公开(公告)号：CN110552006A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910427437.6

申请日：2019-05-22

Applicant: 三星显示有限公司 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 金镇亨 ,  郑周焕 ,  金真淑 ,  金学喆 ,  李秉洙 ,  金昌树 ,  郑正植 ,  金童基 ,  金相泰 ,  南基龙 ,  朴英哲 ,  沈庆辅 ,  林大成 ,  张晌勋

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  H01L27/32

Abstract: 提供了用于防止被蚀刻的金属的再吸附并均匀地蚀刻薄膜的薄膜蚀刻剂组合物。薄膜蚀刻剂组合物包括基于薄膜蚀刻剂组合物的总重量的约43wt％至约46wt％的磷酸、约5wt％至约8wt％的硝酸、约10wt％至约17wt％的乙酸、约1wt％至约3wt％的硝酸铁(iron nitrate)、约0.7wt％至约1.5wt％的磷酸盐和作为剩余量的去离子水。

公开(公告)号：CN102747367B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210034420.2

申请日：2012-02-15

Applicant: 三星显示有限公司 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 金善一 ,  崔新逸 ,  朴智荣 ,  金湘甲 ,  权五柄 ,  金童基 ,  金相泰 ,  朴英哲 ,  刘仁浩 ,  尹暎晋 ,  李昔准 ,  李俊雨 ,  林玟基 ,  张*勋 ,  秦荣晙

IPC: C23F1/16 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/0023 ,  H01L2251/308

Abstract: 本发明的示例性实施例公开了一种用于蚀刻铟氧化物层的非卤化蚀刻剂和一种使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法，所述非卤化蚀刻剂包括硝酸、硫酸、含有铵的缓蚀剂、基于环胺的化合物和水。

公开(公告)号：CN108930038A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810497139.X

申请日：2018-05-22

Applicant: 东友精细化工有限公司

Inventor： 南基龙 ,  尹暎晋 ,  李原昊 ,  金童基 ,  朴英哲 ,  张晌勋

IPC: C23F1/30 ,  H01L21/3213 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种银薄膜蚀刻液组合物及利用该银薄膜蚀刻液组合物的蚀刻方法和金属图案的形成方法，上述银薄膜蚀刻液组合物的特征在于，相对于组合物总重量，包含(A)无机酸1～15重量％、(B)有机酸30～73重量％、(C)无机盐0.5～15重量％和(D)余量的水。银薄膜蚀刻液组合物用于由银(Ag)或银合金构成的单层膜及由上述单层膜和透明导电膜构成的多层膜的蚀刻，提供不发生残渣和银再吸附问题的效果。

公开(公告)号：CN103911156B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201310656389.0

申请日：2013-12-06

Applicant: 东友精细化工有限公司

Inventor： 金童基 ,  田玹守 ,  郑敬燮

IPC: C09K13/04

Abstract: 本发明公开一种用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物。所述用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物包括硝酸、盐酸、无机酸盐和水，所述组合物能够快速且均匀地蚀刻所述金属氧化物层（透明的氧化物半导体），且制备简单、容易控制。

公开(公告)号：CN105970227A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610090986.5

申请日：2016-02-18

Applicant: 东友精细化工有限公司

Inventor： 李智娟 ,  李恩远 ,  金童基 ,  崔容硕

IPC: C23F1/44 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20 ,  H01L21/3213

CPC classification number: C23F1/44 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明公开了蚀刻剂组合物和利用它形成金属图案的方法，所述蚀刻剂组合物包含磷酸、硝酸、乙酸、硫酸和水以便蚀刻包含铝合金和钼合金的多层。所述蚀刻剂组合物能够一步蚀刻被构造成顺序形成钼合金层、铝合金层、钼合金层和钼合金氧化物层的多层，并可防止光刻胶破裂和尖端形成。

公开(公告)号：CN103911614A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310656388.6

申请日：2013-12-06

Applicant: 东友精细化工有限公司

Inventor： 权五炳 ,  金童基 ,  李智娟

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  H01L21/77 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明公开一种具有显著提升的稳定性的用于含铜金属层的蚀刻剂组合物，为了具有显著提升的稳定性，所述组合物包括过氧化氢（H2O2）、在分子中具有N-H键和羧基的水溶性化合物、和二乙烯三胺五乙酸或其盐；并且公开一种使用所述蚀刻剂组合物制造用于液晶显示器的阵列基板的方法。

公开(公告)号：CN113026019B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202110215383.4

申请日：2018-05-22

Applicant: 东友精细化工有限公司

Inventor： 南基龙 ,  尹暎晋 ,  李原昊 ,  金童基 ,  朴英哲 ,  张晌勋

IPC: C23F1/30 ,  H01L21/3213 ,  H10K71/60

Abstract: 本发明提供一种银薄膜蚀刻液组合物及利用该银薄膜蚀刻液组合物的蚀刻方法和金属图案的形成方法，上述银薄膜蚀刻液组合物的特征在于包含：(A)无机酸、(B)有机酸、(C)无机盐和(D)水，所述(C)无机盐为选自硝酸盐和硫酸盐中的一种。银薄膜蚀刻液组合物用于由银(Ag)或银合金构成的单层膜及由上述单层膜和透明导电膜构成的多层膜的蚀刻，提供不发生残渣和银再吸附问题的效果。

公开(公告)号：CN111172542B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN201911102927.5

申请日：2019-11-12

Applicant: 东友精细化工有限公司

Inventor： 权五柄 ,  李恩远 ,  赵现洙 ,  金童基 ,  南基龙 ,  张晌勋 ,  金相正 ,  李原昊

IPC: C23F1/30 ,  C23F1/02

Abstract: 本发明提供银薄膜蚀刻液组合物、蚀刻方法及金属图案的形成方法，上述银薄膜蚀刻液组合物包含(A)银蚀刻促进剂、(B)无机酸、(C)硫酸氢盐和(D)水。本发明提供不发生残渣和银再吸附问题，防止过蚀刻而侧蚀良好的效果。

公开(公告)号：CN110016667B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201811062832.0

申请日：2018-09-12

Applicant: 东友精细化工有限公司

Inventor： 金童基 ,  朴英哲 ,  张晌勋

IPC: C23F1/26 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及Mo‑Nb合金薄膜蚀刻液组合物及利用其的显示装置用基板的制造方法，所述蚀刻液组合物包含：40重量％至60重量％的磷酸；5重量％至10重量％的硝酸；7重量％至30重量％的乙酸；0.1重量％至2重量％的磷酸盐；以及15重量％至30重量％的水。

公开(公告)号：CN109423289B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201810975543.3

申请日：2018-08-24

Applicant: 东友精细化工有限公司

Inventor： 金童基 ,  南基龙 ,  沈庆辅

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供一种含银膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法，该含银膜蚀刻液组合物包含蚀刻引发剂、无机酸、有机酸以及余量的水，且在银(Ag)浓度10,000ppm时，吸收波长为300～370nm。通过使用含银膜蚀刻液组合物，能够形成蚀刻不良减少了的微细尺寸的导电图案。