显示装置和用于制造显示装置的方法

    公开(公告)号:CN119451422A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411035863.2

    申请日:2024-07-31

    Abstract: 公开了显示装置和用于制造显示装置的方法。显示装置可以包括半导体晶圆衬底、设置在半导体晶圆衬底上的互补金属氧化物半导体(CMOS)电路层以及设置在CMOS电路层上的发光元件层。发光元件层可以包括分隔多个像素的像素限定膜、独立地设置在多个像素中的每个中的像素电极、设置在多个像素之间的老化布线、公共地覆盖多个像素中的各个像素的像素电极和老化布线的发光层以及覆盖发光层的公共电极。发光层的位于老化布线与公共电极之间的部分可以包括其中发光层中包括的导电层的至少一部分老化的老化部分。

    显示装置、用于制造其的掩模及显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN117479661A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202310928511.9

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本申请涉及显示装置、用于制造其的掩模及显示装置的制造方法。显示装置包括:衬底;像素电极,设置在衬底上;第一堤,包括暴露像素电极的中央部分的堤开口;第二堤,设置在第一堤的外侧上并且包括比第一堤大的厚度;发射层,设置在堤开口中并且对应于像素电极;以及相对电极,与第一堤、第二堤和发射层重叠,其中,第一堤和第二堤各自包括负型光刻胶。

    发光器件和包括其的电子设备
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118339942A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202280080088.5

    申请日:2022-12-01

    Abstract: 公开了发光器件和电子设备,所述发光器件包括设置在发光层与第一电极之间并包括第一金属氧化物和第二金属颗粒的功能层,具体地,根据一个实施例的发光器件包括:第一电极;第二电极,与第一电极相对;发光层,设置在第一电极与第二电极之间;以及功能层,设置在发光层与第二电极之间,其中,功能层包括第一金属氧化物和第二金属颗粒,并且第二金属包括Mg、Au、Ag、Cu、Fe或其任何组合。

    显示设备和该显示设备的制造方法

    公开(公告)号:CN118285164A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202280077541.7

    申请日:2022-11-29

    Abstract: 本发明提供了一种用于促进量子点发光二极管的正老化效应的显示设备和该显示设备的制造方法,所述显示设备包括:基底,具有显示区域和围绕显示区域的至少一部分的外围区域;第一显示元件,设置在显示区域中,并且具有第一发光层,第一发光层包括多个第一量子点,并且发射第一颜色的光;以及像素限定层,设置在基底上,并且具有用于限定第一显示元件的第一发光区域的第一开口、在第一方向上与第一开口间隔开且在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一沟槽以及用于将第一开口和第一沟槽连接的第一凹槽。

    显示装置以及用于制造其的掩模

    公开(公告)号:CN220733364U

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202321988087.9

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本申请涉及显示装置以及用于制造其的掩模。显示装置包括:衬底;像素电极,设置在衬底上;第一堤,包括暴露像素电极的中央部分的堤开口;第二堤,设置在第一堤的外侧上并且包括比第一堤大的厚度;发射层,设置在堤开口中并且对应于像素电极;以及相对电极,与第一堤、第二堤和发射层重叠,其中,第一堤和第二堤各自包括负型光刻胶。

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