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公开(公告)号：CN106356372B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201610474846.8
申请日：2016-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一鳍式图案和第二鳍式图案，它们从场绝缘膜的上表面向上突出，并且在第一方向上延伸。栅极结构与第一鳍式图案和第二鳍式图案交叉。第一外延层在栅极结构的至少一侧上位于第一鳍式图案上，并且第二外延层在栅极结构的至少一侧上位于第二鳍式图案上。金属接触部分覆盖第一外延层的外周围表面和第二外延层的外周围表面。第一外延层接触第二外延层。
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公开(公告)号：CN109786437B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201811247777.2
申请日：2018-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一有源区，在衬底上沿第一方向延伸；第二有源区，在衬底沿第一方向延伸，并且与第一有源区平行；元件隔离区，在第一有源区和第二有源区之间；栅极结构，沿与第一方向不同的第二方向延伸，并且与第一有源区和第二有源区交叉；下接触件，沿第一方向与栅极结构间隔开，下接触件在第一有源区、元件隔离区和第二有源区上；以及上接触件，在第一有源区和第二有源区之间位于下接触件上。下接触件在第一有源区上的沿第一方向的宽度窄于下接触件在元件隔离区上的沿第一方向的宽度。
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公开(公告)号：CN109786378B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201811337662.2
申请日：2018-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：基板，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区域；栅极结构，在基板上与鳍型有源区域交叉并在垂直于第一方向且平行于基板的上表面的第二方向上延伸；引导图案，在第二方向上在栅极结构上延伸，并具有在第二方向上延伸的倾斜侧表面；源极/漏极区域，设置在栅极结构的两侧；以及第一接触，电连接到源极/漏极区域之一，并且第一接触的上部接触引导图案的倾斜侧表面。引导图案的上部在第一方向上的宽度小于引导图案的下部在第一方向上的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109786437A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811247777.2
申请日：2018-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一有源区，在衬底上沿第一方向延伸；第二有源区，在衬底沿第一方向延伸，并且与第一有源区平行；元件隔离区，在第一有源区和第二有源区之间；栅极结构，沿与第一方向不同的第二方向延伸，并且与第一有源区和第二有源区交叉；下接触件，沿第一方向与栅极结构间隔开，下接触件在第一有源区、元件隔离区和第二有源区上；以及上接触件，在第一有源区和第二有源区之间位于下接触件上。下接触件在第一有源区上的沿第一方向的宽度窄于下接触件在元件隔离区上的沿第一方向的宽度。
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公开(公告)号：CN109768042B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201811316090.X
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件包括：下层间绝缘膜，包括彼此相邻的第一沟槽和第二沟槽；第一栅极结构，位于第一沟槽内，并且在第一方向上延伸；第二栅极结构，位于第二沟槽内，并且在第一方向上延伸；源极/漏极，与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上；以及连接到源极/漏极的接触部，接触部位于上层间绝缘膜和下层间绝缘膜中，其中，接触部包括第一侧壁和第二侧壁，接触部的第一侧壁和接触部的第二侧壁彼此不对称，并且接触部不与第一栅极结构和第二栅极结构在竖直方向上交迭。
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公开(公告)号：CN109768042A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811316090.X
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件包括：下层间绝缘膜，包括彼此相邻的第一沟槽和第二沟槽；第一栅极结构，位于第一沟槽内，并且在第一方向上延伸；第二栅极结构，位于第二沟槽内，并且在第一方向上延伸；源极/漏极，与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上；以及连接到源极/漏极的接触部，接触部位于上层间绝缘膜和下层间绝缘膜中，其中，接触部包括第一侧壁和第二侧壁，接触部的第一侧壁和接触部的第二侧壁彼此不对称，并且接触部不与第一栅极结构和第二栅极结构在竖直方向上交迭。
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公开(公告)号：CN109786378A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811337662.2
申请日：2018-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：基板，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区域；栅极结构，在基板上与鳍型有源区域交叉并在垂直于第一方向且平行于基板的上表面的第二方向上延伸；引导图案，在第二方向上在栅极结构上延伸，并具有在第二方向上延伸的倾斜侧表面；源极/漏极区域，设置在栅极结构的两侧；以及第一接触，电连接到源极/漏极区域之一，并且第一接触的上部接触引导图案的倾斜侧表面。引导图案的上部在第一方向上的宽度小于引导图案的下部在第一方向上的宽度。
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公开(公告)号：CN106356372A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610474846.8
申请日：2016-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823871 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/665 , H01L29/7848 , H01L2029/7858 , H01L27/0886 , H01L21/823431
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一鳍式图案和第二鳍式图案，它们从场绝缘膜的上表面向上突出，并且在第一方向上延伸。栅极结构与第一鳍式图案和第二鳍式图案交叉。第一外延层在栅极结构的至少一侧上位于第一鳍式图案上，并且第二外延层在栅极结构的至少一侧上位于第二鳍式图案上。金属接触部分覆盖第一外延层的外周围表面和第二外延层的外周围表面。第一外延层接触第二外延层。
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