公开(公告)号：CN111725314B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201910987953.4

申请日：2019-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁海仁 ,  郑文泳 ,  韩俊 ,  山田悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了具有多方向沟道和拥有增加的有效宽度的栅极的多方向沟道晶体管、以及包括该多方向沟道晶体管的半导体器件，其中该多方向沟道晶体管包括：至少一个鳍，在衬底上的有源区上，并且与在第一方向上延伸的凹陷相邻设置；栅线，在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且覆盖所述至少一个鳍和凹陷的至少一部分；源/漏区，在栅线两侧处的有源区上；以及沟道区，在源/漏区之间在栅线下方的有源区中，其中第一方向与第二方向斜交，并且栅线下方的电介质膜在所述至少一个鳍和凹陷两者上具有基本相同的厚度。

公开(公告)号：CN118475115A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202311665780.7

申请日：2023-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承唤 ,  张成豪 ,  权志硕 ,  丁海仁 ,  洪承湖

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围电路区域；有源区域；单元字线，在单元区域内沿第一水平方向延伸跨过有源区域；单元位线，在单元区域中沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸；外围电路栅极结构，在衬底上沿第二水平方向延伸；外围电路间隔物结构，设置在外围电路栅极结构的侧壁上；外围电路蚀刻停止层，设置在衬底上，并且与外围电路栅极结构和外围电路间隔物结构分离；以及外围电路接触部，通过贯穿外围电路蚀刻停止层而连接到衬底。外围电路蚀刻停止层具有位于外围电路接触部和外围电路间隔物结构之间的端部。

公开(公告)号：CN118632522A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202311546743.4

申请日：2023-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁海仁 ,  张成豪 ,  权志硕 ,  金承唤 ,  洪承湖

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包括：包含第一半导体材料的半导体衬底；在半导体衬底上的栅极结构；以及在半导体衬底和栅极结构之间的包含第二半导体材料的半导体图案。半导体图案与半导体衬底接触，栅极结构穿过半导体图案的一部分，并与半导体衬底间隔开，第一半导体材料不同于第二半导体材料。

公开(公告)号：CN111725314A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910987953.4

申请日：2019-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁海仁 ,  郑文泳 ,  韩俊 ,  山田悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了具有多方向沟道和拥有增加的有效宽度的栅极的多方向沟道晶体管、以及包括该多方向沟道晶体管的半导体器件，其中该多方向沟道晶体管包括：至少一个鳍，在衬底上的有源区上，并且与在第一方向上延伸的凹陷相邻设置；栅线，在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且覆盖所述至少一个鳍和凹陷的至少一部分；源/漏区，在栅线两侧处的有源区上；以及沟道区，在源/漏区之间在栅线下方的有源区中，其中第一方向与第二方向斜交，并且栅线下方的电介质膜在所述至少一个鳍和凹陷两者上具有基本相同的厚度。