1.15X≤11.5。

公开(公告)号：CN1774666A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200580000295.1

申请日：2005-03-22

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  松浦宜範 ,  池田真 ,  加藤和照

IPC: G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的课题是提供具备透明电极层和Al合金电极层的薄膜电路中即使不具备所谓的覆盖层，也能够实现透明电极层和Al合金电极层的直接接合的接合结构。本发明的具备透明电极层和与该透明电极层直接接合的Al合金电极层的液晶显示元件的接合结构的特征是，Al合金电极层中分散了具有－1.2V～－0.6V的范围内的氧化还原电位的析出物。