公开(公告)号：CN114464636A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202111303999.3

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜栋薰 ,  吴光永 ,  张锺光 ,  金振泳 ,  李泰宪

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：半导体基底，具有彼此背对的第一侧和第二侧；多个光电区域，在半导体基底的第一区域中沿彼此垂直的第一方向和第二方向布置在半导体基底中；以及第一分隔结构，在半导体基底的第一区域中设置在所述多个光电区域之间。第一分隔结构包括下分隔结构和设置在下分隔结构上方的上分隔结构，第一分隔结构包括位于所述多个光电区域之间且在第一方向上延伸的线性部分，其中，在第一分隔结构的线性部分的在第一方向上的剖面结构中，下分隔结构的上表面和上分隔结构的下表面中的至少一个具有波状形状。

公开(公告)号：CN106057889A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610168351.2

申请日：2016-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  李炯宗 ,  张锺光 ,  金盛民

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，由沟槽限定，第一鳍型图案和第二鳍型图案，沿第一方向延伸，第一鳍型图案和第二鳍型图案是相互最近的；场绝缘层，填充沟槽的一部分；接触件，与场绝缘层、第一鳍型图案和第二鳍型图案相接触，接触件具有波形形状的底表面。

公开(公告)号：CN106601666B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201610893808.6

申请日：2016-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张锺光 ,  吴怜默 ,  安学润 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  成百民

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：栅极结构，在基底上；源极/漏极层，在基底的与栅极结构相邻的部分上；第一接触塞，接触源极/漏极层的上表面；第二接触塞，接触栅极结构和第一接触塞的上表面。第二接触塞的底表面具有不接触第一接触塞的上表面的第一部，第一部高于栅极结构的上表面。

公开(公告)号：CN106601666A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610893808.6

申请日：2016-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张锺光 ,  吴怜默 ,  安学润 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  成百民

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L2029/7858 ,  H01L21/823475

Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：栅极结构，在基底上；源极/漏极层，在基底的与栅极结构相邻的部分上；第一接触塞，接触源极/漏极层的上表面；第二接触塞，接触栅极结构和第一接触塞的上表面。第二接触塞的底表面具有不接触第一接触塞的上表面的第一部，第一部高于栅极结构的上表面。

公开(公告)号：CN106057890B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201610169618.X

申请日：2016-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  李炯宗 ,  金盛民 ,  张锺光

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一和第二鳍图案，通过第一沟槽隔开；栅电极，与第一和第二鳍图案交叉；和接触件，在栅电极的至少一侧上，接触件接触第一鳍图案，接触件具有不接触第二鳍图案的底表面，在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度，第一高度小于第二高度。

公开(公告)号：CN106057890A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610169618.X

申请日：2016-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  李炯宗 ,  金盛民 ,  张锺光

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一和第二鳍图案，通过第一沟槽隔开；栅电极，与第一和第二鳍图案交叉；和接触件，在栅电极的至少一侧上，接触件接触第一鳍图案，接触件具有不接触第二鳍图案的底表面，在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度，第一高度小于第二高度。