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公开(公告)号:CN1338793A
公开(公告)日:2002-03-06
申请号:CN01124577.8
申请日:2001-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01P7/065
Abstract: 一种谐振器,包括有槽的下部基片;充满该槽的电介质;材料膜形成于该槽内壁上,用于防止下部基片和电解质之间的介电常数突然变化;上部基片与下部基片组合以形成空腔;导电薄膜形成于上部基片下表面上以对着电介质,还有与材料膜接触的狭槽,并使电介质露出;以及用于波导管的带状传输线,其形成于上部基片上表面上并与导电薄膜相连。通过使空腔充满电介质(或磁性材料),对应于给定谐振频率的空腔尺寸能减小。
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公开(公告)号:CN1211882C
公开(公告)日:2005-07-20
申请号:CN01124577.8
申请日:2001-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01P7/065
Abstract: 一种谐振器,包括有槽的下部基片;充满该槽的电介质;材料膜形成于该槽内壁上,用于防止下部基片和电解质之间的介电常数突然变化;上部基片与下部基片组合以形成空腔;导电薄膜形成于上部基片下表面上以对着电介质,还有与材料膜接触的狭槽,并使电介质露出;以及用于波导管的带状传输线,其形成于上部基片上表面上并与导电薄膜相连。通过使空腔充满电介质(或磁性材料),对应于给定谐振频率的空腔尺寸能减小。
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公开(公告)号:CN1496951A
公开(公告)日:2004-05-19
申请号:CN200310102403.9
申请日:2003-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于在MEMS封装工艺中的底切的金属布线方法,该方法包括:在硅衬底上设置MEMS元件;将玻璃晶片焊接至具有设置在其上的MEMS元件的硅衬底的上部,该玻璃晶片具有形成于其中用于连接金属布线的孔洞;在该孔洞中沉积用于该金属布线的薄金属膜;以及离子研磨该沉积的薄金属膜。通过离子研磨,该方法能够将金属布线连接至具有底切的通路孔。
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