公开(公告)号：CN109786437A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811247777.2

申请日：2018-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金商瑛 ,  裴德汉 ,  柳炳赞 ,  全多云

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一有源区，在衬底上沿第一方向延伸；第二有源区，在衬底沿第一方向延伸，并且与第一有源区平行；元件隔离区，在第一有源区和第二有源区之间；栅极结构，沿与第一方向不同的第二方向延伸，并且与第一有源区和第二有源区交叉；下接触件，沿第一方向与栅极结构间隔开，下接触件在第一有源区、元件隔离区和第二有源区上；以及上接触件，在第一有源区和第二有源区之间位于下接触件上。下接触件在第一有源区上的沿第一方向的宽度窄于下接触件在元件隔离区上的沿第一方向的宽度。

公开(公告)号：CN109786437B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201811247777.2

申请日：2018-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金商瑛 ,  裴德汉 ,  柳炳赞 ,  全多云

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一有源区，在衬底上沿第一方向延伸；第二有源区，在衬底沿第一方向延伸，并且与第一有源区平行；元件隔离区，在第一有源区和第二有源区之间；栅极结构，沿与第一方向不同的第二方向延伸，并且与第一有源区和第二有源区交叉；下接触件，沿第一方向与栅极结构间隔开，下接触件在第一有源区、元件隔离区和第二有源区上；以及上接触件，在第一有源区和第二有源区之间位于下接触件上。下接触件在第一有源区上的沿第一方向的宽度窄于下接触件在元件隔离区上的沿第一方向的宽度。