公开(公告)号：CN110634872B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201910445216.1

申请日：2019-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光洙 ,  金是完 ,  金俊亨 ,  吴京泽 ,  崔凤贤

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/46 ,  H10B41/27 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27

Abstract: 提供了一种包括穿过栅极堆叠结构的贯穿区域的三维半导体存储器件，所述三维半导体存储器件包括：基底；栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构设置在所述基底上，并且包括在与所述基底的顶表面基本垂直的方向上堆叠的栅电极；贯穿区域，所述贯穿区域穿过所述栅极堆叠结构并被所述栅极堆叠结构围绕；以及垂直沟道结构，所述垂直沟道结构穿过所述栅极堆叠结构。所述栅电极中的最下面的栅电极彼此间隔开，并且至少一个所述最下面的栅电极的一部分具有朝向所述贯穿区域弯曲的形状。

公开(公告)号：CN110600481B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201910241621.1

申请日：2019-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光洙 ,  金俊亨 ,  金是完 ,  吴京泽

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/10

Abstract: 提供了一种三维半导体存储器件。所述三维半导体存储器件包括：设置在基底上并且在垂直于基底的表面的方向上堆叠的第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构，第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构包括彼此间隔地堆叠的栅电极；穿过第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构并被第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构围绕的贯穿区域；以及穿过第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构的垂直沟道结构，其中，第一栅极堆叠结构具有与贯穿区域相邻并且被布置成阶梯形状的第一接触焊盘，第二栅极堆叠结构具有与贯穿区域相邻并且被布置成阶梯形状的第二接触焊盘，第二接触焊盘中的至少一部分第二接触焊盘在贯穿区域的一侧与第一接触焊盘交叠。

公开(公告)号：CN110600481A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910241621.1

申请日：2019-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光洙 ,  金俊亨 ,  金是完 ,  吴京泽

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157

Abstract: 提供了一种三维半导体存储器件。所述三维半导体存储器件包括：设置在基底上并且在垂直于基底的表面的方向上堆叠的第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构，第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构包括彼此间隔地堆叠的栅电极；穿过第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构并被第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构围绕的贯穿区域；以及穿过第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构的垂直沟道结构，其中，第一栅极堆叠结构具有与贯穿区域相邻并且被布置成阶梯形状的第一接触焊盘，第二栅极堆叠结构具有与贯穿区域相邻并且被布置成阶梯形状的第二接触焊盘，第二接触焊盘中的至少一部分第二接触焊盘在贯穿区域的一侧与第一接触焊盘交叠。

公开(公告)号：CN110634872A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910445216.1

申请日：2019-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光洙 ,  金是完 ,  金俊亨 ,  吴京泽 ,  崔凤贤

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11539 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种包括穿过栅极堆叠结构的贯穿区域的三维半导体存储器件，所述三维半导体存储器件包括：基底；栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构设置在所述基底上，并且包括在与所述基底的顶表面基本垂直的方向上堆叠的栅电极；贯穿区域，所述贯穿区域穿过所述栅极堆叠结构并被所述栅极堆叠结构围绕；以及垂直沟道结构，所述垂直沟道结构穿过所述栅极堆叠结构。所述栅电极中的最下面的栅电极彼此间隔开，并且至少一个所述最下面的栅电极的一部分具有朝向所述贯穿区域弯曲的形状。